Nuntii

Partes semiconductrices – basis graphita SiC obducta
ab administratore die XXIII mensis Augusti anni MMIV
Bases graphitae SiC obductae vulgo adhibentur ad substrata monocrystallina sustentanda et calefacienda in apparatu depositionis vaporis chemici metallo-organici (MOCVD). Stabilitas thermalis, uniformitas thermalis, et alii parametri functionis basis graphitae SiC obductae partes decisivas agunt in qualitate epi...
Plura lege
Cur silicium ut frustum semiconductorium?
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXXI
Semiconductor est materia cuius conductivitas electrica in temperatura ambiente inter conductivitatem conductoris et insulatoris est. Sicut filum cupreum in vita cotidiana, filum aluminii conductor est, et gummi insulator. Ex prospectu conductivitatis: semiconductor ad conductivitatem refertur...
Plura lege
Effectus sinterizationis in proprietates ceramicarum zirconiae
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXIV
Effectus sinterizationis in proprietates ceramicae zirconiae. Ut genus materiae ceramicae, zirconium magnam firmitatem, magnam duritiem, bonam resistentiam attritioni, resistentiam acidis et alcali, resistentiam altae temperaturae et alias proprietates excellentes habet. Praeterquam quod late in agro industriali adhibetur,...
Plura lege
Partes semiconductrices – basis graphita SiC obducta
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXIV
Bases graphitae SiC obductae vulgo adhibentur ad substrata monocrystallina sustentanda et calefacienda in apparatu depositionis vaporis chemici metallo-organici (MOCVD). Stabilitas thermalis, uniformitas thermalis, et alii parametri functionis basis graphitae SiC obductae partes decisivas agunt in qualitate epi...
Plura lege
Materia principalis clavis crescentiae sic perruptivae
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXI
Cum crystallus carburi silicii crescit, "ambitus" interfaciei accretionis inter centrum axialem crystalli et marginem differt, ita ut tensio crystalli in margine crescat, et margine crystalli facile "defectus comprehensivos" propter inf...
Plura lege
Quomodo carburum silicii per reactionem sinteratum producitur?
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXI
Reactio carburi silicii sinterizandi methodus magni momenti est ad materias ceramicas altae efficaciae producendas. Haec methodus tractationem calorem fontium carbonis et silicii ad altas temperaturas adhibet ut reagant ad ceramicas carburi silicii formandas. 1. Praeparatio materiarum rudis. Materiae rudis r...
Plura lege
Navicula crystallina carburi silicii, materia nova carburi silicii vim magnam affert
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno XXI
Navicula crystallina e carburo silicii est technologia perquam nova, quae modum fabricationis traditionalem mutavit. Carburum silicii et alia coniungere potest ut structuram valde firmam formet, quae efficacitatem processus fabricationis efficaciter augere potest, et magnopere...
Plura lege
Usus et mercatus tegumenti carburi tantalii
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno MMXVIII
Durities carburi tantalici, punctum liquefactionis altum, effectus temperaturae altae, praecipue ut additivum carburi cementati adhibetur. Durities thermalis, resistentia ictui thermali et resistentia oxidationis thermalis carburi cementati significanter augeri possunt per augmentum magnitudinis granorum carburi tantalici...
Plura lege
Clientes externi officinas productionis veterinariae visitant.
ab administratore die XXIII mensis Iulii, anno MMXIV

Plura lege