Stratum/obductum SiC substrati graphiti pro semiconductoribus, ferculis graphitis, susceptoribus epitaxiae SiC graphitis

Descriptio Brevis:


  • Locus Originis:Zhejiang, China (Mainland)
  • Numerus Modeli:Numerus Modeli:
  • Compositio Chemica:Graphite SiC obducto
  • Robur flexurale:470Mpa
  • Conductivitas thermalis:300 W/mK
  • Qualitas:Perfectus
  • Functio:CVD-SiC
  • Applicatio:Semiconductor/Photovoltaicus
  • Densitas:3.21 g/cc
  • Expansio thermalis:4 10-6/K
  • Cinis: <5ppm
  • Exemplum:Disponibile
  • Codex HS:6903100000
  • Detalia Producti

    Etiquettae Productarum

    Stratum/obductum SiC substrati graphiti pro semiconductoribus, ferculis graphitidis, SiC graphitisusceptores epitaxiae,
    Carbonium suppeditat susceptores, susceptores epitaxiae, Susceptores Graphitici, Epitaxia SiC, substrata sustentantia,
    Vectores Graphite Obducti SiC

    Descriptio Producti

    Tolerantias arctissimas adhibemus cum stratum SiC applicamus, machinatione summae praecisionis ut figuram susceptoris uniformem efficiamus. Materias etiam cum proprietatibus resistentiae electricae idealibus ad usum in systematibus calefactis inductive producimus. Omnes partes perfectae cum certificato puritatis et obsequii dimensionalis veniunt.

    Societas nostra officia processus obductionis SiC per methodum CVD in superficiebus graphiti, ceramicis, aliarumque materiarum praebet, ut gases speciales, carbonem et silicium continentes, alta temperatura reagant ad moleculas SiC altae puritatis obtinendas, quae moleculae in superficie materiarum obductarum deponuntur, stratum SIC protectivum formantes. SIC formatum firmiter basi graphiti adhaeret, basi graphiti proprietates speciales tribuens, ita superficiem graphiti compactam, sine porositate, resistentem altae temperaturae, corrosioni, et oxidationi reddit.

    Processus CVD (CVD) puritatem altissimam et densitatem theoreticam obductionis SiC sine ulla porositate praebet. Praeterea, cum carburum silicii durissimum sit, in superficiem speculi poliri potest. Obductio CVD carburi silicii (SiC) plura commoda praebet, inter quae superficiem purissimam et durabilitatem ad detritionem summam. Cum producta obducta optimam praestent efficaciam in alto vacuo et alta temperatura, aptissima sunt ad usus in industria semiconductorum et aliis ambitibus purissimis. Praebemus etiam producta graphiti pyrolytici (PG).

    Proprietates principales:

    1. Resistentia oxidationis altae temperaturae:

    Resistentia oxidationis adhuc optima est cum temperatura usque ad 1600°C alta pervenit.

    2. Alta puritas: facta per depositionem vaporis chemici sub condicione chlorinationis altae temperaturae.

    3. Resistentia erosionis: alta duritia, superficies compacta, particulae tenues.

    4. Resistentia corrosionis: acidum, alcali, sal et reagentia organica.

    Specificationes principales tegumentorum CVD-SIC:

    SiC-CVD

    Densitas

    (g/cc)

    3.21

    Robur flexurale

    (Mpa)

    470

    Expansio thermalis

    (10-6/K)

    4

    Conductivitas thermalis

    (W/mK)

    trecenti

    Applicatio: Obductio carburi silicii CVD iam in industriis semiconductorum adhibita est, ut in alveo MOCVD, RTP et camera corrosionis oxidi, cum nitridum silicii magnam resistentiam ictuum thermalium habeat et plasmam altae energiae sustinere possit.
    Carburum silicii late in semiconductoribus et obductionibus adhibetur.

    Facultatem Suppletoriam:

    10000 frustum/frustula per mensem
    Involucrum et Traditio:
    Involucrum: Involucrum Standard et Forte
    Saccus polyethylenus + Arca + Carton + Pallet
    Portus:
    Ningbo/Shenzhen/Shanghai
    Tempus Ducendi:

    Quantitas (Partes) 1 – 1000 >1000
    Tempus Aestimatum (dies) 15 Ad negotiandum

     

    Informationes Societatis

    111

    Instrumenta Officinae

    222

    Horreum

    333

    Certificationes

    Certificationes22

    Quaestiones Frequentes

    Q1: Quae sunt pretia vestra?
    Pretia nostra mutationibus obnoxia sunt propter copiam et alias res mercatus. Indicem pretiorum renovatum tibi mittemus postquam societas tua nobiscum contactaverit pro pluribus informationibus.
    Q2: Habesne quantitatem minimam ordinis?
    Ita, omnes ordines internationales quantitatem minimam continuam habere postulamus.
    Q3: Num documenta pertinentia praebere potes?
    Ita, pleraque documenta praebere possumus, inter quae Certificata Analyseos/Conformitatis; Assicurationem; Originem, et alia documenta exportationis ubi requiruntur.
    Q4: Quod est tempus ductionis medium?
    Pro exemplaribus, tempus praeparationis est circiter septem dies. Pro productione magna, tempus praeparationis est XV-XXV dies post acceptum depositum. Tempora praeparationis valent cum depositum tuum accepimus et approbationem finalem pro productis tuis habemus. Omnibus casibus conabimur necessitatibus tuis satisfacere. Plerumque id facere possumus.
    Q5: Quas rationes solutionis accipitis?
    Solutionem ad rationem argentariam nostram, Western Union, aut PayPal facere potes:
    Depositum 30% ante tempus, reliquum 70% ante vecturam vel contra exemplum B/L.
    Q6: Quid est praestatio producti?
    Materias et opus nostrum spondemus. Nostra obligatio est tibi satisfactionem cum productis nostris. Sive spondeatur sive non, cultura societatis nostrae est omnes difficultates clientium tractare et solvere ad omnium satisfactionem.
    Q7: Num tutam et securam mercium traditionem spondetis?
    Ita, semper utimur involucris exportationis altae qualitatis. Utimur etiam involucris specialibus ad periculum pertinentibus pro rebus periculosis et vectoribus probatis ad frigida conservanda pro rebus temperaturae sensibilibus. Involucra specialia et requisita involucri non consueta pretium additum habere possunt.
    Q8: Quid de sumptibus vecturae?
    Sumptus vecturae a via quam res accipiendi elegeris pendet. Express plerumque via celerrima sed etiam carissima est. Vectura maritima optima solutio est magnis quantitatibus. Pretia vecturae exacta tibi dare possumus tantum si singula quantitatis, ponderis et viae scimus. Quaeso, nobiscum contactum fac pro pluribus informationibus.

     


  • Praecedens:
  • Deinde:

  • Colloquium WhatsApp Interretiale!