Ni estas sperta fabrikanto. Gajnante la plimulton de la gravaj atestiloj de sia merkato por Fidinda Provizanto Ĉinia RP/HP/UHP Altkvalita Grafita Kolono, ni invitas vin kaj vian kompanion prosperi kune kun ni kaj dividi brilan antaŭvideblan estontecon en la tutmonda merkato.
Ni estas sperta fabrikanto. Gajnante la plimulton de la gravaj atestiloj de sia merkato porĈinia Elektrodo, Grafita elektrodoNia esplor- kaj disvolva fako ĉiam kreas novajn modajn ideojn, por ke ni povu enkonduki ĝisdatajn modstilojn ĉiumonate. Niaj striktaj produktad-administradaj sistemoj ĉiam certigas stabilajn kaj altkvalitajn varojn. Nia komerca teamo provizas ĝustatempajn kaj efikajn servojn. Se estas ia intereso aŭ demando pri niaj produktoj kaj solvoj, bonvolu kontakti nin ĝustatempe. Ni ŝatus establi komercan rilaton kun via estimata kompanio.
Karbono/karbonaj kompozitoj(ĉi-poste nomata "C / C aŭ CFC”) estas speco de kompozita materialo bazita sur karbono kaj plifortigita per karbonfibro kaj ĝiaj produktoj (karbonfibra preformo). Ĝi havas kaj la inercion de karbono kaj la altan forton de karbonfibro. Ĝi havas bonajn mekanikajn ecojn, varmoreziston, korodreziston, frikcio-dampigon kaj termikajn kaj elektrajn konduktivecajn karakterizaĵojn.
CVD-SiCtegaĵo havas la karakterizaĵojn de unuforma strukturo, kompakta materialo, alta temperaturrezisto, oksidiĝrezisto, alta pureco, acido-alkala rezisto kaj organika reakciilo, kun stabilaj fizikaj kaj kemiaj ecoj.
Kompare kun altpurecaj grafitaj materialoj, grafito komencas oksidiĝi je 400 °C, kio kaŭzos perdon de pulvoro pro oksidiĝo, rezultante en media poluado de periferiaj aparatoj kaj vakuaj ĉambroj, kaj pliigos malpuraĵojn de altpureca medio.
Tamen, SiC-tegaĵo povas konservi fizikan kaj kemian stabilecon je 1600 gradoj, ĝi estas vaste uzata en moderna industrio, precipe en la duonkonduktaĵa industrio.
Nia kompanio provizas servojn pri SiC-tegado per CVD-metodo sur la surfaco de grafito, ceramiko kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicion reagas je alta temperaturo por akiri altpurecajn SiC-molekulojn, kiuj deponiĝas sur la surfaco de la tegitaj materialoj, formante SIC-protektan tavolon. La formita SIC estas firme ligita al la grafita bazo, donante al la grafita bazo specialajn ecojn, tiel igante la surfacon de la grafito kompakta, senporeca, altan temperaturreziston, korodreziston kaj oksidiĝreziston.
Ĉefaj trajtoj:
1. Rezisto al oksidiĝo al alta temperaturo:
la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas tiel alta kiel 1600 C.
2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponado sub altaj temperaturoj de klorado.
3. Eroziorezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj partikloj.
4. Kororezisto: acido, alkalo, salo kaj organikaj reakciiloj.
Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC-Tegaĵoj:
| SiC-CVD | ||
| Denseco | (g/cm³)
| 3.21 |
| Fleksforto | (Mpa)
| 470 |
| Termika ekspansio | (10-6/K) | 4
|
| Varmokondukteco | (W/mK) | 300
|
