Ⅰ. Fampidirana
Seramika Silikônina Karbida Misy Porofo (SiC Misy Porofo)dia fitaovana seramika mandroso izay mampifangaro ny toetra miavaka amin'ny karbida silikônina miaraka amin'ny rafitra porous namboarina tamim-pitandremana. Tsy toy ny seramika SiC matevina, ny SiC porous dia mampiditra mason-koditra mifamatotra izay manome asa fanampiny, anisan'izany ny permeability voafehy, ny famolavolana maivana, ny insulation mafana, ary ny fahafaha-mitatitra ranoka nohatsaraina.
Noho ny fahamarinan-toerana ara-hafanana, ny fanoherana simika ary ny fahatokisana mekanika tena tsara, ny seramika SiC misy porous dia lasa zava-dehibe hatrany amin'ny indostrian'ny mari-pana avo, indrindra ny famokarana semiconductor, izay mitaky fahadiovana avo lenta, fanoherana ny harafesina ary fahamarinan-toerana maharitra ny tontolo iainana fanodinana.
II. Toetran'ny akora ampiasaina amin'ny seramika karbida silikônina misy lavaka kely
1. Fahamarinan'ny mari-pana avo
Ny karbida silikônina dia fantatra amin'ny fahombiazany tsara dia tsara amin'ny mari-pana tafahoatra noho ny fifamatorany matanjaka amin'ny Si-C covalent. Ny SiC porous dia mitazona ny fahamarinan'ny rafitra amin'ny tontolo iainana avo lenta, ka mahatonga azy io ho mety amin'ny fanodinana hafanana semiconductor, rafitra epitaxy, ary singa ao amin'ny lafaoro.
Ny fahaizany mivelatra ara-hafanana ambany sy ny fanoherany tsara ny dona ara-hafanana dia manampy amin'ny fampihenana ny fiovaovan'ny endrika sy fanatsarana ny fahamarinan'ny dingana.
2. Fanoherana simika sy plasma ambony
Ny fanamboarana semiconductor dia misy entona mahery vaika sy tontolo plasma, anisan'izany ny entona mifototra amin'ny klôro, plasma fluorine, ary atmosfera mihetsika amin'ny mari-pana avo.
Ireto avy ny karazana seramika SiC porous azo ampiasaina:
- Fanoherana oksidasiona tsara dia tsara
- Faharetan'ny simika avo lenta
- Fanoherana mahery vaika ny fahasimban'ny plasma
- Toetra mampiavaka ny fahalotoana ambany
Ireo tombony ireo dia manampy amin'ny fampihenana ny famokarana poti-javatra sy manalava ny androm-piainan'ny singa ao amin'ny fitaovana semiconductor.
3. Porosity sy Permeability Gas voafehy
Ny tombony lehibe amin'ny SiC misy pores dia ny firafitry ny mason-koditra azo amboarina. Amin'ny alàlan'ny fanaraha-maso ny haben'ny mason-koditra, ny fizarana ary ny fifandraisana, dia afaka manatsara ny fifandanjana eo amin'ny tanjaka mekanika sy ny permeability ireo mpanamboatra.
Ity endri-javatra miavaka ity dia ahafahan'ny SiC porous miasa toy izao:
- Fitaovana fanaparitahana entona
- Rafitra fanivanana
- Singa fitantanana hafanana
Ⅲ. Teknolojia fanodinana seramika misy karbida silikônina misy lavaka
Ny fahombiazan'ny seramika SiC misy porous dia miankina betsaka amin'ny fomba fanamboarana sy ny famolavolana microstructure.
Fampihenana ny hafanana amin'ny karbôna
Ity dingana nentim-paharazana ity dia mamokatra SiC misy porous amin'ny alàlan'ny fihetsika amin'ny mari-pana avo lenta eo amin'ny fitaovana misy silikônina sy ny loharanon'ny karbônina. Izany dia ahafahana mamorona rafitra SiC madio avo lenta miaraka amin'ny fahamarinan-toerana ara-hafanana tsara dia tsara.
