Wafer GaAs da 4 pollici

U Wafer GaAs 4 Inch da VET Energy hè un materiale essenziale per i dispositi optoelettronici è d'alta velocità, cumpresi amplificatori RF, LED è cellule solari. Questi wafers sò cunnisciuti per a so alta mobilità di l'elettroni è a capacità di operà à frequenze più alte, facendu un cumpunente chjave in l'applicazioni avanzate di semiconductor. VET Energy assicura wafers GaAs di alta qualità cun spessore uniforme è difetti minimi, adattati per una gamma di prucessi di fabricazione esigenti.

Questi Wafer GaAs 4 Inch sò cumpatibili cù diversi materiali semiconduttori cum'è Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer è SiN Substrate, rendenduli versatili per l'integrazione in diverse architetture di dispositivi. Ch'ella sia aduprata per a produzzione Epi Wafer o à fiancu di materiali di punta cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer, offrenu una basa affidabile per l'elettronica di prossima generazione. Inoltre, i wafers sò cumplettamente cumpatibili cù i sistemi di manipulazione basati in Cassette, assicurendu operazioni liscia in l'ambienti di ricerca è di fabricazione di altu volume.

VET Energy offre una cartera cumpleta di sustrati semiconduttori, cumprese Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, è AlN Wafer. A nostra diversa linea di prudutti risponde à i bisogni di diverse applicazioni elettroniche, da l'elettronica di putenza à RF è optoelettronica.

VET Energy offre wafers GaAs persunalizabili per risponde à e vostre esigenze specifiche, cumprese diversi livelli di doping, orientazioni è finiture di superficia. U nostru squadra di esperti furnisce supportu tecnicu è serviziu post-vendita per assicurà u vostru successu.