Graphita isostatica materia magni momenti est in photovoltaicis et semiconductoribus. Cum celeriter societates domesticae graphitae isostaticae ascenserint, monopolium societatum externarum in Sinis fractum est. Continuis investigationibus et progressionibus independentibus necnon progressibus technologicis, indices perfunctionis aliquorum productorum nostrorum principalium pares sunt vel etiam meliores quam iis competitorum internationalium. Tamen, propter duplicem vim pretiorum materiarum rudis cadentium et reductionum sumptuum a clientibus finalibus, pretia perpetuo decrescunt. Nunc, lucra productorum domesticorum viliorum minus quam 20% sunt. Cum continua liberatione capacitatis productionis, novae pressiones et provocationes gradatim societatibus graphitae isostaticae afferunt.
1. Quid est graphitus isostaticus?
Graphita isostatica ad materias graphitae per pressionem isostaticam productas refertur. Quia graphita isostatice pressa a pressione liquidi per processum formationis uniformiter et constanter premitur, materia graphita producta proprietates excellentes habet. Ab ortu suo annis 1960, graphita isostatica inter novas materias graphitae dux facta est propter proprietates suas singulares et latam applicationum varietatem.
2. Processus productionis graphiti isostatici
Ordo processus productionis graphiti isostatice pressi in figura monstratur. Graphitus isostaticus materias primas structuraliter isotropicas requirit. Materiae primae in pulveres subtiliores terendae sunt. Technologia pressandi isostatici adhibenda est. Cyclus torrefactionis longissimus est. Ad densitatem destinatam assequendam, plures cycli impregnationis et torrefactionis requiruntur. Tempus graphitizationis etiam multo longius est quam graphiti ordinarii.
3. Applicatio graphiti isostatici
Graphitus isostaticus latam applicationum varietatem habet, praesertim in campis semiconductorum et photovoltaicorum.
In agro photovoltaico, graphitus isostatice pressatus praecipue adhibetur in componentibus graphitis in agro thermali graphitis in furnis accretionis silicii monocrystallini et in agro thermali graphitis in furnis lingotum silicii polycrystallini. Speciatim, fibulae ad productionem materiae silicii polycrystallini, distributores gasorum pro furnis hydrogenationis, elementa calefacientia, cylindri insulationis et calefactores lingotum polycrystallini, blocci directionales, necnon tubi ductores ad accretionem monocrystallini et alias partes minores magnitudines.
In agro semiconductorum, calefactores et cylindri insulationis ad accretionem monocrystalli sapphirini vel graphitum isostaticum vel graphitum fusum uti possunt. Praeterea, aliae partes, ut crucibula, calefactores, electrodi, laminae insulationis caloris et crystalli seminales. Circa triginta genera sustentaculorum, bases crucibulorum rotantium, variae laminae circulares, et laminae reflexionis caloris ex graphito isostatice pressum fiunt.
Tempus publicationis: VI Maii, MMXXIV