CVD estaldura

CVD estaldurak erdieroaleen prozesamendu aurreraturako

Erdieroaleen fabrikazio-ingurune kritikoetarako diseinatuta, gure Silizio Karburozko (SiC), Tantalo Karburozko (TaC) eta Karbono Pirolitikozko (PyC) estaldura kimikoen lurrun-deposizio (CVD) inertzia kimiko bikaina, egonkortasun termiko handia eta purutasun ultra-handia (< 5 ppm) eskaintzen dituzte. Grafito eta zeramikazko substratu puruak plasma oldarkorretatik, prozesu erreaktiboetako gasetatik eta ziklo termiko handietatik babesteko diseinatuta, gure estaldura aurreratuek partikula-sorkuntza minimizatzen dute eta osagaien iraupena nabarmen luzatzen dute.Silizio/SiC Epitaxia, MOCVD, Plasma Grabaketa eta Monokristalen Hazkundeaaplikazioak.

Ultra-Purutasun Handia (< 5 ppm)

GDMS bidez egiaztatutako ezpurutasun metaliko baxuak prozesu kritikoetan obleen kutsadura saihesteko.

Plasma eta gas erresistentzia bikaina

Kristalezko egitura trinkoak halogeno plasmaren (CF₄, NF₃, Cl₂) eta gas korrosiboen aurka babesten du.

Bat etortze termiko optimizatua

CTE kontrol zorrotzak mikropitzadurak eta estalduraren delaminazioa ezabatzen ditu kolpe termiko larrien pean.

Estaldura mota	Abantaila tekniko nagusia	Lehen Mailako Prozesuaren Aplikazioa
CVD SiC estaldura	Eroankortasun termiko handia, plasma higaduraren erresistentzia bikaina	Grabatu lehorra, Si epitaxia, MOCVD, kristalen hazkundea
CVD TaC estaldura	Tenperatura muturreko erresistentzia (>2000 °C), H₂/SiH₄ korrosiorako hesi	SiC Epitaxia, Kristal Bakarreko SiC PVT Hazkuntza
PyC estaldura	Gas bidezko zigilatze hermetikoa, karbono gainazal anisotropiko ultra-leuna	Eremu termiko isolatzailea, CZ silizio monokristalinoa