Epitaksi LED ble/vèt

Deskripsyon kout:

Kote orijin:Lachin

Estrikti Kristal:Faz FCCβ

Dansite:3.21 g/cm3;

Dite:2500 Vickers;

Gwosè grenn:2 ~ 10μm;

Pite chimik:99.99995%;

Kapasite Chalè:640J·kg-1·K-1;

Tanperati Siblimasyon:2700℃;

Fòs fleksural:415 Mpa (RT 4-Pwen);

Modil Young lan:430 Gpa (koube 4pt, 1300℃);

Ekspansyon tèmik (CTE):4.5 10-6K-1;

Konduktivite tèmik:300 (W/MK);

Voye yon imèl ban nou Telechaje kòm PDF

Detay pwodwi

Etikèt pwodwi yo

Deskripsyon pwodwi

Konpayi nou an bay sèvis pwosesis kouch SiC pa metòd CVD sou sifas grafit, seramik ak lòt materyèl, pou gaz espesyal ki gen kabòn ak silikon reyaji nan tanperati ki wo pou jwenn molekil SiC ki gen gwo pite, molekil yo depoze sou sifas materyèl ki kouvri yo, pou fòme yon kouch pwoteksyon SIC.

Karakteristik prensipal yo:

1. Rezistans oksidasyon tanperati ki wo:

Rezistans oksidasyon an toujou trè bon lè tanperati a rive jiska 1600 C.

2. Pite segondè: fèt pa depo vapè chimik anba kondisyon klorinasyon tanperati ki wo.

3. Rezistans ewozyon: gwo dite, sifas kontra enfòmèl ant, patikil amann.

4. Rezistans korozyon: asid, alkali, sèl ak reyaktif òganik.

Espesifikasyon prensipal kouch CVD-SIC la

Pwopriyete SiC-CVD
Estrikti Kristal	Faz FCC β
Dansite	g/cm³	3.21
Dite	Dite Vickers	2500
Gwosè grenn	μm	2~10
Pite chimik	%	99.99995
Kapasite Chalè	J·kg-1 ·K-1	640
Tanperati Siblimasyon	℃	2700
Fòs Fleksiral	MPa (RT 4 pwen)	415
Modil Young lan	Gpa (koube 4pt, 1300℃)	430
Ekspansyon tèmik (CTE)	10-6K-1	4.5
Konduktivite tèmik	(W/mK)	300