خبریں

سلیکون اتنا سخت لیکن اتنا ٹوٹنے والا کیوں ہے؟
بذریعہ منتظم 24-12-10 کو
سلیکون ایک جوہری کرسٹل ہے، جس کے ایٹم ہم آہنگی بانڈز کے ذریعے ایک دوسرے سے جڑے ہوئے ہیں، جو ایک مقامی نیٹ ورک کی ساخت بناتے ہیں۔ اس ڈھانچے میں، ایٹموں کے درمیان ہم آہنگی کے بندھن بہت دشاتمک ہوتے ہیں اور ان میں اعلی بانڈ توانائی ہوتی ہے، جس کی وجہ سے بیرونی قوتوں کے خلاف مزاحمت کرتے وقت سلیکون زیادہ سختی دکھاتا ہے۔
مزید پڑھیں
خشک اینچنگ کے دوران سائیڈ وال کیوں جھک جاتے ہیں؟
بذریعہ منتظم 24-12-03
آئن بمباری کی عدم یکسانیت خشک اینچنگ عام طور پر ایک ایسا عمل ہے جو جسمانی اور کیمیائی اثرات کو یکجا کرتا ہے، جس میں آئن بمباری ایک اہم جسمانی اینچنگ طریقہ ہے۔ اینچنگ کے عمل کے دوران، واقعہ کا زاویہ اور آئنوں کی توانائی کی تقسیم ناہموار ہوسکتی ہے۔ اگر آئن کا واقعہ...
مزید پڑھیں
تین عام سی وی ڈی ٹیکنالوجیز کا تعارف
بذریعہ منتظم 24-12-03
کیمیائی بخارات جمع (CVD) سیمی کنڈکٹر کی صنعت میں مختلف قسم کے مواد کو جمع کرنے کے لیے سب سے زیادہ استعمال ہونے والی ٹیکنالوجی ہے، بشمول موصلی مواد کی ایک وسیع رینج، زیادہ تر دھاتی مواد اور دھاتی مرکب مواد۔ CVD ایک روایتی پتلی فلم کی تیاری کی ٹیکنالوجی ہے۔ اس کا پرنس...
مزید پڑھیں
کیا ہیرا دیگر ہائی پاور سیمی کنڈکٹر آلات کی جگہ لے سکتا ہے؟
بذریعہ منتظم 24-11-25
جدید الیکٹرانک آلات کے سنگ بنیاد کے طور پر، سیمی کنڈکٹر مواد بے مثال تبدیلیوں سے گزر رہے ہیں۔ آج، ہیرا بتدریج اپنی بہترین برقی اور تھرمل خصوصیات کے ساتھ چوتھی نسل کے سیمی کنڈکٹر مواد کے طور پر اپنی عظیم صلاحیت کو ظاہر کر رہا ہے اور انتہائی کنفیوژن کے تحت استحکام...
مزید پڑھیں
سی ایم پی کا پلانرائزیشن میکانزم کیا ہے؟
بذریعہ منتظم 24-11-25
Dual-Damascene ایک پراسیس ٹیکنالوجی ہے جو انٹیگریٹڈ سرکٹس میں میٹل انٹر کنیکٹس بنانے کے لیے استعمال ہوتی ہے۔ یہ دمشق کے عمل کی مزید ترقی ہے۔ ایک ہی عمل کے مرحلے میں ایک ہی وقت میں سوراخوں اور نالیوں کے ذریعے تشکیل دے کر اور انہیں دھات سے بھر کر، ایم کی مربوط مینوفیکچرنگ...
مزید پڑھیں
ٹی اے سی کوٹنگ کے ساتھ گریفائٹ
بذریعہ منتظم 24-11-21
I. پروسیس پیرامیٹر ایکسپلوریشن 1. TaCl5-C3H6-H2-Ar سسٹم 2. جمع درجہ حرارت: تھرموڈینامک فارمولے کے مطابق، یہ شمار کیا جاتا ہے کہ جب درجہ حرارت 1273K سے زیادہ ہوتا ہے تو رد عمل کی گِبس فری توانائی بہت کم ہوتی ہے اور ردعمل نسبتاً مکمل ہوتا ہے۔ حقیقت...
مزید پڑھیں
سلکان کاربائڈ کرسٹل ترقی کے عمل اور آلات ٹیکنالوجی
بذریعہ منتظم 24-11-21
1. SiC کرسٹل گروتھ ٹیکنالوجی روٹ PVT (sublimation method)، HTCVD (ہائی ٹمپریچر CVD)، LPE (مائع مرحلے کا طریقہ) تین عام SiC کرسٹل گروتھ کے طریقے ہیں۔ صنعت میں سب سے زیادہ تسلیم شدہ طریقہ PVT طریقہ ہے، اور 95% سے زیادہ SiC سنگل کرسٹل PVT کے ذریعے اگائے جاتے ہیں...
مزید پڑھیں
غیر محفوظ سلکان کاربن مرکب مواد کی تیاری اور کارکردگی میں بہتری
بذریعہ منتظم 24-11-13
لتیم آئن بیٹریاں بنیادی طور پر اعلی توانائی کی کثافت کی سمت میں ترقی کر رہی ہیں۔ کمرے کے درجہ حرارت پر، سلکان پر مبنی منفی الیکٹروڈ مواد لتیم کے ساتھ لتیم سے بھرپور پروڈکٹ Li3.75Si فیز تیار کرتا ہے، جس کی مخصوص صلاحیت 3572 mAh/g تک ہوتی ہے، جو کہ تھیور سے بہت زیادہ ہے۔
مزید پڑھیں
سنگل کرسٹل سلکان کا تھرمل آکسیکرن
بذریعہ منتظم 24-11-13
سلکان کی سطح پر سلکان ڈائی آکسائیڈ کی تشکیل کو آکسیڈیشن کہا جاتا ہے، اور مستحکم اور مضبوطی سے پیروی کرنے والی سلکان ڈائی آکسائیڈ کی تخلیق نے سلیکون انٹیگریٹڈ سرکٹ پلانر ٹیکنالوجی کی پیدائش کا باعث بنا۔ اگرچہ سلیکون ڈائی آکسائیڈ کو براہ راست سلیکو کی سطح پر اگانے کے بہت سے طریقے ہیں...
مزید پڑھیں