Wafer SiC semiisolante da 6 pollici

Descrizzione corta:

A fetta di carburo di siliciu (SiC) semi-isolante di VET Energy da 6 pollici hè un substratu di alta qualità ideale per una vasta gamma di applicazioni di elettronica di potenza. VET Energy impiega tecniche di crescita avanzate per pruduce fetta di SiC cù una qualità cristallina eccezziunale, una bassa densità di difetti è una alta resistività.


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U wafer SiC semiisolante da 6 pollici di VET Energy hè una suluzione avanzata per applicazioni di alta putenza è alta frequenza, chì offre una cunduttività termica è un isolamentu elettricu superiori. Quessi wafer semiisolanti sò essenziali in u sviluppu di dispositivi cum'è amplificatori RF, interruttori di putenza è altri cumpunenti di alta tensione. VET Energy garantisce una qualità è prestazioni costanti, rendendu questi wafer ideali per una vasta gamma di prucessi di fabricazione di semiconduttori.

In più di e so proprietà isolanti eccezziunali, sti wafer di SiC sò cumpatibili cù una varietà di materiali, cumpresi Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate è Epi Wafer, ciò chì li rende versatili per diversi tipi di prucessi di fabricazione. Inoltre, materiali avanzati cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer ponu esse aduprati in cumbinazione cù sti wafer di SiC, furnendu una flessibilità ancu più grande in i dispositivi elettronichi di alta putenza. I wafer sò cuncipiti per una integrazione perfetta cù i sistemi di gestione standard di l'industria cum'è i sistemi à cassette, assicurendu a facilità d'usu in ambienti di pruduzzione di massa.

VET Energy offre un portafogliu cumpletu di substrati semiconduttori, cumpresi Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3, è AlN Wafer. A nostra linea di prudutti diversificata risponde à i bisogni di diverse applicazioni elettroniche, da l'elettronica di putenza à RF è optoelettronica.

A cialda SiC semi-isolante di 6 pollici offre parechji vantaghji:
Alta tensione di ripartizione: L'ampia banda proibita di SiC permette tensioni di ripartizione più elevate, chì permettenu dispositivi di alimentazione più compatti è efficienti.
Funziunamentu à alta temperatura: L'eccellente conducibilità termica di SiC permette u funziunamentu à temperature più elevate, migliurendu l'affidabilità di u dispusitivu.
Bassa resistenza à l'attivazione: i dispositivi SiC mostranu una resistenza à l'attivazione più bassa, riducendu e perdite di putenza è migliurendu l'efficienza energetica.

VET Energy offre wafer SiC persunalizabili per risponde à i vostri bisogni specifici, cumpresi diversi spessori, livelli di doping è finiture superficiali. A nostra squadra di esperti furnisce supportu tecnicu è serviziu post-vendita per assicurà u vostru successu.

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SPECIFICHE DI WAFERING

*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante

Articulu

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

TTV (GBIR)

≤6um

≤6um

Arcu (GF3YFCD) - Valore Assolutu

≤15μm

≤15μm

≤25μm

≤15μm

Deformazione (GF3YFER)

≤25μm

≤25μm

≤40μm

≤25μm

LTV(SBIR)-10mmx10mm

<2 μm

Bordu di a cialda

Bisellatura

FINITURA DI A SUPERFICIE

*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante

Articulu

8 pollici

6 pollici

4 pollici

nP

n-Pm

n-P

SI

SI

Finitura di a superficia

Lucidatura Ottica à Doppiu Latu, Si-Face CMP

Rugosità di a superficia

(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm
C-Face Ra≤ 0.5nm

(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm
C-Face Ra≤0.5nm

Chips di bordu

Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥0.5mm)

Rientri

Nisunu permessu

Graffii (Si-Face)

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Qtà.≤5, Cumulativu
Lunghezza ≤0.5 × diametru di a cialda

Crepe

Nisunu permessu

Esclusione di u bordu

3mm

tech_1_2_size
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