CVD (Depositio Vaporis Chemici) est methodus vulgo adhibita ad tunicas carburi silicii praeparandas.Tegumenta carburi silicii CVDMultas proprietates singulares habent. Hic articulus modum praeparationis obductionis carburi silicii CVD eiusque proprietates praesentabit.
1. Modus praeparationisTegumentum carburi silicii CVD
Methodus CVD (Decompositionis Vaporis Chronologici) praecursores gasosos in solida obducta carburi silicii sub condicionibus altae temperaturae convertit. Secundum diversos praecursores gasosos, in CVD phasis gasosae et CVD phasis liquidae dividi potest.
1. Depositio vaporis in phase vaporis
Depositio vaporis vaporis (CVD) praecursores gasosos, plerumque composita organosiliconica, ad incrementum pellicularum carburi silicii efficiendum adhibet. Inter composita organosiliconica vulgo adhibita sunt methylsilanum, dimethylsilanum, monosilanum, etc., quae pelliculas carburi silicii in substratis metallicis formant, praecursores gasosos in cameras reactionis altae temperaturae transportando. Areae altae temperaturae in camera reactionis plerumque per calefactionem inductionis vel calefactionem resistivam generantur.
2. Depositio vaporum carbonatorum in phase liquida
Depositio vaporum carbonatorum (CVD) in phasis liquida utitur praecursore liquido, plerumque solvente organico silicium et compositum silanol continente, qui in camera reactionis calefacitur et vaporizatur, deinde pellicula silicii carburi in substrato per reactionem chemicam formatur.
2. Proprietates functionisTegumentum carburi silicii CVD
1. Excellens effectus altae temperaturae
Tegumenta carburi silicii CVDExcellentem stabilitatem altae temperaturae et resistentiam oxidationis offerunt. Aptum est ad operandum in ambitu altae temperaturae et ad condiciones extremas sub temperaturis altis tolerandas.
2. Bonae proprietates mechanicae
Tegumentum carburi silicii CVDDuritiem magnam et resistentiam bonam attritioni praebet. Substrata metallica a detritione et corrosione protegit, vitam utilem materiae extendens.
3. Excellens stabilitas chemica
Tegumenta carburi silicii CVDSunt chemicis communibus, ut acidis, alcalibus et salibus, valde resistunt. Impetui chemico et corrosioni substrati resistit.
4. Coefficiens frictionis humilis
Tegumentum carburi silicii CVDCoefficiens frictionis humile et bonas proprietates autolubricantes habet. Frictionem et detritionem minuit et efficaciam usus materiae auget.
5. Bona conductivitas thermalis
Tegumentum carburi silicii CVD bonas proprietates conductivitatis thermalis habet. Cito calorem conducere et efficaciam dissipationis caloris in basi metallica augere potest.
6. Proprietates insulationis electricae excellentes
Tegumentum carburi silicii CVD bonas proprietates insulationis electricae habet et effusionem currentis impedire potest. Late in protectione insulationis instrumentorum electronicorum adhibetur.
7. Crassitudo et compositio adaptabiles
Conditionibus per processum CVD et concentratione praecursoris moderatis, crassitudo et compositio pelliculae carburi silicii aptari possunt. Hoc multas optiones et flexibilitatem pro variis applicationibus praebet.
Breviter, obductio CVD carburi silicii praeclara perfunctio in temperaturis altis, proprietates mechanicas excellentes, bonam stabilitatem chemicam, coefficientem frictionis humilem, bonam conductivitatem thermalem et proprietates insulationis electricae habet. Hae proprietates obductiones CVD carburi silicii late in multis campis, inter quos electronica, optica, industria aerospatialis, industria chemica, et cetera, adhiberi faciunt.
Tempus publicationis: Martii XX, MMXXIV