SiC सिंगल क्रिस्टल १:१ को स्टोइचियोमेट्रिक अनुपातमा दुई तत्वहरू, Si र C मिलेर बनेको समूह IV-IV यौगिक अर्धचालक सामग्री हो। यसको कठोरता हीरा पछि दोस्रो स्थानमा छ।
SiC तयार गर्न सिलिकन अक्साइड विधिको कार्बन घटाउने मुख्यतया निम्न रासायनिक प्रतिक्रिया सूत्रमा आधारित छ:
सिलिकन अक्साइडको कार्बन घटाउने प्रतिक्रिया प्रक्रिया अपेक्षाकृत जटिल छ, जसमा प्रतिक्रियाको तापक्रमले अन्तिम उत्पादनलाई प्रत्यक्ष असर गर्छ।
सिलिकन कार्बाइडको तयारी प्रक्रियामा, कच्चा पदार्थहरू पहिले प्रतिरोध भट्टीमा राखिन्छन्। प्रतिरोध भट्टीमा दुवै छेउमा अन्तिम पर्खालहरू हुन्छन्, जसको बीचमा ग्रेफाइट इलेक्ट्रोड हुन्छ, र भट्टी कोरले दुई इलेक्ट्रोडहरूलाई जोड्छ। भट्टी कोरको परिधिमा, प्रतिक्रियामा भाग लिने कच्चा पदार्थहरू पहिले राखिन्छन्, र त्यसपछि ताप संरक्षणको लागि प्रयोग हुने सामग्रीहरू परिधिमा राखिन्छन्। जब पग्लन सुरु हुन्छ, प्रतिरोध भट्टीलाई ऊर्जावान बनाइन्छ र तापक्रम २,६०० देखि २,७०० डिग्री सेल्सियससम्म बढ्छ। विद्युतीय ताप ऊर्जा भट्टी कोरको सतह मार्फत चार्जमा स्थानान्तरण गरिन्छ, जसले गर्दा यसलाई बिस्तारै तताइन्छ। जब चार्जको तापक्रम १४५० डिग्री सेल्सियसभन्दा बढी हुन्छ, सिलिकन कार्बाइड र कार्बन मोनोअक्साइड ग्यास उत्पन्न गर्न रासायनिक प्रतिक्रिया हुन्छ। पग्लन प्रक्रिया जारी रहँदा, चार्जमा उच्च-तापमान क्षेत्र बिस्तारै विस्तार हुनेछ, र उत्पन्न हुने सिलिकन कार्बाइडको मात्रा पनि बढ्नेछ। सिलिकन कार्बाइड भट्टीमा निरन्तर बनिरहन्छ, र वाष्पीकरण र आन्दोलन मार्फत, क्रिस्टलहरू बिस्तारै बढ्छन् र अन्ततः बेलनाकार क्रिस्टलहरूमा जम्मा हुन्छन्।
२,६०० डिग्री सेल्सियसभन्दा बढी तापक्रमका कारण क्रिस्टलको भित्री पर्खालको केही भाग सड्न थाल्छ। विघटनबाट उत्पादित सिलिकन तत्व चार्जमा रहेको कार्बन तत्वसँग पुन: मिलेर नयाँ सिलिकन कार्बाइड बनाउँछ।
सिलिकन कार्बाइड (SiC) को रासायनिक प्रतिक्रिया पूरा भएपछि र भट्टी चिसो भएपछि, अर्को चरण सुरु हुन सक्छ। पहिले, भट्टीको भित्ताहरू भत्काइन्छ, र त्यसपछि भट्टीमा रहेका कच्चा पदार्थहरू चयन गरिन्छ र तह-दर-तह वर्गीकरण गरिन्छ। हामीले चाहेको दानेदार पदार्थ प्राप्त गर्न चयन गरिएका कच्चा पदार्थहरूलाई कुचलिन्छ। त्यसपछि, कच्चा पदार्थहरूमा रहेको अशुद्धताहरू पानीले धुने वा एसिड र क्षार घोलले सफा गर्ने, साथै चुम्बकीय पृथकीकरण र अन्य विधिहरू मार्फत हटाइन्छ। सफा गरिएका कच्चा पदार्थहरूलाई सुकाउनुपर्छ र त्यसपछि फेरि स्क्रिन गर्नुपर्छ, र अन्तमा शुद्ध सिलिकन कार्बाइड पाउडर प्राप्त गर्न सकिन्छ। आवश्यक भएमा, यी पाउडरहरूलाई वास्तविक प्रयोग अनुसार थप प्रशोधन गर्न सकिन्छ, जस्तै आकार दिने वा राम्रोसँग पिस्ने, अझ राम्रो सिलिकन कार्बाइड पाउडर उत्पादन गर्न।
