सीवीडी-SiCकोटिंग में समान संरचना, कॉम्पैक्ट सामग्री, उच्च तापमान प्रतिरोध, ऑक्सीकरण प्रतिरोध, उच्च शुद्धता, एसिड और क्षार प्रतिरोध और कार्बनिक अभिकर्मक, स्थिर भौतिक और रासायनिक गुणों की विशेषताएं हैं।

उच्च शुद्धता वाले ग्रेफाइट पदार्थों की तुलना में, ग्रेफाइट 400 डिग्री सेल्सियस पर ऑक्सीकरण करना शुरू कर देता है, जिससे ऑक्सीकरण के कारण पाउडर का नुकसान होगा, जिसके परिणामस्वरूप परिधीय उपकरणों और वैक्यूम कक्षों में पर्यावरण प्रदूषण होगा, और उच्च शुद्धता वाले वातावरण की अशुद्धियाँ बढ़ेंगी।

हालाँकि, SiC कोटिंग 1600 डिग्री पर भौतिक और रासायनिक स्थिरता बनाए रख सकती है, इसका उपयोग आधुनिक उद्योग में व्यापक रूप से किया जाता है, विशेष रूप से अर्धचालक उद्योग में।

हमारी कंपनी ग्रेफाइट, सिरेमिक और अन्य सामग्रियों की सतह पर CVD विधि द्वारा SiC कोटिंग प्रक्रिया सेवाएँ प्रदान करती है, ताकि कार्बन और सिलिकॉन युक्त विशेष गैसें उच्च तापमान पर प्रतिक्रिया करके उच्च शुद्धता वाले SiC अणु प्राप्त करें, लेपित सामग्रियों की सतह पर अणु जमा हो जाएँ, जिससे SIC सुरक्षात्मक परत बन जाए। गठित SIC ग्रेफाइट बेस से मजबूती से जुड़ा होता है, जिससे ग्रेफाइट बेस को विशेष गुण मिलते हैं, जिससे ग्रेफाइट की सतह कॉम्पैक्ट, पोरोसिटी-फ्री, उच्च तापमान प्रतिरोध, संक्षारण प्रतिरोध और ऑक्सीकरण प्रतिरोध बन जाती है।

मुख्य विशेषताएं:

1. उच्च तापमान ऑक्सीकरण प्रतिरोध:

जब तापमान 1600 डिग्री सेल्सियस तक होता है तब भी ऑक्सीकरण प्रतिरोध बहुत अच्छा होता है।

2. उच्च शुद्धता: उच्च तापमान क्लोरीनीकरण की स्थिति के तहत रासायनिक वाष्प जमाव द्वारा बनाया गया।

3. क्षरण प्रतिरोध: उच्च कठोरता, कॉम्पैक्ट सतह, ठीक कण।

4. संक्षारण प्रतिरोध: अम्ल, क्षार, नमक और कार्बनिक अभिकर्मक।

सीवीडी-एसआईसी कोटिंग्स के मुख्य विनिर्देश: