زیرلایه گرافیتی روکش شده با کاربید سیلیکون برای نیمه هادی، گیرنده MOCVD

ویژگی‌های کلیدی سوسپتورهای روکش‌شده با SiC:

۱. مقاومت در برابر اکسیداسیون در دمای بالا:مقاومت در برابر دما تا ۱۷۰۰ درجه سانتیگراد، آن را برای شرایط پردازش شدید مناسب می‌کند.

۲. خلوص بالا و یکنواختی حرارتی:نتایج پایدار را تضمین می‌کند، که برای موارد زیر حیاتی استسوسپکتورهای MOCVDو سایر کاربردهای دقیق

3. مقاومت عالی در برابر خوردگی:مقاوم در برابر اسید، قلیا، نمک و انواع واکنشگرهای آلی.

۴. سختی سطح بهبود یافته:سطح فشرده با ذرات ریز که دوام و طول عمر بالاتری را فراهم می‌کند.

۵. عمر مفید طولانی‌تر:مهندسی شده برای عملکرد پایدار، که در محیط‌های فرآوری سخت، عملکرد بهتری نسبت به سوسپتورهای استاندارد با پوشش کاربید سیلیکون دارد.

شرکت VET Energy به عنوان یک تولیدکننده پیشرو، در زمینه گرافیت سفارشی ومحصولات کاربید سیلیکونبا گزینه‌های مختلف پوشش، از جملهپوشش SiC, پوشش TaC, پوشش کربن شیشه‌ایو پوشش کربن پیرولیتیک. ما با افتخار به صنایع نیمه‌هادی و فتوولتائیک خدمت می‌کنیم و سوسپتورهای گرافیتی با پوشش کاربید سیلیکون را ارائه می‌دهیم که نیازهای عملیاتی خاص را برآورده می‌کنند.

تیم فنی ما، با تجربه از موسسات تحقیقاتی برتر داخلی، به پیشبرد راه‌حل‌های مادی برای نیازهای در حال تحول جامعه اختصاص دارد.سوسپکتور گرافیتی روکش شده با SiCبازار. شرکت VET Energy از طریق فرآیند ثبت اختراع خود، فناوری منحصر به فردی را توسعه داده است که به طور قابل توجهی استحکام پیوند بین پوشش کاربید سیلیکون و زیرلایه را بهبود می‌بخشد و خطر جدا شدن را کاهش داده و قابلیت اطمینان درازمدت را افزایش می‌دهد.