Nutizie

Fonti di contaminazione è pulizia di e wafer di semiconduttori
da l'amministratore u 24-08-13
Certe sustanze organiche è inorganiche sò necessarie per participà à a fabricazione di semiconduttori. Inoltre, postu chì u prucessu hè sempre realizatu in una stanza pulita cù a participazione umana, i wafer di semiconduttori sò inevitabilmente contaminati da varie impurità. Sicondu...
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Fonti d'inquinamentu è prevenzione in l'industria di fabricazione di semiconduttori
da l'amministratore u 24-08-13
A pruduzzione di dispositivi semiconduttori include principalmente dispositivi discreti, circuiti integrati è i so prucessi di imballaggio. A pruduzzione di semiconduttori pò esse divisa in trè tappe: pruduzzione di materiale di u corpu di u pruduttu, fabricazione di wafer di u pruduttu è assemblaggio di dispositivi. Frà elle,...
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Perchè ci hè bisognu di diluizione?
da l'amministratore u 24-08-08
In a fase di prucessu back-end, a cialda (cialda di siliciu cù circuiti nantu à u fronte) deve esse diluita nantu à u spinu prima di u tagliu, a saldatura è l'imballaggio successivi per riduce l'altezza di muntatura di u pacchettu, riduce u vulume di u pacchettu di chip, migliurà a diffusione termica di u chip...
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Prucessu di sintesi di polvere monocristallina di SiC di alta purezza
da l'amministratore u 24-08-08
In u prucessu di crescita di monocristalli di carburo di siliciu, u trasportu fisicu di vapore hè u metudu d'industrializazione principale attuale. Per u metudu di crescita PVT, a polvere di carburo di siliciu hà una grande influenza nantu à u prucessu di crescita. Tutti i parametri di a polvere di carburo di siliciu dire...
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Perchè una scatula di cialde cuntene 25 cialde ?
da l'amministratore u 24-07-30
In u mondu sofisticatu di a tecnulugia muderna, i wafers, cunnisciuti ancu cum'è wafers di siliciu, sò i cumpunenti principali di l'industria di i semiconduttori. Sò a basa per a fabricazione di diversi cumpunenti elettronichi cum'è microprocessori, memoria, sensori, ecc., è ogni wafer...
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Piedistalli cumunimenti usati per l'epitassia in fase vapore
da l'amministratore u 24-07-30
Durante u prucessu di epitaxia in fase vapore (VPE), u rolu di u pedestal hè di sustene u sustratu è di assicurà un riscaldamentu uniforme durante u prucessu di crescita. Diversi tipi di pedestal sò adatti per diverse cundizioni di crescita è sistemi di materiali. Eccu alcuni...
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Cumu allargà a vita di serviziu di i prudutti rivestiti di carburo di tantaliu?
da l'amministratore u 24-07-26
I prudutti rivestiti di carburo di tantalu sò un materiale cumunimenti adupratu à alta temperatura, carattarizatu da resistenza à alta temperatura, resistenza à a corrosione, resistenza à l'usura, ecc. Dunque, sò largamente aduprati in industrie cum'è l'aerospaziale, a chimica è l'energia. Per ex...
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Chì ghjè a differenza trà PECVD è LPCVD in l'equipaggiu CVD à semiconduttori?
da l'amministratore u 24-07-24
A deposizione chimica di vapore (CVD) si riferisce à u prucessu di deposizione di una pellicola solida nantu à a superficia di una cialda di siliciu per via di una reazione chimica di una mistura di gas. Sicondu e diverse cundizioni di reazione (pressione, precursore), pò esse divisa in vari equipaghji...
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Caratteristiche di u stampu di grafite di carburo di siliciu
da l'amministratore u 24-07-18
Stampo di grafite di carburo di siliciu U stampo di grafite di carburo di siliciu hè un stampo cumpostu cù carburo di siliciu (SiC) cum'è basa è grafite cum'è materiale di rinforzu. Stu stampo hà una eccellente cunduttività termica, resistenza à alte temperature, resistenza à a corrosione è...
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