ニュース

半導体部品 – SiCコーティングされたグラファイトベース
管理者による投稿（2004年8月23日）
SiCコーティングされたグラファイト基板は、金属有機化学気相成長（MOCVD）装置において、単結晶基板の支持および加熱に一般的に使用されています。SiCコーティングされたグラファイト基板の熱安定性、熱均一性、およびその他の性能パラメータは、エピタキシャル成長の品質に決定的な役割を果たします。
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半導体チップとしてシリコンが選ばれる理由とは？
管理者による投稿（2023年7月31日）
半導体とは、室温における電気伝導率が導体と絶縁体の中間の値を示す物質のことです。日常生活で銅線が導体であるのに対し、アルミニウム線は導体であり、ゴムは絶縁体です。伝導性の観点から言えば、半導体とは導電性を持つ物質を指します。
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ジルコニアセラミックスの特性に及ぼす焼結の影響
管理者による投稿（2024年7月23日）
ジルコニアセラミックスの特性に対する焼結の影響セラミック材料の一種であるジルコニアは、高強度、高硬度、優れた耐摩耗性、耐酸性・耐アルカリ性、耐高温性などの優れた特性を有しています。工業分野で広く使用されているだけでなく、...
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半導体部品 – SiCコーティングされたグラファイトベース
管理者による投稿（2024年7月23日）
SiCコーティングされたグラファイト基板は、金属有機化学気相成長（MOCVD）装置において、単結晶基板の支持および加熱に一般的に使用されています。SiCコーティングされたグラファイト基板の熱安定性、熱均一性、およびその他の性能パラメータは、エピタキシャル成長の品質に決定的な役割を果たします。
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画期的な成長の鍵となるコア素材
管理者による投稿（2021年7月23日）
炭化ケイ素結晶が成長する際、結晶の軸中心と端部との間の成長界面の「環境」が異なるため、端部にかかる結晶応力が増加し、結晶端部に「総合的な欠陥」が発生しやすくなります。
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反応焼結法で製造される炭化ケイ素はどのように作られるのですか？
管理者による投稿（2021年7月23日）
反応焼結法による炭化ケイ素は、高性能セラミック材料を製造するための重要な方法です。この方法は、炭素源とケイ素源を高温で熱処理し、反応させて炭化ケイ素セラミックスを形成します。1. 原料の準備。反応焼結法の原料は、…
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炭化ケイ素結晶ボート、革新的な素材炭化ケイ素が強力なパワーをもたらす
管理者による投稿（2021年7月23日）
炭化ケイ素結晶ボートは、従来の製造方法を変革する非常に斬新な技術です。炭化ケイ素などを組み合わせて非常に緻密な構造を形成することができ、製造プロセスの効率を効果的に向上させ、大幅な改善を実現できます。
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炭化タンタルコーティングの用途と市場
管理者による投稿（2018年7月23日）
炭化タンタルは、硬度、高融点、高温性能に優れ、主に超硬合金の添加剤として使用されます。炭化タンタルの粒径を大きくすることで、超硬合金の耐熱硬度、耐熱衝撃性、耐熱酸化性を大幅に向上させることができます。
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海外の顧客が獣医薬製造工場を訪問
管理者による投稿（2014年7月23日）

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