Siliziozko epitaxiarako (Si Epi) CVD SiC estalitako osagaiak
Silizio Epitaxial deposizio sistemetarako, bai oblea bakarrekoetarako bai sorta-mailakoetarako, gure CVD SiC estalitako suszeptoreek, satelite-diskoek eta eremu termikoko osagaiek uniformetasun termiko bikaina eta gas-isurketa zero eskaintzen dituzte. Dentsitate handiko β-SiC estaldura-geruza kubikoak grafito substratu purua guztiz inguratzen du, gas erreaktiboaren grabatzea (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) saihestuz eta ezpurutasun metaliko maila ultra-baxuak bermatuz (< 5 ppm) tenperatura altuko Si Epi prozesamenduan (1000 °C - 1200 °C).
Emisibitate kontrolatuak oblearen ertz-erdiguneko filmaren lodieraren koherentzia zehatza bermatzen du.
Babes sendoa eskaintzen du in situ ganbera garbitzeko produktu kimikoen eta kolpe termikoen aurka.
Zehaztasun handiko CNC mekanizazioa, 200 mm/300 mm-ko Epi erreminta arruntetarako (Applied Materials, ASM).
| Parametro teknikoa | Zehaztapenaren balioa | Araua / Proba Metodoa |
|---|---|---|
| Estaldura-materiala | CVD β-SiC (Fase Kubikoa) | Dentsitate handiko kristal-egitura |
| Substratu materiala | Grafito isostatiko ultrapuroa | Dentsitatea: 1,82 - 1,88 g/cm³ |
| Purutasun kimikoa | Ezpurutasun totalak < 5 ppm | GDMS probatua |
| Estalduraren lodiera | 80 μm - 150 μm | Uniformetasuna ≤ ±% 5 |
-
SiC estalitako upel suszeptorea
-
Siliziozko karburo estaldurako grafitozko erretilu-plaka eta...
-
SiC estalitako upel suszeptore pertsonalizatua
-
Epitaxial Epi Graphite Barril Susceptor
-
Barril Susceptor fase likidoaren epitaxia LPErako
-
Korrosioarekiko erresistentea den silizio karburoz estalitako Carr...
-
Siliziozko karburoz estalitako xafla epitaxialaren erretilua erabiltzeko...