Sintering dingana ranoka
Mampiasa akora fanampiny ny sintering amin'ny dingana ranoka mba hanatsarana ny fifamatorana sy ny fanamafisana ny poti-javatra. Amin'ny alàlan'ny fanitsiana ny mari-pana sintering sy ny simia akora fanampiny, dia afaka mahazo tanjaka mekanika sy fizarana mason-koditra tsara indrindra ireo mpanamboatra.
Fidiran'ny etona simika (CVI)
Mampiditra ireo akora misy entona ao anatin'ireo rafitra misy lavaka ny CVI, izay ipetrahan'ny SiC eo amin'ny velarana anatiny. Ity fomba ity dia manatsara ny tanjaka ara-drafitra, ny fahadiovana ary ny faharetan'ny mari-pana avo.
Fomba fanaovana "mousse" sy "modely"
Ny teknolojia mampiasa "mousse" sy "template" dia mamorona rafitra mason-koditra misy ambaratongam-pahefana amin'ny alàlan'ny fanaraha-maso ireo singa mamorona mason-koditra na "template" sorona. Ireo fomba ireo dia manome fahafaha-miditra tsara sy maritrano mason-koditra namboarina manokana.
Ⅳ. Fampiharana amin'ny fanamboarana semiconductor
Noho ny fitambaran'ny toetrany miavaka eo amin'ny hafanana, simika ary ara-drafitra, dia miha-mampiasa bebe kokoa amin'ny fizotran'ny semiconductor ny seramika SiC misy porous.
Singa fizarana entona
Ao amin'ny rafitra CVD, PECVD, ary ALD, ny SiC porous dia afaka miasa ho toy ny mpanaparitaka entona sy takelaka fizarana mba hahazoana fikorianan'ny entona mitovy amin'ny fizotran'ny asa ary hanatsarana ny tsy fitoviana amin'ny fametrahana sarimihetsika.
Fitaovana fanodinana plasma
Ao amin'ny rafitra fanadiovana sy fandokoana plasma, ny singa SiC misy porous dia manolotra fanoherana ambony kokoa amin'ny tontolo plasma manimba, mampihena ny fahalotoan'ny poti-javatra ary manatsara ny fahatokisana ny fitaovana.
Rafitra Epitaxy SiC sy GaN
Ho an'ny famokarana semiconductor taranaka fahatelo, ny SiC porous dia mandray anjara amin'ny fitantanana mafana tsara kokoa sy ny fahamarinan'ny dingana ao anatin'ny tontolo fitomboana epitaxial avo lenta.
Singa fikirakirana wafer
Chucks banga SiC misy porousSYfanohanana wafermanome fahamarinan-toerana avo lenta, fahalotoana ambany, ary fanoherana simika tena tsara ho an'ny fanaraha-maso wafer, litografia ary fanodinana mafana.
Famaranana Ⅴ
Seramika Silikônina Carbide misy lavakamaneho ny fivoaran'nyAkora SiCavy amin'ny seramika ara-drafitra nentim-paharazana mankany amin'ny singa semiconductor miasa. Amin'ny alàlan'ny teknolojia fanodinana mandroso sy ny fanaraha-maso mazava tsara ny rafitry ny mason-koditra, ny SiC porous dia mahatratra fifandanjana tonga lafatra eo amin'ny tanjaka, ny permeability, ny fampisehoana mafana ary ny fahamarinan-toerana simika.
Rehefa mandroso mankany amin'ny mari-pana ambony kokoa sy ny fanaraha-maso henjana kokoa ny famokarana semiconductor, dia hitana anjara toerana lehibe hatrany ny seramika SiC porous amin'ny...Rafitra CVD, fitaovana fanodinana plasma, fikirakirana wafer, ary teknolojia fanamboarana semiconductor taranaka manaraka.
Fotoana fandefasana: 31 Jolay 2026