Cum crystallus carburi silicii crescit, "ambitus" interfaciei accretionis inter centrum axialem crystalli et marginem differt, ita ut tensio crystalli in margine crescat, et margo crystalli facile "defectus comprehensivos" producit propter influxum anuli terminalis graphiti "carbonii". Quomodo problema marginis solvatur vel aream effectivam centri augeatur (plus quam 95%) res technica magni momenti est.
Cum vitia macro, ut "microtubuli" et "inclusiones", ab industria gradatim regantur, crystallos carburi silicii "celeriter, longi et crassi, et in altum crescere provocantes", vitia "comprehensiva" marginis abnormaliter prominentia fiunt, et cum incremento diametri et crassitudinis crystallorum carburi silicii, vitia "comprehensiva" marginis per quadratum diametri et crassitudinem multiplicabuntur.
Usus obductionis TaC e carburo tantali destinatur ad solvendum problema marginis et ad qualitatem accretionis crystallorum emendandam, quae una ex principalibus directionibus technicis "celeriter crescere, densius crescere et crescere" est. Ut progressus technologiae industrialis promoveatur et dependentia "importationis" materiarum principalium solvatur, Hengpu perruptionem fecit in technologia obductionis carburi tantali (CVD) et ad gradum provectum internationalem pervenit.
Obductio TaC e carburo tantali, ex prospectu efficiendi, non difficilis est, sed per sinterizationem, CVD, aliasque methodos facile efficitur. Methodus sinterizationis, utens pulvere vel praecursore carburi tantali, additis ingredientibus activis (plerumque metallo) et glutine (plerumque polymero catenae longae), superficiei substrati graphiti, quod alta temperatura sinterizatum est, applicatur. Methodo CVD, TaCl5+H2+CH4 in superficie matricis graphiti inter 900-1500℃ depositum est.
Attamen, parametri fundamentales, ut orientatio crystalli depositionis carburi tantali, crassitudo uniformis pelliculae, emissio tensionis inter stratum et matricem graphiti, fissurae superficiales, etc., difficillimi sunt. Praesertim in ambitu crescentiae crystalli sic, vita utilis stabilis est parametrus principalis, quod difficillimum est.
Tempus publicationis: XXI Iulii, MMXXIII