ನೀಲಿ/ಹಸಿರು LED ಎಪಿಟಾಕ್ಸಿ

ಸಣ್ಣ ವಿವರಣೆ:

ಹುಟ್ಟಿದ ಸ್ಥಳ:ಚೀನಾ

ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ:FCCβ ಹಂತ

ಸಾಂದ್ರತೆ:3.21 ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ;

ಗಡಸುತನ:2500 ವಿಕರ್ಸ್;

ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ:2~10μm;

ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧತೆ:99.99995%;

ಶಾಖ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ:640ಜೆ·ಕೆಜಿ-1·ಕೆ-1;

ಉತ್ಪತನ ತಾಪಮಾನ:2700℃;

ಫೆಲೆಕ್ಸರಲ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ:415 ಎಂಪಿಎ (ಆರ್‌ಟಿ 4-ಪಾಯಿಂಟ್);

ಯಂಗ್‌ನ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್:430 GPa (4pt ಬೆಂಡ್, 1300℃);

ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ (CTE) :4.5 10-6 ಕೆ -1;

ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ:300 (ವಾಟ್/ಎಂಕೆ);

ನಮಗೆ ಇಮೇಲ್ ಕಳುಹಿಸಿ PDF ಆಗಿ ಡೌನ್‌ಲೋಡ್ ಮಾಡಿ

ಉತ್ಪನ್ನದ ವಿವರ

ಉತ್ಪನ್ನ ಟ್ಯಾಗ್‌ಗಳು

ಉತ್ಪನ್ನ ವಿವರಣೆ

ನಮ್ಮ ಕಂಪನಿಯು ಗ್ರ್ಯಾಫೈಟ್, ಸೆರಾಮಿಕ್ಸ್ ಮತ್ತು ಇತರ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ CVD ವಿಧಾನದ ಮೂಲಕ SiC ಲೇಪನ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ ಸೇವೆಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಕಾರ್ಬನ್ ಮತ್ತು ಸಿಲಿಕಾನ್ ಹೊಂದಿರುವ ವಿಶೇಷ ಅನಿಲಗಳು ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದಲ್ಲಿ ಪ್ರತಿಕ್ರಿಯಿಸಿ ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆಯ SiC ಅಣುಗಳನ್ನು ಪಡೆಯುತ್ತವೆ, ಲೇಪಿತ ವಸ್ತುಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಠೇವಣಿ ಇಡಲಾದ ಅಣುಗಳು SIC ರಕ್ಷಣಾತ್ಮಕ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುತ್ತವೆ.

ಮುಖ್ಯ ಲಕ್ಷಣಗಳು:

1. ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧ:

ತಾಪಮಾನವು 1600 C ಗಿಂತ ಹೆಚ್ಚಿರುವಾಗಲೂ ಆಕ್ಸಿಡೀಕರಣ ಪ್ರತಿರೋಧವು ಇನ್ನೂ ಉತ್ತಮವಾಗಿರುತ್ತದೆ.

2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಶುದ್ಧತೆ : ಹೆಚ್ಚಿನ ತಾಪಮಾನದ ಕ್ಲೋರಿನೀಕರಣ ಸ್ಥಿತಿಯಲ್ಲಿ ರಾಸಾಯನಿಕ ಆವಿ ಶೇಖರಣೆಯಿಂದ ತಯಾರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.

3. ಸವೆತ ನಿರೋಧಕತೆ: ಹೆಚ್ಚಿನ ಗಡಸುತನ, ಸಾಂದ್ರ ಮೇಲ್ಮೈ, ಸೂಕ್ಷ್ಮ ಕಣಗಳು.

4. ತುಕ್ಕು ನಿರೋಧಕತೆ: ಆಮ್ಲ, ಕ್ಷಾರ, ಉಪ್ಪು ಮತ್ತು ಸಾವಯವ ಕಾರಕಗಳು.

CVD-SIC ಲೇಪನದ ಮುಖ್ಯ ವಿಶೇಷಣಗಳು

SiC-CVD ಗುಣಲಕ್ಷಣಗಳು
ಸ್ಫಟಿಕ ರಚನೆ	FCC β ಹಂತ
ಸಾಂದ್ರತೆ	ಗ್ರಾಂ/ಸೆಂ ³	3.21
ಗಡಸುತನ	ವಿಕರ್ಸ್ ಗಡಸುತನ	2500 ರೂ.
ಧಾನ್ಯದ ಗಾತ್ರ	μm	2~10
ರಾಸಾಯನಿಕ ಶುದ್ಧತೆ	%	99.99995
ಶಾಖ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ	ಜೆ·ಕೆಜಿ-1 ·ಕೆ-1	640
ಉತ್ಪತನ ತಾಪಮಾನ	℃ ℃	2700 #2700
ಫೆಲೆಕ್ಸರಲ್ ಶಕ್ತಿ	MPa (RT 4-ಪಾಯಿಂಟ್)	415
ಯಂಗ್‌ನ ಮಾಡ್ಯುಲಸ್	ಜಿಪಿಎ (4 pt ಬಾಗುವಿಕೆ, 1300℃)	430 (ಆನ್ಲೈನ್)
ಉಷ್ಣ ವಿಸ್ತರಣೆ (CTE)	10-6 ಕೆ -1	4.5
ಉಷ್ಣ ವಾಹಕತೆ	(ವಾಟ್/ಮಾಸಿಕ)	300