Xəbərlər

Əsas istilik sahəsi materialları: C/C kompozit materialları
admin tərəfindən 24-07-01 tarixində
Karbon-karbon kompozitləri, möhkəmləndirici material kimi karbon lifi və matris materialı kimi çökdürülmüş karbondan istifadə edən karbon lifli kompozitlərin bir növüdür. C/C kompozitlərinin matrisi karbondur. Demək olar ki, tamamilə elementar karbondan ibarət olduğundan, əla yüksək temperatura davamlılığa malikdir...
Daha çox oxu
SiC kristallarının böyüməsi üçün üç əsas üsul
admin tərəfindən 24-07-01 tarixində
Şəkil 3-də göstərildiyi kimi, SiC tək kristalını yüksək keyfiyyət və səmərəliliklə təmin etmək məqsədi daşıyan üç dominant üsul mövcuddur: maye fazalı epitaksiya (LPE), fiziki buxar daşınması (PVT) və yüksək temperaturlu kimyəvi buxar çöküntüsü (HTCVD). PVT, SiC sin istehsal etmək üçün yaxşı qurulmuş bir prosesdir...
Daha çox oxu
Üçüncü nəsil yarımkeçirici GaN və əlaqəli epitaksial texnologiyaya qısa giriş
admin tərəfindən 24-06-28 tarixində
1. Üçüncü nəsil yarımkeçiricilər Birinci nəsil yarımkeçirici texnologiyası Si və Ge kimi yarımkeçirici materiallara əsaslanaraq hazırlanmışdır. Bu, tranzistorların və inteqral dövrə texnologiyasının inkişafı üçün maddi əsasdır. Birinci nəsil yarımkeçirici materiallar...
Daha çox oxu
23,5 milyard dollarlıq Suzhou super təkbuynuzlu at IPO-ya çıxır
admin tərəfindən 24-06-28 tarixində
9 illik sahibkarlıq fəaliyyətindən sonra Innoscience ümumilikdə 6 milyard yuandan çox maliyyələşdirmə cəlb edib və onun dəyəri heyrətamiz dərəcədə 23,5 milyard yuana çatıb. İnvestorların siyahısı onlarla şirkət qədərdir: Fukun Venture Capital, Dongfang State-owned Assets, Suzhou Zhanyi, Wujian...
Daha çox oxu
Tantal karbid örtüklü məhsullar materialların korroziyaya davamlılığını necə artırır?
admin tərəfindən 24-06-25 tarixində
Tantal karbid örtüyü, materialların korroziyaya davamlılığını əhəmiyyətli dərəcədə artıra bilən geniş istifadə olunan səth emalı texnologiyasıdır. Tantal karbid örtüyü substratın səthinə kimyəvi buxar çöküntüsü, fiziki... kimi müxtəlif hazırlama üsulları ilə yapışdırıla bilər.
Daha çox oxu
Üçüncü nəsil yarımkeçirici GaN və əlaqəli epitaksial texnologiyaya giriş
admin tərəfindən 24-06-25 tarixində
1. Üçüncü nəsil yarımkeçiricilər Birinci nəsil yarımkeçirici texnologiyası Si və Ge kimi yarımkeçirici materiallara əsaslanaraq hazırlanmışdır. Bu, tranzistorların və inteqral dövrə texnologiyasının inkişafı üçün maddi əsasdır. Birinci nəsil yarımkeçirici materiallar əsasını qoydu...
Daha çox oxu
Məsaməli qrafitin silikon karbid kristallarının böyüməsinə təsiri üzrə ədədi simulyasiya tədqiqatı
admin tərəfindən 24-06-18 tarixində
SiC kristallarının böyüməsinin əsas prosesi xammalın yüksək temperaturda sublimasiyası və parçalanması, temperatur qradiyentinin təsiri altında qaz fazalı maddələrin daşınması və toxum kristalında qaz fazalı maddələrin yenidən kristallaşması ilə böyüməsinə bölünür. Buna əsasən,...
Daha çox oxu
Xüsusi Qrafit növləri
admin tərəfindən 24-06-17 tarixində
Xüsusi qrafit yüksək təmizlik, yüksək sıxlıq və yüksək möhkəmlikli qrafit materialıdır və əla korroziyaya davamlılığa, yüksək temperatur sabitliyinə və əla elektrik keçiriciliyinə malikdir. Yüksək temperaturlu istilik emalı və yüksək təzyiqli emaldan sonra təbii və ya süni qrafitdən hazırlanır...
Daha çox oxu
Nazik təbəqə çökdürmə avadanlıqlarının təhlili – PECVD/LPCVD/ALD avadanlıqlarının prinsipləri və tətbiqləri
admin tərəfindən 24-06-12 tarixində
Nazik təbəqə çöküntüsü, yarımkeçiricinin əsas substrat materialına bir təbəqə təbəqəsi örtməkdir. Bu təbəqə izolyasiyaedici birləşmə silikon dioksid, yarımkeçirici polisilikon, metal mis və s. kimi müxtəlif materiallardan hazırlana bilər. Örtük üçün istifadə olunan avadanlıq nazik təbəqə çöküntüsü adlanır...
Daha çox oxu