समाचार

सिलिकन कार्बाइडको लागि प्राविधिक अवरोधहरू के के हुन्?
२४-०५-२२ मा व्यवस्थापक द्वारा
अर्धचालक सामग्रीको पहिलो पुस्तालाई परम्परागत सिलिकन (Si) र जर्मेनियम (Ge) द्वारा प्रतिनिधित्व गरिन्छ, जुन एकीकृत सर्किट निर्माणको आधार हुन्। तिनीहरू कम-भोल्टेज, कम-फ्रिक्वेन्सी, र कम-शक्ति ट्रान्जिस्टर र डिटेक्टरहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ। अर्धचालक उत्पादनको ९०% भन्दा बढी...
थप पढ्नुहोस्
SiC माइक्रो पाउडर कसरी बनाइन्छ?
२४-०५-१३ मा व्यवस्थापक द्वारा
SiC सिंगल क्रिस्टल १:१ को स्टोइचियोमेट्रिक अनुपातमा दुई तत्वहरू, Si र C मिलेर बनेको समूह IV-IV यौगिक अर्धचालक सामग्री हो। यसको कठोरता हीरा पछि दोस्रो स्थानमा छ। SiC तयार गर्न सिलिकन अक्साइड विधिको कार्बन घटाउने मुख्यतया निम्न रासायनिक प्रतिक्रिया सूत्रमा आधारित छ...
थप पढ्नुहोस्
एपिटेक्सियल तहहरूले अर्धचालक उपकरणहरूलाई कसरी मद्दत गर्छन्?
२४-०५-१३ मा व्यवस्थापक द्वारा
एपिटेक्सियल वेफर नामको उत्पत्ति पहिले, एउटा सानो अवधारणालाई लोकप्रिय बनाऔं: वेफर तयारीमा दुई प्रमुख लिङ्कहरू समावेश छन्: सब्सट्रेट तयारी र एपिटेक्सियल प्रक्रिया। सब्सट्रेट अर्धचालक एकल क्रिस्टल सामग्रीबाट बनेको वेफर हो। सब्सट्रेट सिधै वेफर निर्माणमा प्रवेश गर्न सक्छ...
थप पढ्नुहोस्
रासायनिक वाष्प निक्षेपण (CVD) पातलो फिल्म निक्षेपण प्रविधिको परिचय
२४-०५-०६ मा व्यवस्थापक द्वारा
केमिकल भाप निक्षेपण (CVD) एक महत्त्वपूर्ण पातलो फिल्म निक्षेपण प्रविधि हो, जुन प्रायः विभिन्न कार्यात्मक फिल्महरू र पातलो-तह सामग्रीहरू तयार गर्न प्रयोग गरिन्छ, र अर्धचालक निर्माण र अन्य क्षेत्रहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ। १. CVD को कार्य सिद्धान्त CVD प्रक्रियामा, ग्यास अग्रदूत (एक वा...
थप पढ्नुहोस्
फोटोभोल्टिक अर्धचालक उद्योग पछाडिको "कालो सुन" रहस्य: आइसोस्टेटिक ग्रेफाइटमा इच्छा र निर्भरता
२४-०५-०६ मा व्यवस्थापक द्वारा
आइसोस्टेटिक ग्रेफाइट फोटोभोल्टिक्स र अर्धचालकहरूमा एक धेरै महत्त्वपूर्ण सामग्री हो। घरेलु आइसोस्टेटिक ग्रेफाइट कम्पनीहरूको द्रुत वृद्धिसँगै, चीनमा विदेशी कम्पनीहरूको एकाधिकार तोडिएको छ। निरन्तर स्वतन्त्र अनुसन्धान र विकास र प्राविधिक सफलताहरूको साथ, ...
थप पढ्नुहोस्
अर्धचालक सिरेमिक निर्माणमा ग्रेफाइट डुङ्गाहरूको आवश्यक विशेषताहरूको अनावरण गर्दै
२४-०४-२२ मा व्यवस्थापक द्वारा
ग्रेफाइट डुङ्गाहरू, जसलाई ग्रेफाइट डुङ्गा पनि भनिन्छ, अर्धचालक सिरेमिक निर्माणको जटिल प्रक्रियाहरूमा महत्त्वपूर्ण भूमिका खेल्छन्। यी विशेष भाँडाहरूले उच्च-तापमान उपचारको क्रममा अर्धचालक वेफरहरूको लागि भरपर्दो वाहकको रूपमा काम गर्छन्, सटीक र नियन्त्रित प्रशोधन सुनिश्चित गर्दै। ... संग
थप पढ्नुहोस्
फर्नेस ट्यूब उपकरणको आन्तरिक संरचना विस्तृत रूपमा व्याख्या गरिएको छ
२४-०४-२२ मा व्यवस्थापक द्वारा
माथि देखाइएझैं, एक विशिष्ट छ पहिलो भाग: ▪ ताप तत्व (ताप दिने कुण्डल): भट्टी ट्यूबको वरिपरि अवस्थित, सामान्यतया प्रतिरोधी तारहरूबाट बनेको, भट्टी ट्यूबको भित्री भागलाई तताउन प्रयोग गरिन्छ। ▪ क्वार्ट्ज ट्यूब: तातो अक्सिडेशन भट्टीको कोर, उच्च-शुद्धता क्वार्ट्जबाट बनेको जुन h... सहन सक्छ।
थप पढ्नुहोस्
MOSFET उपकरण विशेषताहरूमा SiC सब्सट्रेट र एपिटेक्सियल सामग्रीहरूको प्रभाव
२४-०४-१६ मा व्यवस्थापक द्वारा
त्रिकोणीय दोष त्रिकोणीय दोषहरू SiC एपिटेक्सियल तहहरूमा सबैभन्दा घातक रूपात्मक दोषहरू हुन्। धेरै साहित्य रिपोर्टहरूले देखाएका छन् कि त्रिकोणीय दोषहरूको गठन 3C क्रिस्टल रूपसँग सम्बन्धित छ। यद्यपि, विभिन्न वृद्धि संयन्त्रहरूको कारण, धेरैको आकारात्मकता...
थप पढ्नुहोस्
SiC सिलिकन कार्बाइड सिंगल क्रिस्टलको वृद्धि
२४-०४-१६ मा व्यवस्थापक द्वारा
यसको खोज पछि, सिलिकन कार्बाइडले व्यापक ध्यान आकर्षित गरेको छ। सिलिकन कार्बाइड आधा Si परमाणुहरू र आधा C परमाणुहरू मिलेर बनेको हुन्छ, जुन sp3 हाइब्रिड अर्बिटलहरू साझा गर्ने इलेक्ट्रोन जोडीहरू मार्फत सहसंयोजक बन्धनहरूद्वारा जोडिएका हुन्छन्। यसको एकल क्रिस्टलको आधारभूत संरचनात्मक एकाइमा, चार Si परमाणुहरू एक...
थप पढ्नुहोस्