Mipako ya CVD

Mipako ya CVD kwa Usindikaji wa Semiconductor wa Kina

Ikiwa imeundwa kwa ajili ya mazingira muhimu ya utengenezaji wa semiconductor, mipako yetu ya Uwekaji wa Mvuke wa Kemikali (CVD) Silicon Carbide (SiC), Tantalum Carbide (TaC), na Pyrolytic Carbon (PyC) hutoa uimara bora wa kemikali, uthabiti mkubwa wa joto, na usafi wa hali ya juu sana (< 5 ppm). Imeundwa kulinda grafiti ya usafi wa hali ya juu na substrates za kauri kutokana na plasma kali, gesi tendaji za mchakato, na mzunguko wa joto wa juu, mipako yetu ya hali ya juu hupunguza uzalishaji wa chembe na kupanua kwa kiasi kikubwa maisha ya vipengele katikaEpitaksi ya Silicon/SiC, MOCVD, Uchongaji wa Plasma, na Ukuaji wa Monocrystalmatumizi.

Usafi wa Juu Sana (< 5 ppm)

Uchafu mdogo wa metali uliothibitishwa na GDMS ili kuzuia uchafuzi wa wafer katika michakato muhimu.

Upinzani Bora wa Plasma na Gesi

Muundo mnene wa fuwele hulinda dhidi ya plazima ya halojeni (CF₄, NF₃, Cl₂) na gesi babuzi.

Ulinganishaji wa Joto Ulioboreshwa

Udhibiti mkali wa CTE huondoa mipasuko midogo na utenganishaji wa mipako chini ya mishtuko mikali ya joto.

Aina ya Mipako	Faida Muhimu ya Kiufundi	Matumizi ya Mchakato wa Msingi
Mipako ya CVD SiC	Upitishaji joto mwingi, upinzani bora wa mmomonyoko wa plasma	Etch Kavu, Epitaksi, MOCVD, Ukuaji wa Fuwele
Mipako ya CVD TaC	Upinzani mkali wa halijoto (>2000°C), kizuizi cha kutu cha H₂/SiH₄	Ukuaji wa SiC Epitaxy, SiC PVT ya Kioo Kimoja
Mipako ya PyC	Kuziba gesi isiyopitisha hewa, uso wa kaboni laini sana wa anisotropiki	Insulation ya uwanja wa joto, CZ Monocrystalline Silicon