बातम्या

मुख्य प्रवाहातील औष्णिक क्षेत्रातील साहित्य: C/C संमिश्र साहित्य
प्रशासकाद्वारे २४-०७-०१ रोजी
कार्बन-कार्बन कंपोझिट्स हे कार्बन फायबर कंपोझिट्सचा एक प्रकार आहेत, ज्यात कार्बन फायबर हे मजबुतीकरण साहित्य म्हणून आणि निक्षेपित कार्बन हे मॅट्रिक्स साहित्य म्हणून वापरले जाते. C/C कंपोझिट्सचा मॅट्रिक्स कार्बन असतो. ते जवळजवळ पूर्णपणे मूल कार्बनने बनलेले असल्यामुळे, त्यात उत्कृष्ट उच्च तापमान प्रतिरोधकता असते...
अधिक वाचा
एसआयसी स्फटिक वाढीसाठी तीन प्रमुख तंत्रे
प्रशासकाद्वारे २४-०७-०१ रोजी
आकृती ३ मध्ये दाखवल्याप्रमाणे, उच्च दर्जाचे आणि कार्यक्षमतेने SiC सिंगल क्रिस्टल प्रदान करण्याच्या उद्देशाने तीन प्रमुख तंत्रे आहेत: लिक्विड फेज एपिटॅक्सी (LPE), फिजिकल व्हेपर ट्रान्सपोर्ट (PVT), आणि हाय-टेम्परेचर केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन (HTCVD). PVT ही SiC सिंगल क्रिस्टल तयार करण्यासाठी एक सुस्थापित प्रक्रिया आहे...
अधिक वाचा
तिसऱ्या पिढीतील सेमीकंडक्टर GaN आणि संबंधित एपिटॅक्सियल तंत्रज्ञानाचा संक्षिप्त परिचय
प्रशासकाद्वारे २४-०६-२८ रोजी
१. तिसऱ्या पिढीचे सेमीकंडक्टर: पहिल्या पिढीचे सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञान हे Si आणि Ge सारख्या सेमीकंडक्टर पदार्थांवर आधारित विकसित केले गेले. हे ट्रान्झिस्टर आणि इंटिग्रेटेड सर्किट तंत्रज्ञानाच्या विकासासाठी भौतिक आधार आहे. पहिल्या पिढीच्या सेमीकंडक्टर पदार्थांनी पाया घातला...
अधिक वाचा
२३.५ अब्ज डॉलर्सची, सुझोची सुपर युनिकॉर्न कंपनी आयपीओ आणणार आहे.
प्रशासकाद्वारे २४-०६-२८ रोजी
९ वर्षांच्या उद्योजकतेनंतर, इनोसायन्सने एकूण ६ अब्ज युआनपेक्षा जास्त निधी उभारला आहे आणि तिचे मूल्यांकन २३.५ अब्ज युआनच्या आश्चर्यकारक पातळीवर पोहोचले आहे. गुंतवणूकदारांची यादी डझनभर कंपन्यांइतकी मोठी आहे: फुकुन व्हेंचर कॅपिटल, डोंगफांग स्टेट-ओन्ड असेट्स, सुझोउ झानयी, वुजियान...
अधिक वाचा
टँटॅलम कार्बाइड लेपित उत्पादने सामग्रीचा गंज-प्रतिरोध कसा वाढवतात?
प्रशासकाद्वारे २४-०६-२५ रोजी
टँटॅलम कार्बाइड कोटिंग हे एक सामान्यपणे वापरले जाणारे पृष्ठभाग उपचार तंत्रज्ञान आहे, जे पदार्थांची क्षरण-प्रतिकारशक्ती लक्षणीयरीत्या सुधारू शकते. टँटॅलम कार्बाइड कोटिंग सब्सट्रेटच्या पृष्ठभागावर रासायनिक बाष्प निक्षेपण (केमिकल व्हेपर डिपॉझिशन), भौतिक निक्षेपण (फिजिकल डिपॉझिशन), आणि इतर विविध तयारी पद्धतींद्वारे लावले जाऊ शकते.
अधिक वाचा
तिसऱ्या पिढीतील सेमीकंडक्टर GaN आणि संबंधित एपिटॅक्सियल तंत्रज्ञानाचा परिचय
प्रशासकाद्वारे २४-०६-२५ रोजी
१. तिसऱ्या पिढीचे सेमीकंडक्टर: पहिल्या पिढीचे सेमीकंडक्टर तंत्रज्ञान हे Si आणि Ge सारख्या सेमीकंडक्टर पदार्थांवर आधारित विकसित केले गेले. ट्रान्झिस्टर आणि इंटिग्रेटेड सर्किट तंत्रज्ञानाच्या विकासासाठी हा भौतिक आधार आहे. पहिल्या पिढीच्या सेमीकंडक्टर पदार्थांनी पाया घातला...
अधिक वाचा
सिलिकॉन कार्बाइड स्फटिकांच्या वाढीवर सच्छिद्र ग्रॅफाइटच्या परिणामाचा संख्यात्मक अनुकरण अभ्यास
प्रशासकाद्वारे २४-०६-१८ रोजी
SiC स्फटिकांच्या वाढीची मूलभूत प्रक्रिया उच्च तापमानावर कच्च्या मालाचे ऊर्ध्वपातन आणि विघटन, तापमान प्रवणतेच्या प्रभावाखाली वायू अवस्थेतील पदार्थांचे वहन, आणि बीज स्फटिकावर वायू अवस्थेतील पदार्थांची पुन:स्फटिकीकरण वाढ यांमध्ये विभागली जाते. यावर आधारित, ...
अधिक वाचा
विशेष ग्राफाइटचे प्रकार
प्रशासकाद्वारे २४-०६-१७ रोजी
विशेष ग्रॅफाइट हे उच्च शुद्धता, उच्च घनता आणि उच्च शक्ती असलेले ग्रॅफाइट मटेरियल असून, त्यात उत्कृष्ट गंज-प्रतिरोधकता, उच्च तापमान स्थिरता आणि उत्तम विद्युत वाहकता असते. हे नैसर्गिक किंवा कृत्रिम ग्रॅफाइटपासून, उच्च तापमान उष्णता उपचार आणि उच्च दाब प्रक्रियेनंतर बनवले जाते...
अधिक वाचा
पातळ थर जमा करणाऱ्या उपकरणांचे विश्लेषण – PECVD/LPCVD/ALD उपकरणांची तत्त्वे आणि उपयोग
प्रशासकाद्वारे २४-०६-१२ रोजी
थिन फिल्म डिपॉझिशन म्हणजे सेमीकंडक्टरच्या मुख्य सबस्ट्रेट मटेरियलवर फिल्मचा एक थर चढवणे. ही फिल्म विविध मटेरियलची बनलेली असू शकते, जसे की इन्सुलेटिंग कंपाऊंड सिलिकॉन डायऑक्साइड, सेमीकंडक्टर पॉलिसिलिकॉन, धातू तांबे, इत्यादी. थर चढवण्यासाठी वापरल्या जाणाऱ्या उपकरणाला थिन फिल्म डिपॉझिशन म्हणतात...
अधिक वाचा