विशिष्ट चरणहरू निम्नानुसार छन्:
(१) कच्चा पदार्थ
हरियो सिलिकन कार्बाइड माइक्रो पाउडर मोटो हरियो सिलिकन कार्बाइडलाई कुचलेर उत्पादन गरिन्छ। सिलिकन कार्बाइडको रासायनिक संरचना ९९% भन्दा बढी हुनुपर्छ, र फ्री कार्बन र आइरन अक्साइड ०.२% भन्दा कम हुनुपर्छ।
(२) भाँचिएको
सिलिकन कार्बाइड बालुवालाई मसिनो धुलोमा कुचल्न, हाल चीनमा दुई तरिकाहरू प्रयोग गरिन्छ, एउटा अन्तरिम वेट बल मिल क्रसिङ हो, र अर्को एयरफ्लो पाउडर मिल प्रयोग गरेर क्रसिङ हो।
(३) चुम्बकीय पृथकीकरण
सिलिकन कार्बाइड पाउडरलाई मसिनो पाउडरमा कुच्न जुनसुकै विधि प्रयोग गरिए पनि, भिजेको चुम्बकीय पृथकीकरण र मेकानिकल चुम्बकीय पृथकीकरण सामान्यतया प्रयोग गरिन्छ। यो किनभने भिजेको चुम्बकीय पृथकीकरणको समयमा कुनै धुलो हुँदैन, चुम्बकीय सामग्रीहरू पूर्ण रूपमा अलग हुन्छन्, चुम्बकीय पृथकीकरण पछिको उत्पादनमा कम फलाम हुन्छ, र चुम्बकीय सामग्रीहरूले लिएको सिलिकन कार्बाइड पाउडर पनि कम हुन्छ।
(४) पानी छुट्याउने
पानी पृथकीकरण विधिको आधारभूत सिद्धान्त भनेको कण आकार क्रमबद्ध गर्न पानीमा विभिन्न व्यासका सिलिकन कार्बाइड कणहरूको फरक-फरक बसोबास गति प्रयोग गर्नु हो।
(५) अल्ट्रासोनिक स्क्रिनिङ
अल्ट्रासोनिक प्रविधिको विकाससँगै, यो माइक्रो-पाउडर प्रविधिको अल्ट्रासोनिक स्क्रिनिङमा पनि व्यापक रूपमा प्रयोग भएको छ, जसले मूल रूपमा बलियो सोखना, सजिलो समूहीकरण, उच्च स्थिर बिजुली, उच्च सूक्ष्मता, उच्च घनत्व, र प्रकाश विशिष्ट गुरुत्वाकर्षण जस्ता स्क्रिनिङ समस्याहरू समाधान गर्न सक्छ।
(६) गुणस्तर निरीक्षण
माइक्रोपाउडर गुणस्तर निरीक्षणमा रासायनिक संरचना, कण आकार संरचना र अन्य वस्तुहरू समावेश छन्। निरीक्षण विधिहरू र गुणस्तर मापदण्डहरूको लागि, कृपया "सिलिकन कार्बाइड प्राविधिक अवस्थाहरू" हेर्नुहोस्।
(७) धुलो उत्पादन पिस्ने
माइक्रो पाउडरलाई समूहबद्ध र स्क्रिन गरिसकेपछि, ग्राइन्डिङ पाउडर तयार गर्न सामग्रीको टाउको प्रयोग गर्न सकिन्छ। ग्राइन्डिङ पाउडरको उत्पादनले फोहोर कम गर्न र उत्पादन श्रृंखला विस्तार गर्न सक्छ।
पोस्ट समय: मे-१३-२०२४