Kaj je TaC premaz?

V hitro razvijajoči se industriji polprevodnikov so materiali, ki izboljšujejo zmogljivost, vzdržljivost in učinkovitost, ključnega pomena. Ena takšnih inovacij je premaz iz tantalovega karbida (TaC), najsodobnejša zaščitna plast, ki se nanese na grafitne komponente. Ta blog raziskuje definicijo premaza TaC, tehnične prednosti in njegove prelomne aplikacije v proizvodnji polprevodnikov.

Ⅰ. Kaj je TaC premaz?

Premaz TaC je visokozmogljiva keramična plast, sestavljena iz tantalovega karbida (spojine tantala in ogljika), ki se nanese na grafitne površine. Premaz se običajno nanaša s tehnikami kemičnega nanašanja iz pare (CVD) ali fizičnega nanašanja iz pare (PVD), kar ustvari gosto, ultra čisto pregrado, ki ščiti grafit pred ekstremnimi pogoji.

Ključne lastnosti TaC prevleke

●Visokotemperaturna stabilnostPrenaša temperature nad 2200 °C, kar prekaša tradicionalne materiale, kot je silicijev karbid (SiC), ki se razgradi nad 1600 °C.

●Kemična odpornostOdporen proti koroziji zaradi vodika (H₂), amoniaka (NH₃), silicijevih hlapov in staljenih kovin, kar je ključnega pomena za okolja, kjer se predelujejo polprevodniki.

●Ultra visoka čistostRaven nečistoč pod 5 ppm zmanjšuje tveganje kontaminacije v procesih rasti kristalov.

●Toplotna in mehanska vzdržljivostMočna adhezija na grafit, nizek toplotni raztezek (6,3 × 10⁻⁶/K) in trdota (~2000 HK) zagotavljajo dolgo življenjsko dobo pri toplotnih ciklih.

Ⅱ. Premaz TaC v proizvodnji polprevodnikov: ključne aplikacije

Grafitne komponente, prevlečene s TaC, so nepogrešljive pri napredni izdelavi polprevodnikov, zlasti za naprave iz silicijevega karbida (SiC) in galijevega nitrida (GaN). Spodaj so navedeni njihovi kritični primeri uporabe:

1. Rast monokristalov SiC

SiC rezine so ključne za energetsko elektroniko in električna vozila. Grafitni lončki in susceptorji, prevlečeni s TaC, se uporabljajo v sistemih za fizični transport pare (PVT) in visokotemperaturni CVD (HT-CVD) za:

● Zavira kontaminacijoNizka vsebnost nečistoč v TaC (npr. bor <0,01 ppm v primerjavi z 1 ppm v grafitu) zmanjšuje napake v kristalih SiC in izboljšuje upornost rezine (4,5 ohm-cm v primerjavi z 0,1 ohm-cm za neprevlečen grafit).

● Izboljšano upravljanje temperatureEnotna emisivnost (0,3 pri 1000 °C) zagotavlja enakomerno porazdelitev toplote in optimizira kakovost kristalov.

2. Epitaksialna rast (GaN/SiC)

V kovinsko-organskih CVD (MOCVD) reaktorjih, komponente s prevleko TaC, kot so nosilci rezin in injektorji:

●Preprečite plinske reakcijeOdporen na jedkanje z amoniakom in vodikom pri 1400 °C, kar ohranja integriteto reaktorja.

●Izboljšajte donosZ zmanjšanjem odpadanja delcev iz grafita CVD TaC prevleka zmanjšuje napake v epitaksialnih plasteh, kar je ključnega pomena za visokozmogljive LED diode in RF naprave.

3. Druge polprevodniške aplikacije

●Visokotemperaturni reaktorjiSusceptorji in grelniki v proizvodnji GaN imajo koristi od stabilnosti TaC v okoljih, bogatih z vodikom.

●Ravnanje z rezinamiPrevlečene komponente, kot so obroči in pokrovi, zmanjšujejo kovinsko kontaminacijo med prenosom rezin.

Ⅲ. Zakaj premaz TaC prekaša alternative?

Primerjava s konvencionalnimi materiali poudarja superiornost TaC-a:

Podatki pridobljeni iz primerjav med panogami

IV. Zakaj izbrati poklicno izobraževanje in usposabljanje?

Po nenehnem vlaganju v tehnološke raziskave in razvoj,VETDeli, prevlečeni s tantalovim karbidom (TaC), kot soVodilni obroč iz grafita s prevleko TaC, Ploščati susceptor s CVD TaC prevleko, Susceptor s prevleko TaC za opremo za epitaksijo,Porozni grafitni material, prevlečen s tantalovim karbidominRezinski susceptor s prevleko TaC, so zelo priljubljeni na evropskem in ameriškem trgu. VET se iskreno veseli, da bo postal vaš dolgoročni partner.