سی‌اس‌آی‌سی‌سی (SiC) با روش رسوب‌گذاری بخار شیمیایی (CVD)این پوشش دارای ویژگی‌های ساختار یکنواخت، جنس فشرده، مقاومت در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر اکسیداسیون، خلوص بالا، مقاومت در برابر اسید و قلیا و واکنشگر آلی و خواص فیزیکی و شیمیایی پایدار است.

در مقایسه با مواد گرافیتی با خلوص بالا، گرافیت در دمای ۴۰۰ درجه سانتیگراد شروع به اکسید شدن می‌کند که باعث از بین رفتن پودر به دلیل اکسیداسیون می‌شود و در نتیجه آلودگی محیطی برای دستگاه‌های جانبی و محفظه‌های خلاء ایجاد می‌کند و ناخالصی‌های محیط با خلوص بالا را افزایش می‌دهد.

با این حال، پوشش SiC می‌تواند پایداری فیزیکی و شیمیایی را در دمای ۱۶۰۰ درجه حفظ کند، که به طور گسترده در صنایع مدرن، به ویژه در صنعت نیمه‌هادی، مورد استفاده قرار می‌گیرد.

شرکت ما خدمات فرآیند پوشش‌دهی SiC را به روش CVD بر روی سطح گرافیت، سرامیک و سایر مواد ارائه می‌دهد، به طوری که گازهای ویژه حاوی کربن و سیلیکون در دمای بالا واکنش می‌دهند تا مولکول‌های SiC با خلوص بالا به دست آیند، مولکول‌ها روی سطح مواد پوشش داده شده رسوب می‌کنند و لایه محافظ SIC را تشکیل می‌دهند. SIC تشکیل شده به طور محکم به پایه گرافیت متصل می‌شود و به پایه گرافیت خواص ویژه‌ای می‌دهد، بنابراین سطح گرافیت را فشرده، بدون تخلخل، مقاوم در برابر دمای بالا، مقاومت در برابر خوردگی و مقاومت در برابر اکسیداسیون می‌کند.

ویژگی‌های اصلی:

۱. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا:

مقاومت در برابر اکسیداسیون حتی در دماهای بالا مانند ۱۶۰۰ درجه سانتیگراد نیز بسیار خوب است.

2. خلوص بالا: ساخته شده توسط رسوب بخار شیمیایی تحت شرایط کلرزنی دمای بالا.

۳. مقاومت در برابر فرسایش: سختی بالا، سطح فشرده، ذرات ریز.

۴. مقاومت در برابر خوردگی: اسید، قلیا، نمک و مواد آلی.

مشخصات اصلی پوشش‌های CVD-SIC: