-
Esasy termal meýdan materiallary: C/C kompozit materiallary
Uglerod-uglerod kompozitleri uglerod süýümli kompozitleriň bir görnüşi bolup, güýçlendiriji material hökmünde uglerod süýümi we matrisa materialy hökmünde çökündi uglerody ulanýar. C/C kompozitleriniň matrisasy ugleroddyr. Ol diýen ýaly doly elementar ugleroddan ybarat bolany üçin, ýokary temperatura çydamlylygy ajaýypdyr...Köpräk okaň -
SiC kristallarynyň ösmegi üçin üç esasy usul
3-nji suratda görkezilişi ýaly, SiC monokristalyny ýokary hilli we netijeli üpjün etmek üçin üç sany esasy usul bar: suwuk fazaly epitaksiýa (LPE), fiziki bug daşamak (PVT) we ýokary temperaturaly himiki bug çökündisi (HTCVD). PVT SiC sin... öndürmek üçin giňden ýaýran prosesdir.Köpräk okaň -
Üçünji nesil ýarymgeçiriji GaN we degişli epitaksial tehnologiýa barada gysgaça maglumat
1. Üçünji nesil ýarymgeçirijiler Birinji nesil ýarymgeçiriji tehnologiýasy Si we Ge ýaly ýarymgeçiriji materiallara esaslanyp işlenip düzüldi. Ol tranzistorlaryň we integral mikroshema tehnologiýasynyň ösüşi üçin maddy esas bolup durýar. Birinji nesil ýarymgeçiriji materiallary...Köpräk okaň -
23,5 milliard dollarlyk Suzhounyň super ýeke şahly atlary IPO-a çykýar
9 ýyllyk telekeçilik işinden soň, “Innoscience” jemi 6 milliard ýuandan gowrak maliýeleşdirme toplady we onuň bahasy haýran galdyryjy derejede 23,5 milliard ýuana ýetdi. Maýadarlaryň sanawy onlarça kompaniýanyň uzynlygyna deňdir: “Fukun Venture Capital”, “Dongfang State-owned Assets”, “Suzhou Zhanyi”, “Wujian”...Köpräk okaň -
Tantal karbid bilen örtülen önümler materiallaryň korroziýa garşylygyny nähili ýokarlandyrýar?
Tantal karbid örtügi materiallaryň korroziýa garşylygyny ep-esli ýokarlandyryp bilýän giňden ulanylýan ýüzi işläp bejeriş tehnologiýasydyr. Tantal karbid örtügi substratyň ýüzüne dürli taýýarlamak usullary, mysal üçin himiki bug çökündisi, fiziki... arkaly berkidilip bilner.Köpräk okaň -
Üçünji nesil ýarymgeçiriji GaN we degişli epitaksial tehnologiýa bilen tanyşlyk
1. Üçünji nesil ýarymgeçirijiler Birinji nesil ýarymgeçiriji tehnologiýasy Si we Ge ýaly ýarymgeçiriji materiallara esaslanyp işlenip düzüldi. Ol tranzistorlaryň we integral mikroshema tehnologiýasynyň ösüşi üçin maddy esas bolup durýar. Birinji nesil ýarymgeçiriji materiallary esasy...Köpräk okaň -
Gözenekli grafidiň kremniý karbidiniň kristallarynyň ösüşine täsiriniň sanly simulýasiýa barlagy
SiC kristallarynyň ösüşiniň esasy prosesi çig mallaryň ýokary temperaturada sublimasiýa we dargamagyna, temperatura gradientiniň täsiri astynda gaz faza maddalarynyň daşalmagyna we tohum kristalynda gaz faza maddalarynyň gaýtadan kristallaşma ösüşine bölünýär. Şuňa esaslanyp,...Köpräk okaň -
Ýörite grafidiň görnüşleri
Ýörite grafit ýokary arassalyk, ýokary dykyzlyk we ýokary berklikli grafit materialy bolup, ajaýyp korroziýa garşylygyna, ýokary temperatura durnuklylygyna we ajaýyp elektrik geçirijiligine eýedir. Ol ýokary temperatura ýylylyk bilen işlenilenden we ýokary basyşly işlenilenden soň tebigy ýa-da emeli grafitden ýasalýar...Köpräk okaň -
Inçe plýonka çökündi enjamlarynyň seljermesi – PECVD/LPCVD/ALD enjamlarynyň ýörelgeleri we ulanylyşlary
Inçe plýonka çökündisi ýarymgeçirijiniň esasy substrat materialyna plýonka gatlagyny örtmekdir. Bu plýonka dürli materiallardan, mysal üçin izolýasiýa birleşmesi kremniý dioksidi, ýarymgeçiriji polisilikon, mis metal we ş.m. ýasalyp bilner. Örtmek üçin ulanylýan enjamlar inçe plýonka çökündisi diýlip atlandyrylýar...Köpräk okaň