Deposizione chimica di vapore (CVD) si riferisce à u prucessu di depositu di una pellicola solida nantu à a superficia di un siliciucialdaper via di una reazione chimica di una mistura di gas. Sicondu e diverse cundizioni di reazione (pressione, precursore), pò esse divisu in vari mudelli d'equipaggiamenti.
Per chì prucessi sò aduprati sti dui dispusitivi ?
PECVDL'equipaggiu (Plasma Enhanced) hè u più numerosu è u più cumunimenti utilizatu, utilizatu in OX, Nitruri, Metal Gate, Carbone Amorfu, ecc.; LPCVD (Low Power) hè generalmente utilizatu in Nitruri, Poli, TEOS.
Chì ghjè u principiu ?
PECVD - un prucessu chì combina perfettamente l'energia di u plasma è a CVD. A tecnulugia PECVD usa u plasma à bassa temperatura per induce una scarica luminescente à u catodu di a camera di prucessu (vale à dì, u vassoio di u campione) sottu bassa pressione. Questa scarica luminescente o altru dispositivu di riscaldamentu pò elevà a temperatura di u campione à un livellu predeterminatu, è dopu introduce una quantità cuntrullata di gas di prucessu. Stu gas subisce una seria di reazzioni chimiche è di plasma, è infine forma una pellicola solida nantu à a superficia di u campione.
LPCVD - A deposizione chimica di vapore à bassa pressione (LPCVD) hè cuncipita per riduce a pressione operativa di u gas di reazione in u reattore à circa 133 Pa o menu.
Chì sò e caratteristiche di ognunu ?
PECVD - Un prucessu chì combina perfettamente l'energia di u plasma è a CVD: 1) Funziunamentu à bassa temperatura (evitendu danni à l'attrezzatura per alta temperatura); 2) Crescita rapida di u film; 3) Micca esigente nantu à i materiali, OX, Nitruri, porta metallica, carbone amorfu ponu tutti cresce; 4) Ci hè un sistema di monitoraghju in situ, chì pò aghjustà a ricetta per mezu di parametri ionici, porta di gas, temperatura è spessore di u film.
LPCVD - I filmi fini depositati da LPCVD averanu una megliu cupertura di passi, un bonu cuntrollu di a cumpusizione è di a struttura, un altu tassu di deposizione è un rendimentu elevati. Inoltre, LPCVD ùn richiede micca gas vettore, dunque riduce assai a fonte di inquinamentu da particelle è hè largamente utilizatu in l'industrie di semiconduttori à altu valore aghjuntu per a deposizione di filmi fini.
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Data di publicazione: 24 di lugliu di u 2024