ʻO ka MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) kahi ʻenehana i hoʻohana nui ʻia no ka waiho ʻana o ka ʻili lahilahi kiʻekiʻe a he kuleana koʻikoʻi kona i nā ʻoihana hana semiconductor a me nā mea uila. Ma ke ʻano he ʻāpana koʻikoʻi i ke kaʻina hana MOCVD, hoʻohana pinepine ʻia nā mea hoʻomehana i uhi ʻia me SiC e kākoʻo i nā hopena kinoea wela kiʻekiʻe a me ka ulu ʻana o ka wafer. I loko o kēia ʻano, ʻo ka hoʻopili ʻana o nā uhi silicon carbide (SiC) e hoʻonui nui i ke kūpaʻa o ka mea hoʻomehana i nā mahana kiʻekiʻe, ka oxidation, a me ka corrosion kemika, he mea nui ia no ka mālama ʻana i ka hana paʻa i ka wā hana lōʻihi.
ʻO kekahi o nā pono nui oNā mea hoʻomehana i uhi ʻia me ka MOCVD SiCʻo ko lākou conductivity thermal maikaʻi loa a me ka hiki ke wela kiʻekiʻe, e ʻae ana iā lākou e hana pono ma lalo o nā kūlana koʻikoʻi. Loaʻa i ka Silicon carbide kahi kiko heheʻe kiʻekiʻe loa, e hiki ai iā ia ke noho paʻa i ke ʻano ma nā mahana kiʻekiʻe a pale i ka deformation a i ʻole ka hāʻule ʻana e hiki ke hana me nā mea hoʻomehana maʻamau. Eia kekahi, ʻo ke kūpaʻa kemika kiʻekiʻe o nā uhi SiC e hiki ai ke kū'ē maikaʻi i kahi ākea o nā ʻano corrosive, e hōʻoiaʻiʻo ana i ke ola lawelawe lōʻihi a me nā koi mālama i hoʻemi ʻia.
I loko o nā ʻōnaehana MOCVD, hoʻoholo pololei ka ʻaha hoʻomehana i ke kūpaʻa o ka mahana i loko o ke keʻena hopena a me ke ʻano like o ka waiho ʻana. He kuleana koʻikoʻi ko nā mea hoʻomehana i uhi ʻia me SiC i kēia hana koʻikoʻi. Hoʻokumu pinepine ʻia kēia mau mea hoʻomehana ma luna o ka graphite maʻemaʻe kiʻekiʻe a i ʻole nā mea hoʻoheheʻe kalapona kūikawā, me kahi papa SiC mānoanoa a like i waiho ʻia ma luna o ka ʻili ma o ka waiho ʻana o ka mahu kemika, e hoʻomaikaʻi nui ana i ka ikaika mechanical a me ka hana o nā mea.
Ma waho aʻe o ke kūpaʻa wela kiʻekiʻe, hāʻawi pū nā uhi SiC i nā pono maopopo i ka kaohi ʻana i nā ʻāpana. I ka wā o ka ulu ʻana o MOCVD, hiki i nā pae liʻiliʻi o ka haumia ʻāpana ke hoʻopilikia maikaʻi ʻole i ka maikaʻi o ka papa epitaxial. Hoʻopau maikaʻi ka ʻili SiC mānoanoa i ka hoʻohaʻahaʻa substrate a me ka volatilization mea, e hōʻemi ana i ka hanauna ʻāpana a me ka hoʻokō ʻana i nā koi maʻemaʻe a me ka hua o ka hana semiconductor compound. He mea nui loa kēia ʻano i nā noi epitaxial holomua e pili ana iā GaN a me SiC.
Ma lalo o ka hana wela kiʻekiʻe no ka manawa lōʻihi, ʻo ke kūpaʻa o ka pōʻaiapuni wela kekahi hōʻailona hana koʻikoʻi no nā mea hoʻomehana. Loaʻa i nā uhi SiC kahi coefficient hoʻonui wela haʻahaʻa a me ke kūpaʻa ikaika i ka haʻalulu wela, e hōʻemi ana i ka pilikia o ka haki ʻana a i ʻole ka delamination i ka wā o nā pōʻaiapuni hoʻomehana a me ka hoʻoluʻu pinepine ʻana. Kōkua kēia kūpaʻa i ka mālama ʻana i ke kūpaʻa uila mau a me ka pono hoʻomehana, e hōʻemi ana i ka drift kaʻina hana a hāʻawi i kahi puka makani kaʻina hana i ʻoi aku ka hiki ke hoʻomalu ʻia no ka hana nui ʻana.
Mai kahi kuanaʻike mālama, hāʻawi nā mea hoʻomehana i uhi ʻia me ka MOCVD SiC i kahi ola lawelawe lōʻihi loa i hoʻohālikelike ʻia me nā hopena keramika i uhi ʻole ʻia a i ʻole nā mea hana ʻē aʻe. ʻO ko lākou kūpaʻa kiʻekiʻe i ka pala e hiki ai iā lākou ke kū i nā kinoea mua like ʻole a me nā huahana hopena, e hōʻemi ana i ka alapine hoʻomaʻemaʻe a me nā manawa hoʻololi, e hoʻemi ana i ka manawa hana ʻole o nā lako, a me ka hāʻawi ʻana i ka throughput hana holoʻokoʻa kiʻekiʻe.
I ka hoʻomau ʻana o nā ʻenehana semiconductor hui i ka holomua i nā mānoanoa mana kiʻekiʻe a me nā nui wafer nui aʻe, ua kau ʻia nā koi e hoʻonui ana i ka like ʻana o ka mahana o ka mea hoʻomehana a me ka hilinaʻi lōʻihi. Me nā kaʻina hana uhi makua a me nā waiwai mea paʻa,Nā mea hoʻomehana i uhi ʻia me ka MOCVD SiCua lilo i mau ʻāpana koʻikoʻi i hoʻohana nui ʻia i nā lako epitaxial kiʻekiʻe, e hāʻawi ana i ke kākoʻo ikaika no nā kaʻina ulu epitaxial holomua.
Ka manawa hoʻouna: Ian-14-2026