Ampahany Epitaxial SiC

Fandrakofana CVD mandroso ho an'ny fitomboana epitaxial SiC

Namboarina manokana ho an'ny fizotran'ny fitaovana semiconductor mahery vaika miasa ao anatin'ny tsindry mafana tafahoatra (1500°C - 1700°C), ny susceptors planetary, kapila satelita, ary deflectors entona voarakotra CVD SiC sy TaC dia namboarina mba hahomby. Natao hisorohana ny famokarana poti-javatra, ny fahasimban'ny ety ambonin'ny tany, ary ny fanesorana entona mihetsika (H₂, SiH₄, C₃H∯), ny coatings mandroso dia miantoka ny androm-piainana maharitra, ny fanaraha-maso ny dopant ambony, ary ny fitoviana amin'ny hatevin'ny sarimihetsika avo lenta.Wafer epitaxial SiC 6-inch sy 8-inch.

Fahamarinan'ny mari-pana avo dia avo

Maharitra amin'ny hafanana hatramin'ny 1700°C ao anatin'ny tontolo mampihena ny H₂/silane mafy.

Fampifanarahana CTE gradient

Manala ny fahasimban'ny coating, ny triatra madinika, ary ny fikikisana mandritra ny tsingerin'ny hafanana haingana.

Fahavononana amin'ny mizana wafer 8-inch

Famokarana CNC mazava tsara natao ho an'ny reaktora SiC Epi avo lenta taranaka manaraka (LPE, Aixtron, Nuflare).

Paramètre ara-teknika	Sanda famaritana	Fomba fitsapana / fenitra
Safidy fitaovana fandokoana	CVD SiC / Tantalum Carbide (TaC)	Sosona Hermetika Madio Avo
Fototra fototra	Grafita Isostatika Voadio	Fahalotoana betsaka < 5 ppm
Fanoherana ny fahatairana mafana	Delta T > 500°C Hafainganam-pandeha	Tsy misy triatra / miendaka
Fahasarotan'ny ety ambonin'ny tany (Ra)	≤ 0.4 μm (Fitaratra voapoloka)	Misoroka ny firaikitra amin'ny "wafer" sy ny poti-javatra