Dobrodošli na naši spletni strani za informacije o izdelkih in posvetovanje.
Naša spletna stran:https://www.vet-china.com/
Jedkanje poli in SiO2:
Po tem se odvečni poli in SiO2 jedka, torej odstrani. V tem času se usmerjenojedkanjese uporablja. Pri klasifikaciji jedkanja obstaja klasifikacija usmerjenega jedkanja in neusmerjenega jedkanja. Usmerjeno jedkanje se nanaša najedkanjev določeni smeri, medtem ko je neusmerjeno jedkanje neusmerjeno (po nesreči sem rekel preveč. Skratka, gre za odstranjevanje SiO2 v določeni smeri s pomočjo specifičnih kislin in baz). V tem primeru uporabljamo jedkanje navzdol, usmerjeno navzdol, za odstranitev SiO2 in postane takole.
Končno odstranite fotorezist. V tem primeru metoda odstranjevanja fotorezista ni aktivacija z zgoraj omenjenim obsevanjem s svetlobo, temveč druge metode, saj nam v tem primeru ni treba določiti določene velikosti, ampak je treba odstraniti ves fotorezist. Končno postane, kot je prikazano na naslednji sliki.
Na ta način smo dosegli cilj ohranitve specifične lokacije polisilikonskega silicija (PolySiO2).
Nastanek vira in odtoka:
Na koncu si poglejmo, kako nastaneta izvor in odtok. Vsi se še spomnijo, da smo o tem govorili v prejšnji številki. Izvor in odtok sta ionsko implantirana z isto vrsto elementov. V tem primeru lahko s fotorezistom odpremo območje izvor/odtok, kjer je treba implantirati tip N. Ker za primer vzamemo le NMOS, bodo vsi deli na zgornji sliki odprti, kot je prikazano na naslednji sliki.
Ker dela, ki ga prekriva fotorezist, ni mogoče vsaditi (svetloba je blokirana), bodo elementi tipa N vsadeni le na zahtevani NMOS. Ker je substrat pod poliomizolom blokiran s poliomizolom in SiO2, se ne bo vsadil, zato postane takole.
Na tej točki je bil izdelan preprost model MOS tranzistorja. Teoretično lahko ta MOS tranzistor deluje, če se napetost doda na izvor, odtok, poligon in podlago, vendar ne moremo kar vzeti sonde in dodati napetosti neposredno na izvor in odtok. V tem primeru je potrebno ožičenje MOS tranzistorja, torej na tem MOS tranzistorju povezati žice, ki povezujejo več MOS tranzistorjev skupaj. Oglejmo si postopek ožičenja.
Izdelava VIA:
Prvi korak je prekrivanje celotnega MOS-a s plastjo SiO2, kot je prikazano na spodnji sliki:
Seveda se ta SiO2 proizvaja s CVD-jem, ker je zelo hiter in prihrani čas. Sledi še postopek nanašanja fotorezista in osvetljevanja. Po koncu je videti takole.
Nato z metodo jedkanja izjedkajte luknjo na SiO2, kot je prikazano v sivem delu spodnje slike. Globina te luknje je v neposrednem stiku s površino Si.
Na koncu odstranite fotorezist in dobite naslednji videz.
Trenutno je treba zapolniti to luknjo s prevodnikom. Kaj je ta prevodnik? Vsako podjetje je drugačno, večina jih je iz volframovih zlitin, kako torej zapolniti to luknjo? Uporablja se metoda PVD (fizično nanašanje s paro), načelo pa je podobno spodnji sliki.
Za bombardiranje ciljnega materiala uporabite visokoenergijske elektrone ali ione, razbiti ciljni material pa bo padel na dno v obliki atomov in tako tvoril prevleko pod njim. Ciljni material, ki ga običajno vidimo v novicah, se tukaj nanaša na ciljni material.
Po zapolnitvi luknje je videti takole.
Seveda pri polnjenju ni mogoče nadzorovati debeline premaza, da bi bila natančno enaka globini luknje, zato bo nekaj presežka, zato uporabljamo tehnologijo CMP (kemično-mehansko poliranje), ki se sliši zelo vrhunsko, vendar gre v resnici za brušenje, odstranjevanje odvečnih delov. Rezultat je takšen.
Na tej točki smo zaključili izdelavo plasti prehoda. Seveda je izdelava prehoda namenjena predvsem ožičenju kovinske plasti za njo.
Izdelava kovinske plasti:
V zgoraj navedenih pogojih uporabljamo PVD za nanašanje še ene plasti kovine. Ta kovina je večinoma zlitina na osnovi bakra.
Po osvetljevanju in jedkanju dobimo, kar želimo. Nato nadaljujemo z zlaganjem, dokler ne izpolnimo svojih potreb.
Ko bomo narisali postavitev, vam bomo povedali, koliko plasti kovine in s katerim postopkom je mogoče zložiti največ, kar pomeni, koliko plasti je mogoče zložiti.
Končno dobimo to strukturo. Zgornja ploščica je pin tega čipa in po zapakiranju postane pin, ki ga lahko vidimo (seveda sem ga narisal naključno, nima praktičnega pomena, samo za primer).
To je splošen postopek izdelave čipa. V tej številki smo se seznanili z najpomembnejšimi postopki osvetljevanja, jedkanja, ionske implantacije, cevk v peči, CVD, PVD, CMP itd. v livarni polprevodnikov.
Čas objave: 23. avg. 2024