Si Epitaxial Parts

Singa voarakotra CVD SiC ho an'ny Silicon Epitaxy (Si Epi)

Namboarina tamim-pahendrena ho an'ny rafitra fametrahana Silicon Epitaxial tokana sy andiany, ny susceptors voarakotra CVD SiC, kapila zanabolana, ary singa ao amin'ny saha mafana dia manome fitoviana mafana miavaka ary tsy misy entona mivoaka. Ny sosona coating β-SiC cubic avo lenta dia mandrakotra tanteraka ny substrate grafita madio avo lenta, misoroka ny entona mihetsika (SiH₄, SiH₂Cl₂, HCl) ary miantoka ny haavon'ny loto metaly ambany dia ambany (< 5 ppm) mandritra ny fanodinana Si Epi amin'ny mari-pana avo (1000°C - 1200°C).

Fitoviana eo amin'ny sehatry ny hafanana

Ny emissivity voafehy dia miantoka ny fahamarinan'ny hatevin'ny sarimihetsika wafer manomboka amin'ny sisiny ka hatrany afovoany.

Fanoherana ny HCl Etch

Manome fiarovana matanjaka amin'ny akora simika fanadiovana eo an-toerana sy ny fahatapahan'ny hafanana.

Fifanarahana amin'ny rafitra OEM

Vita amin'ny CNC mazava tsara mba hifanaraka amin'ny fitaovana Epi wafer tokana 200mm/300mm mahazatra (Applied Materials, ASM).

Paramètre ara-teknika	Sanda famaritana	Fomba fitsapana / fenitra
Akora fandokoana	CVD β-SiC (Dingana Kiobika)	Rafitra kristaly matevina avo lenta
Akora fototra	Grafita Isostatika Madio Indrindra	Hakitroky: 1.82 - 1.88 g/cm³
Fahadiovana simika	Fahalotoana manontolo < 5 ppm	Nosedraina ny GDMS
Hatevin'ny sosona	80 µm - 150 µm	Fitoviana ≤ ±5%