నీలమణి వేఫర్ కోసం చైనా పారిశ్రామిక పాలీక్రిస్టలైన్ డైమండ్ పౌడర్ 3-6um నాణ్యత తనిఖీ

సంక్షిప్త వివరణ:


  • పుట్టిన ప్రదేశం:చైనా
  • స్ఫటిక నిర్మాణం :FCCβ దశ
  • సాంద్రత :3.21 గ్రా/సెం.మీ;
  • కఠినత్వం:2500 విక్కర్స్;
  • గింజ పరిమాణం :2~10μm;
  • రసాయన స్వచ్ఛత:99.99995%;
  • ఉష్ణ సామర్థ్యం :640J·kg-1·K-1;
  • ఉత్పతనం ఉష్ణోగ్రత :2700℃;
  • ఫెలిక్యురల్ స్ట్రెంత్:415 Mpa (RT 4-పాయింట్);
  • యంగ్ మాడ్యులస్ :430 Gpa (4pt బెండ్, 1300℃);
  • ఉష్ణ వ్యాకోచం (CTE) :4.5 10-6K-1;
  • ఉష్ణ వాహకత:300(W/MK);
  • ఉత్పత్తి వివరాలు

    ఉత్పత్తి ట్యాగ్‌లు

    చైనా ఇండస్ట్రియల్ పాలీక్రిస్టలైన్ నాణ్యత తనిఖీ కోసం వినియోగదారులతో కలిసి పరస్పర సహకారం మరియు పరస్పర ప్రయోజనం కోసం అభివృద్ధి చెందడానికి, "నిజాయితీ, ఆవిష్కరణ, కఠినత్వం మరియు సామర్థ్యం" అనేది మా కంపెనీ యొక్క దీర్ఘకాలిక నిరంతర భావన.వజ్రపు పొడిసఫైర్ వేఫర్ కోసం 3-6um, మేము అధిక నాణ్యత గల ఉత్పత్తులను మరియు పరిష్కారాలను సరసమైన ధరకే, కొనుగోలుదారులకు ఉన్నతమైన అమ్మకాల తర్వాత మద్దతును అందించగలమని మాకు నమ్మకం ఉంది. మరియు మేము ఒక ఉజ్వలమైన సుదీర్ఘ ప్రస్థానాన్ని నిర్మిస్తాము.
    పరస్పర సహకారం మరియు ఉమ్మడి ప్రయోజనం కోసం వినియోగదారులతో కలిసి అభివృద్ధి చెందడానికి, "నిజాయితీ, నవకల్పన, కఠినత్వం మరియు సామర్థ్యం" అనేది మా కంపెనీ యొక్క దీర్ఘకాలిక నిరంతర భావన.చైనా సింథటిక్ డైమండ్, వజ్రపు పొడిమేము ఎల్లప్పుడూ “నాణ్యతే ప్రథమం, సాంకేతికతే ఆధారం, నిజాయితీ మరియు నూతనత్వం” అనే నిర్వహణ సూత్రాన్ని పాటిస్తాము. వినియోగదారుల విభిన్న అవసరాలను తీర్చడానికి, మేము కొత్త ఉత్పత్తులను నిరంతరం ఉన్నత స్థాయికి అభివృద్ధి చేయగలుగుతున్నాము.
    ఉత్పత్తి వివరణ

    మా కంపెనీ గ్రాఫైట్, సిరామిక్స్ మరియు ఇతర పదార్థాల ఉపరితలంపై CVD పద్ధతి ద్వారా SiC పూత ప్రక్రియ సేవలను అందిస్తుంది. ఈ ప్రక్రియలో, కార్బన్ మరియు సిలికాన్ కలిగిన ప్రత్యేక వాయువులు అధిక ఉష్ణోగ్రత వద్ద చర్య జరిపి అధిక స్వచ్ఛత గల SiC అణువులను పొందుతాయి. ఈ అణువులు పూత పూసిన పదార్థాల ఉపరితలంపై నిక్షిప్తమై, SiC రక్షిత పొరను ఏర్పరుస్తాయి.

    ప్రధాన లక్షణాలు:

    1. అధిక ఉష్ణోగ్రత ఆక్సీకరణ నిరోధకత:

    ఉష్ణోగ్రత 1600 C అంత ఎక్కువగా ఉన్నప్పుడు కూడా ఆక్సీకరణ నిరోధకత చాలా బాగుంటుంది.

    2. అధిక స్వచ్ఛత: అధిక ఉష్ణోగ్రత క్లోరినేషన్ పరిస్థితులలో రసాయన ఆవిరి నిక్షేపణ ద్వారా తయారు చేయబడింది.

    3. కోత నిరోధకత: అధిక కాఠిన్యం, కాంపాక్ట్ ఉపరితలం, సూక్ష్మ కణాలు.

    4. తుప్పు నిరోధకత: ఆమ్లం, క్షారం, లవణం మరియు సేంద్రీయ కారకాలు.

    CVD-SIC కోటింగ్ యొక్క ప్రధాన లక్షణాలు

    SiC-CVD లక్షణాలు

    స్ఫటిక నిర్మాణం FCC β దశ
    సాంద్రత గ్రా/సెం.మీ³ 3.21
    కఠినత్వం విక్కర్స్ కాఠిన్యం 2500
    ధాన్యం పరిమాణం μm 2~10
    రసాయన స్వచ్ఛత % 99.99995
    ఉష్ణ సామర్థ్యం J·kg-1 ·K-1 640
    ఉత్పతన ఉష్ణోగ్రత 2700
    ఫెలిక్యురల్ స్ట్రెంత్ MPa (RT 4-పాయింట్) 415
    యంగ్ మాడ్యులస్ జిపిఎ (4 పాయింట్ల వంపు, 1300℃) 430
    ఉష్ణ వ్యాకోచం (CTE) 10-6K-1 4.5
    ఉష్ణ వాహకత (డబ్ల్యూ/ఎమ్‌కె) 300

    1 2 3 4 5 6 7 8 9


  • మునుపటి:
  • తరువాత:

  • వాట్సాప్ ఆన్‌లైన్ చాట్ !