Fianarana tranga: Singa grafita madio avo lenta ho an'ny saha mafana monokristalinina 32 santimetatra amin'ny fitomboan'ny silisiôma karazana-N

Fampidirana: Ny fanamby amin'ny saha mafana 32-inch amin'ny fitomboan'ny silikônina karazana-N mahomby

Rehefa miova haingana avy amin'ny PERC karazana-P mankany amin'ny sela masoandro TOPCon sy Heterojunction (HJT) karazana-N ny indostrian'ny photovoltaics, dia nitombo be ny fangatahana wafer silikônina madio kokoa. Ny substrate silikônina karazana-N dia mitaky androm-piainana avo lenta (matetika >300 μs) ary fandotoana metaly tetezamita akaiky ny aotra.

Mba hampitomboana ny fahafaha-mivezivezy, dia manitatra ny haben'ny "cuc-plate" ho 32 santimetatra sy mihoatra ireo mpanamboatra "silicon wafer". Na izany aza, ny fiasana amin'ny mari-pana mihoatra ny 1.450°C ao anaty saha mafana 32 santimetatra dia miteraka fanamby goavana amin'ny injeniera:

1. Fahasimbana ara-hafanana sy tsy fitoviana:Ny fiovaovan'ny hafanana goavana dia miteraka fiovaovan'ny firafitry ny fitaovana sy triatra amin'ny fanafanana sy ny faladia grafita mahazatra.
2. Fahalotoan'ny metaly miparitaka:Ireo singa maloto kely (Fe, Ni, Cu, V) ao anatin'ny grafita mahazatra dia mietona rehefa fisintonana kristaly maharitra, mifindra mivantana ao amin'ny silisiôma mitsonika ary miteraka fahasimbana mafy mandritra ny androm-piainan'ny mpitatitra vitsy an'isa.

Vahaolana ara-teknika: Grafita Isostatika voadio tsara sy fiarovana CVD SiC

Mba handresena ireo sakana ara-teknika ireo, dia nampiasa fanavaozana feno momba ny fitaovana ny VeTek Semiconductor nanerana ny fivoriambe saha mafana 32-inch manontolo, izay ahitana grafita isostatic avo lenta izay nodiovina tamin'ny hafanana avo lenta sy norakofana CVD Silicon Carbide (SiC) miaro.

1. Fanadiovana Halogen Lalina (Votoatin'ny Lavenona ≤ 2-5 ppm)

Ny grafita indostrialy mahazatra dia misy lavenona betsaka eo anelanelan'ny 50 ppm sy 200 ppm. Amin'ny 1.450°C eo ambanin'ny banga, dia miempo ireo singa kely ireo. Ny Fomba Fanadiovana Gaz Halogen amin'ny Mari-pana Avo dia manova ny loto metaly ho lasa singa halogen miempo (klôrida/fluoride) amin'ny mari-pana mihoatra ny 2.400°C.

• Fitsapana ny Glow Discharge Mass Spectrometry (GDMS)manamarina fa ny loto metaly rehetra (Fe, Cr, Ni, Cu, V) dia mihena ho latsaky ny 0.5 ppm, ka mahatratra ny votoatin'ny lavenona amin'ny ankapobeny ≤ 2 ppm.
• Vokatra:Manafoana ny fiforonan'ny entona metaly ao ambadika, miaro ny dobo silikônina mitsonika amin'ny fahalotoana mandritra ny tsingerin'ny fisintonana mitohy mandritra ny 120+ ora.

2. Rafitra grafita isostatika avo lenta ho an'ny fahamarinan-toerana ara-hafanana

Ireo singa ao anatin'izany ny fanafanana grafita, ny fitaovana fanendasana vy, ary ny barika insulation dia vita amin'ny grafita isostatic manana hakitroky avo lenta (1.85 g/cm³), voamaina tsara (haben'ny voamaina <10 μm). Ny fanerena isostatic dia miantoka ny fivelaran'ny hafanana isotropic (CTE) mitovy, misoroka ny fihenjanana mafana eo an-toerana, ny fiolahana ary ny triatra mekanika amin'ny tsingerin'ny hafanana miverimberina.

3. Fandrakofana CVD Silicon Carbide (SiC) miaro

Ireo singa tena ilaina tratran'ny etona silisiôma sy ny entona fanadiovana manimba dia rakotra sosona matevina 50–80 μm misy ny Chemical Vapor Deposition (CVD) Silicon Carbide (SiC).

• Sakana amin'ny harafesina:Misoroka ny fihetsehana simika mivantana eo amin'ny etona silisiôma miendrika molekiola (SiO2) sy ny fotony grafita (SiO2 + 2C → SiC + CO2), ka manafoana ny fihotsahan'ny tany sy ny famokarana vovoka karbônina.
• Fahitsiana ara-jeometrika:Mitazona ny jeometrika marina momba ny saha mafana mandritra ny elanelam-potoana fanompoana lava kokoa 30%.

Angon-drakitra momba ny fahombiazana voarefy & Fanamarinana ny fitsapana eny an-kianja

Nisy andrana fampitahana eny an-kianja naharitra 6 volana natao tamin'ny lafaoro CZ 32-inch miisa 50 tao amin'ny orinasa mpamokatra wafer silikônina TOPCon tier-1. Ireto ambany ireto ny mari-pahaizana momba ny fahombiazana mampitaha ireo singa grafita mahazatra amin'ny vahaolana eny an-kianja mafana voadio an'ny VeTek Semiconductor:

Fanontaniana Matetika Apetraka (FAQ)

Famaranana & Fifampidinihana ara-teknika

Ny fanavaozana ho singa grafita isostatika voadio tsara miaraka amin'ny fiarovana CVD SiC dia manome lalana mivantana sy azo refesina hamahana ny sakana ateraky ny vokatra sy ny loto amin'ny fitomboan'ny silikônina monokristalin'ny karazana N 32-inch. Miaraka amin'ny fanatsarana 18% amin'ny vokatra voalohany sy ny androm-piainan'ny saha mafana mivelatra 30%, dia afaka mahazo tombony betsaka amin'ny fampiasam-bola amin'ny angovo azo avy amin'ny masoandro ireo mpanamboatra wafer.