Bases graphitae SiC obductae vulgo adhibentur ad substrata monocrystallina sustentanda et calefacienda in apparatu depositionis vaporis chemici metallo-organici (MOCVD). Stabilitas thermalis, uniformitas thermalis, et alii parametri functionis basis graphitae SiC obductae partes decisivas agunt in qualitate accretionis materiae epitaxialis, itaque est pars principalis apparatus MOCVD.
In processu fabricationis crustularum, strata epitaxialia ulterius in quibusdam substratis crustularum construuntur ad fabricationem instrumentorum faciliorem reddendam. Typica instrumenta lucis emittentia LED strata epitaxialia GaAs in substratis silicii praeparare debent; stratum epitaxiale SiC in substrato SiC conductivo crescit ad constructionem instrumentorum sicut SBD, MOSFET, etc., ad altam tensionem, altam currentem et alias applicationes potentiae; stratum epitaxiale GaN in substrato SiC semi-insulato construitur ad ulterius construendum HEMT et alia instrumenta ad applicationes RF sicut communicationem. Hic processus ab apparatu CVD inseparabilis est.
In apparatu CVD, substratum non directe in metallo poni potest, nec simpliciter in basi ad depositionem epitaxialem collocari, quia fluxum gasis (horizontalem, verticalem), temperaturam, pressionem, fixationem, emissionem polluentium, aliasque rationes factores influentes implicat. Quapropter necesse est basi uti, deinde substratum in disco ponere, et deinde technologiam CVD ad depositionem epitaxialem in substrato, quod est basis graphita SiC obducta (etiam ferculum appellata), adhibere.
Bases graphitae SiC obductae vulgo adhibentur ad substrata monocrystallina sustentanda et calefacienda in apparatu depositionis vaporis chemici metallo-organici (MOCVD). Stabilitas thermalis, uniformitas thermalis, et alii parametri functionis basis graphitae SiC obductae partes decisivas agunt in qualitate accretionis materiae epitaxialis, itaque est pars principalis apparatus MOCVD.
Depositio vaporis chemici metallo-organici (MOCVD) est technologia vulgaris ad accretionem epitaxialem pellicularum GaN in luminibus caeruleis LED. Commodis habet operationis simplicis, accretionis celeritatis moderatae, et puritatis magnae pellicularum GaN. Ut pars magni momenti in camera reactionis apparatus MOCVD, basis fulcri ad accretionem epitaxialem pellicularum GaN adhibita debet habere commoda resistentiae altae temperaturae, conductivitatis thermalis uniformis, bonae stabilitatis chemicae, resistentiae fortis ictui thermali, et cetera. Materia graphita his condicionibus satisfacere potest.
Basis graphita, ut unum ex principalibus componentibus apparatus MOCVD, est vector et corpus calefaciens substrati, quod directe uniformitatem et puritatem materiae pelliculae determinat, ita qualitas eius directe apparatum laminae epitaxialis afficit, et simul, cum incremento numeri usuum et mutatione condicionum laboris, facillime induitur, inter res consumibiles pertinens.
Quamquam graphitus optimam conductivitatem thermalem et stabilitatem habet, bonum commodum habet ut pars basis apparatuum MOCVD, sed in processu productionis, graphitus pulverem corrodet propter residua gasorum corrosivorum et materiarum organicarum metallicarum, et vita utilis basis graphiti valde minuetur. Simul, pulvis graphiti cadens pollutionem lamellae inferet.
Technologiae obductionis ortae fixationem pulveris superficialis praebere, conductivitatem thermalem augere, et distributionem caloris aequare possunt, quae technologia principalis ad hanc quaestionem solvendam facta est. Basis graphitae in ambitu usus apparatus MOCVD, obductio superficialis basis graphitae his notis satisfacere debet:
(1) Basis graphitae plene involvi potest, et densitas bona est, alioquin basis graphitae facile in gase corrosivo corroditur.
(2) Robur coniunctum cum basi graphita alta est ut obductio non facile excidat post plures cyclos temperaturae altae et temperaturae humilis.
(3) Bona stabilitas chemica habet ad vitandam defectum strati in alta temperatura et atmosphaera corrosiva.
SiC commoda habet resistentiae corrosionis, altae conductivitatis thermalis, resistentiae ictuum thermalium, et altae stabilitatis chemicae, et bene operari potest in atmosphaera epitaxiali GaN. Praeterea, coefficiens expansionis thermalis SiC parum differt a coefficiente graphiti, ita SiC est materia praeferenda ad superficiem basis graphiti tegendam.
In praesenti, SiC vulgare praecipue est typus 3C, 4H, et 6H, et usus SiC diversorum generum crystallorum differunt. Exempli gratia, 4H-SiC instrumenta magnae potentiae fabricare potest; 6H-SiC est stabilissimus et instrumenta photoelectrica fabricare potest; propter structuram similem GaN, 3C-SiC ad producendum stratum epitaxiale GaN et ad fabricanda instrumenta RF SiC-GaN adhiberi potest. 3C-SiC etiam vulgo β-SiC notum est, et usus magni momenti β-SiC est ut pellicula et materia obducens, ita β-SiC nunc est materia principalis ad obductionem.
Tempus publicationis: IV Augusti, MMXXIII