خبریں

مرکزی دھارے کا تھرمل فیلڈ مواد: C/C جامع مواد
بذریعہ منتظم 24-07-01 کو
کاربن-کاربن کمپوزٹ کاربن فائبر مرکبات کی ایک قسم ہیں، جس میں کاربن فائبر کمک مواد کے طور پر اور جمع کاربن میٹرکس مواد کے طور پر ہوتا ہے۔ C/C مرکبات کا میٹرکس کاربن ہے۔ چونکہ یہ تقریباً مکمل طور پر عنصری کاربن پر مشتمل ہے، اس لیے اس میں اعلی درجہ حرارت کی مزاحمت ہے...
مزید پڑھیں
SiC کرسٹل نمو کے لیے تین بڑی تکنیکیں۔
بذریعہ منتظم 24-07-01 کو
جیسا کہ تصویر 3 میں دکھایا گیا ہے، تین غالب تکنیکیں ہیں جن کا مقصد SiC سنگل کرسٹل کو اعلیٰ معیار اور کارکردگی کے ساتھ فراہم کرنا ہے: مائع فیز ایپیٹیکسی (LPE)، فزیکل ویپر ٹرانسپورٹ (PVT)، اور ہائی ٹمپریچر کیمیائی بخارات جمع کرنا (HTCVD)۔ PVT SiC گناہ پیدا کرنے کے لیے ایک اچھی طرح سے قائم عمل ہے...
مزید پڑھیں
تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹر GaN اور متعلقہ ایپیٹیکسیل ٹیکنالوجی کا مختصر تعارف
بذریعہ منتظم 24-06-28 کو
1. تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹرز پہلی نسل کی سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجی کو سیمی کنڈکٹر مواد جیسے Si اور Ge کی بنیاد پر تیار کیا گیا تھا۔ یہ ٹرانجسٹرز اور انٹیگریٹڈ سرکٹ ٹیکنالوجی کی ترقی کے لیے مادی بنیاد ہے۔ پہلی نسل کے سیمی کنڈکٹر مواد نے ...
مزید پڑھیں
23.5 بلین، سوزو کی سپر ایک تنگاوالا IPO جا رہا ہے
بذریعہ منتظم 24-06-28 کو
9 سال کی انٹرپرینیورشپ کے بعد، Innoscience نے کل فنانسنگ میں 6 بلین یوآن سے زیادہ کا اضافہ کیا ہے، اور اس کی ویلیویشن حیران کن طور پر 23.5 بلین یوآن تک پہنچ گئی ہے۔ سرمایہ کاروں کی فہرست درجنوں کمپنیوں تک لمبی ہے: فوکون وینچر کیپٹل، ڈونگ فانگ ریاستی ملکیتی اثاثے، سوزو زہانی، ووجیان...
مزید پڑھیں
ٹینٹلم کاربائیڈ لیپت مصنوعات مواد کی سنکنرن مزاحمت کو کیسے بڑھاتی ہیں؟
بذریعہ منتظم 24-06-25 کو
ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ عام طور پر استعمال ہونے والی سطح کے علاج کی ٹیکنالوجی ہے جو مواد کی سنکنرن مزاحمت کو نمایاں طور پر بہتر بنا سکتی ہے۔ ٹینٹلم کاربائیڈ کوٹنگ کو تیاری کے مختلف طریقوں کے ذریعے سبسٹریٹ کی سطح سے منسلک کیا جا سکتا ہے، جیسے کیمیائی بخارات جمع کرنا، فزیک...
مزید پڑھیں
تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹر GaN اور متعلقہ ایپیٹیکسیل ٹیکنالوجی کا تعارف
بذریعہ منتظم 24-06-25 کو
1. تیسری نسل کے سیمی کنڈکٹرز پہلی نسل کی سیمی کنڈکٹر ٹیکنالوجی کو سیمی کنڈکٹر مواد جیسے Si اور Ge کی بنیاد پر تیار کیا گیا تھا۔ یہ ٹرانجسٹرز اور انٹیگریٹڈ سرکٹ ٹیکنالوجی کی ترقی کے لیے مادی بنیاد ہے۔ پہلی نسل کے سیمی کنڈکٹر مواد نے ایف...
مزید پڑھیں
سلکان کاربائڈ کرسٹل کی ترقی پر غیر محفوظ گریفائٹ کے اثر پر عددی نقلی مطالعہ
بذریعہ منتظم 24-06-18 کو
SiC کرسٹل کی نمو کے بنیادی عمل کو اعلی درجہ حرارت پر خام مال کی سربلندی اور گلنے، درجہ حرارت کے میلان کے عمل کے تحت گیس کے مرحلے کے مادوں کی نقل و حمل، اور بیج کرسٹل میں گیس کے مرحلے کے مادوں کی دوبارہ تشکیل نو میں تقسیم کیا گیا ہے۔ اس کی بنیاد پر...
مزید پڑھیں
خصوصی گریفائٹ کی اقسام
بذریعہ منتظم 24-06-17
خصوصی گریفائٹ ایک اعلی پاکیزگی، اعلی کثافت اور اعلی طاقت والا گریفائٹ مواد ہے اور اس میں بہترین سنکنرن مزاحمت، اعلی درجہ حرارت کا استحکام اور زبردست برقی چالکتا ہے۔ یہ اعلی درجہ حرارت کی گرمی کے علاج اور ہائی پریشر پروسیسنگ کے بعد قدرتی یا مصنوعی گریفائٹ سے بنا ہے ...
مزید پڑھیں
پتلی فلم جمع کرنے کے آلات کا تجزیہ - PECVD/LPCVD/ALD آلات کے اصول اور اطلاقات
بذریعہ منتظم 24-06-12 کو
پتلی فلم کا ذخیرہ سیمی کنڈکٹر کے مرکزی سبسٹریٹ مواد پر فلم کی ایک تہہ کوٹ کرنا ہے۔ یہ فلم مختلف مواد سے بنائی جا سکتی ہے، جیسے انسولیٹنگ کمپاؤنڈ سلکان ڈائی آکسائیڈ، سیمی کنڈکٹر پولی سیلیکون، میٹل کاپر وغیرہ۔ کوٹنگ کے لیے استعمال ہونے والے آلات کو پتلی فلم جمع کہا جاتا ہے...
مزید پڑھیں