Nuntii

  • Materiae campi thermalis vulgares: materiae compositae C/C

    Materiae campi thermalis vulgares: materiae compositae C/C

    Composita carbonio-carbonio genus compositorum fibrae carbonis sunt, fibra carbonis ut materia firmans et carbone deposito ut materia matricis. Matrix compositorum C/C est carbonium. Cum fere tota ex carbone elementari composita sit, excellentem resistentiam altae temperaturae habet...
    Plura lege
  • Tres artes praecipuae ad accretionem crystallorum SiC

    Tres artes praecipuae ad accretionem crystallorum SiC

    Ut in Figura 3 demonstratur, tres sunt principales rationes quae SiC singulare crystallum qualitate et efficacia praebere student: epitaxia phasis liquidae (LPE), transportatio vaporis physica (PVT), et depositio vaporis chemici altae temperaturae (HTCVD). PVT est processus bene stabilitus ad SiC sin... producendum.
    Plura lege
  • Brevis introductio de GaN semiconductore tertiae generationis et technologia epitaxiali affini

    Brevis introductio de GaN semiconductore tertiae generationis et technologia epitaxiali affini

    1. Semiconductores tertiae generationis Technologia semiconductorum primae generationis in materiis semiconductoribus ut Si et Ge elaborata est. Haec est basis materialis pro evolutione transistorum et technologiae circuituum integratorum. Materiae semiconductorum primae generationis posuerunt...
    Plura lege
  • Suzhouensis superunicornis, pretio 23.5 miliardorum dollariorum, in mercatum publicum primum emitur.

    Suzhouensis superunicornis, pretio 23.5 miliardorum dollariorum, in mercatum publicum primum emitur.

    Post novem annos negotiorum gerendorum, Innoscience plus quam sex miliarda Yuan in summa pecuniae mutuatae collegit, et aestimatio eius ad miram 23.5 miliarda Yuan pervenit. Index investorum tam longus est quam duodecim societates: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...
    Plura lege
  • Quomodo producta carburo tantali obducta resistentiam corrosionis materiarum augent?

    Quomodo producta carburo tantali obducta resistentiam corrosionis materiarum augent?

    Tegumentum carburi tantali est technologia tractationis superficiei vulgo adhibita quae resistentiam corrosionis materiarum insigniter augere potest. Tegumentum carburi tantali superficiei substrati per varias methodos praeparationis, ut depositionem vaporis chemici, physicam...
    Plura lege
  • Introductio ad GaN semiconductorem tertiae generationis et technologiam epitaxialem affinem

    Introductio ad GaN semiconductorem tertiae generationis et technologiam epitaxialem affinem

    1. Semiconductores tertiae generationis Technologia semiconductorum primae generationis in materiis semiconductoribus ut Si et Ge elaborata est. Haec est basis materialis pro evolutione transistorum et technologiae circuituum integratorum. Materiae semiconductorum primae generationis fundamentum posuerunt...
    Plura lege
  • Studium simulationis numericae de effectu graphiti porosi in incrementum crystallorum carburi silicii

    Studium simulationis numericae de effectu graphiti porosi in incrementum crystallorum carburi silicii

    Processus fundamentalis accretionis crystalli SiC dividitur in sublimationem et decompositionem materiarum rudis ad altam temperaturam, translationem substantiarum phasis gaseosae sub actione gradientis temperaturae, et accretionem recrystallizationis substantiarum phasis gaseosae ad crystallum seminis. His innixi,...
    Plura lege
  • Genera Graphitis Specialis

    Genera Graphitis Specialis

    Graphite specialis est materia graphitae magnae puritatis, densitatis et firmitatis, et praeclaram resistentiam corrosionis, stabilitatem altae temperaturae, et magnam conductivitatem electricam habet. Ex graphite naturali vel artificiali, post curationem caloris altae temperaturae et tractationem altae pressionis, fit...
    Plura lege
  • Analysis instrumentorum ad deponendum pelliculas tenues – principia et applicationes instrumentorum PECVD/LPCVD/ALD

    Analysis instrumentorum ad deponendum pelliculas tenues – principia et applicationes instrumentorum PECVD/LPCVD/ALD

    Depositio pelliculae tenuis est stratum pelliculae in materia substrati principalis semiconductoris obducere. Haec pellicula ex variis materiis fieri potest, ut ex dioxido silicii composito insulante, polysilicio semiconductoris, cupro metallico, et cetera. Instrumentum ad obductionem adhibitum depositio pelliculae tenuis appellatur...
    Plura lege
Colloquium WhatsApp Interretiale!