SiC ایپیٹیکسیل گروتھ کے لیے اعلی درجے کی CVD کوٹنگز

انتہائی تھرمل تناؤ (1500°C - 1700°C) کے تحت کام کرنے والے ہائی پاور سیمی کنڈکٹر ڈیوائس کے عمل کے لیے تیار کردہ، ہمارے CVD SiC اور TaC کوٹڈ سیاروں کے سسپٹرز، سیٹلائٹ ڈسک، اور گیس ڈیفلیکٹرز کو ایکسل کے لیے بنایا گیا ہے۔ ذرات کی پیداوار، سطح کے انحطاط، اور رد عمل والی گیس اینچنگ (H₂, SiH₄, C₃H∯) کو روکنے کے لیے ڈیزائن کیا گیا ہے، ہماری جدید کوٹنگز طویل آپریشنل لائف ٹائم، اعلیٰ ڈوپینٹ کنٹرول، اور فلم کی موٹائی کی اعلیٰ یکسانیت کو یقینی بناتی ہیں۔6 انچ اور 8 انچ SiC ایپیٹیکسیل ویفرز.