Ons is 'n ervare vervaardiger. Ons het die meerderheid van die belangrikste sertifikate van sy mark vir betroubare verskaffer China RP/HP/UHP hoë kwaliteit grafiet Columan gewen, en nooi u en u maatskappy uit om saam met ons te floreer en 'n skitterende toekoms in die wêreldwye mark te deel.
Ons is 'n ervare vervaardiger. Ons wen die meerderheid van die belangrikste sertifikate in sy mark virChina Elektrode, GrafietelektrodeOns O&O-afdeling ontwerp altyd met nuwe mode-idees sodat ons elke maand opgedateerde modestyle kan bekendstel. Ons streng produksiebestuurstelsels verseker altyd stabiele en hoë kwaliteit goedere. Ons handelspan bied tydige en doeltreffende dienste. Indien daar enige belangstelling of navrae oor ons produkte en oplossings is, kontak ons gerus betyds. Ons wil graag 'n sakeverhouding met u geëerde maatskappy vestig.
Koolstof / koolstofkomposiete(hierna verwys as “C / C of CFK”) is 'n soort saamgestelde materiaal wat op koolstof gebaseer is en versterk is deur koolstofvesel en sy produkte (koolstofvesel-voorvorm). Dit het beide die traagheid van koolstof en die hoë sterkte van koolstofvesel. Dit het goeie meganiese eienskappe, hittebestandheid, korrosiebestandheid, wrywingsdemping en termiese en elektriese geleidingseienskappe.
CVD-SiCDie deklaag het die eienskappe van eenvormige struktuur, kompakte materiaal, hoë temperatuurweerstand, oksidasieweerstand, hoë suiwerheid, suur- en alkaliweerstand en organiese reagens, met stabiele fisiese en chemiese eienskappe.
In vergelyking met hoë-suiwerheid grafietmateriale begin grafiet oksideer by 400°C, wat 'n verlies van poeier as gevolg van oksidasie sal veroorsaak, wat lei tot omgewingsbesoedeling van randapparatuur en vakuumkamers, en verhoog onsuiwerhede van hoë-suiwerheid omgewing.
SiC-laag kan egter fisiese en chemiese stabiliteit by 1600 grade handhaaf. Dit word wyd gebruik in die moderne industrie, veral in die halfgeleierbedryf.
Ons maatskappy verskaf SiC-bedekkingsprosesdienste deur die CVD-metode op die oppervlak van grafiet, keramiek en ander materiale, sodat spesiale gasse wat koolstof en silikon bevat, by hoë temperatuur reageer om hoë suiwerheid SiC-molekules te verkry. Molekules word op die oppervlak van die bedekte materiale neergelê en vorm 'n SIC-beskermende laag. Die gevormde SIC is stewig aan die grafietbasis gebind, wat die grafietbasis spesiale eienskappe gee, wat die oppervlak van die grafiet kompak, porositeitsvry, hoë temperatuurbestand, korrosiebestand en oksidasiebestand maak.
Belangrikste kenmerke:
1. Hoë temperatuur oksidasie weerstand:
Die oksidasieweerstand is steeds baie goed wanneer die temperatuur so hoog as 1600 C is.
2. Hoë suiwerheid: gemaak deur chemiese dampafsetting onder hoë temperatuur chlorineringstoestande.
3. Erosiebestandheid: hoë hardheid, kompakte oppervlak, fyn deeltjies.
4. Korrosiebestandheid: suur, alkali, sout en organiese reagense.
Hoofspesifikasies van CVD-SIC-bedekkings:
| SiC-CVD | ||
| Digtheid | (g/cc)
| 3.21 |
| Buigsterkte | (Mpa)
| 470 |
| Termiese uitbreiding | (10-6/K) | 4
|
| Termiese geleidingsvermoë | (W/mK) | 300
|
