Blua/Verda LED-Epitaksio

Mallonga Priskribo:

Originloko:Ĉinio

Kristala strukturo:FCCβ-fazo

Denseco:3,21 g/cm³;

Malmoleco:2500 Vickeroj;

Grengrandeco:2~10μm;

Kemia Pureco:99,99995%;

Varmokapacito:640J·kg⁻¹·K⁻¹;

Sublimiga temperaturo:2700℃;

Fleksa Forto:415 MPa (RT 4-punkta);

Modulo de Young:430 Gpa (4pt-kurbiĝo, 1300℃);

Termika Ekspansio (CTE):4.5 10-6K-1;

Termika Konduktiveco:300（V/MK）;

Sendu retpoŝton al ni Elŝuti kiel PDF

Produkta Detalo

Produktaj Etikedoj

Produkta Priskribo

Nia kompanio provizas servojn pri SiC-tegado per CVD-metodo sur la surfaco de grafito, ceramiko kaj aliaj materialoj, tiel ke specialaj gasoj enhavantaj karbonon kaj silicion reagas je alta temperaturo por akiri altpurecajn SiC-molekulojn, kiuj molekuloj deponiĝas sur la surfaco de la tegitaj materialoj, formante SIC-protektan tavolon.

Ĉefaj trajtoj:

1. Rezisto al oksidiĝo al alta temperaturo:

la oksidiĝa rezisto estas ankoraŭ tre bona kiam la temperaturo estas tiel alta kiel 1600 C.

2. Alta pureco: farita per kemia vapora deponado sub altaj temperaturoj de klorado.

3. Eroziorezisto: alta malmoleco, kompakta surfaco, fajnaj partikloj.

4. Kororezisto: acido, alkalo, salo kaj organikaj reakciiloj.

Ĉefaj Specifoj de CVD-SIC-Tegaĵo

SiC-CVD-Trajtoj
Kristala strukturo	FCC β fazo
Denseco	g/cm³	3.21
Malmoleco	Vickers-malmoleco	2500
Grengrandeco	μm	2~10
Kemia Pureco	%	99.99995
Varmokapacito	J·kg⁻¹ ·K⁻¹	640
Sublimada Temperaturo	℃	2700
Fleksa Forto	MPa (RT 4-punkta)	415
Modulo de Young	Gpa (4pt-kurbo, 1300℃)	430
Termika Ekspansio (CTE)	10-6K-1	4.5
Varmokondukteco	(W/mK)	300