SiC ఎపిటాక్సియల్ గ్రోత్ కోసం అధునాతన CVD పూతలు
తీవ్రమైన ఉష్ణ ఒత్తిడి (1500°C - 1700°C) కింద పనిచేసే అధిక-శక్తి సెమీకండక్టర్ పరికర ప్రక్రియల కోసం ప్రత్యేకంగా రూపొందించబడిన, మా CVD SiC మరియు TaC పూత పూసిన ప్లానెటరీ ససెప్టర్లు, శాటిలైట్ డిస్క్లు మరియు గ్యాస్ డిఫ్లెక్టర్లు అత్యుత్తమంగా పనిచేసేలా నిర్మించబడ్డాయి. కణాల ఉత్పత్తి, ఉపరితల క్షీణత మరియు రియాక్టివ్ గ్యాస్ ఎచింగ్ (H₂, SiH₄, C₃H∯) ను నిరోధించడానికి రూపొందించబడిన మా అధునాతన పూతలు, సుదీర్ఘ కార్యాచరణ జీవితకాలాన్ని, ఉన్నతమైన డోపెంట్ నియంత్రణను మరియు అన్ని పరికరాలలో అధిక ఫిల్మ్ మందం ఏకరూపతను నిర్ధారిస్తాయి.6-అంగుళాల మరియు 8-అంగుళాల SiC ఎపిటాక్సియల్ వేఫర్లు.
తీవ్రమైన H₂/సిలేన్ క్షయకరణ వాతావరణాలలో 1700°C వరకు ఉష్ణ స్థిరత్వం కలిగి ఉంటుంది.
వేగవంతమైన ఉష్ణ చక్రాల సమయంలో పూత పొరలు ఊడిపోవడం, సూక్ష్మ పగుళ్లు మరియు పెచ్చులూడటాన్ని నివారిస్తుంది.
తదుపరి తరం అధిక-ఉత్పత్తి సామర్థ్యం గల SiC Epi రియాక్టర్ల (LPE, Aixtron, Nuflare) కోసం ప్రత్యేకంగా రూపొందించబడిన ఖచ్చితత్వ CNC మెషీనింగ్.
| సాంకేతిక పరామితి | స్పెసిఫికేషన్ విలువ | ప్రామాణికం / పరీక్షా విధానం |
|---|---|---|
| పూత పదార్థ ఎంపికలు | CVD SiC / టాంటాలమ్ కార్బైడ్ (TaC) | అధిక-స్వచ్ఛత హెర్మెటిక్ పొర |
| బేస్ సబ్స్ట్రేట్ | శుద్ధి చేసిన ఐసోస్టాటిక్ గ్రాఫైట్ | స్థూల మలినం < 5 ppm |
| ఉష్ణ షాక్ నిరోధకత | డెల్టా T > 500°C ర్యాంప్ రేట్ | పగుళ్లు / పొరలు ఊడిపోవడం లేదు |
| ఉపరితల గరుకుదనం (Ra) | ≤ 0.4 μm (మిర్రర్ పాలిష్డ్) | వేఫర్ అంటుకోవడం మరియు కణాలను నివారిస్తుంది |
-
SiC కోటింగ్ గ్రాఫైట్ MOCVD వేఫర్ క్యారియర్స్ సస్సే...
-
SiC పూత పూసిన గ్రాఫైట్ బేస్ క్యారియర్లు
-
Si కోసం పై మరియు దిగువ గ్రాఫైట్ అర్ధచంద్రాకార భాగం...
-
W కోసం SiC పూత పూసిన గ్రాఫైట్ ససెప్టర్ మరియు క్యారియర్...
-
సిలికాన్ కార్బన్ కోసం SiC పూత పూసిన గ్రాఫైట్ హాఫ్మూన్ భాగం...
-
SiC పూత పూసిన గ్రాఫైట్ అర్ధచంద్రాకార భాగం మరియు అసెంబ్లీ...