4-palcový GaAs Wafer od VET Energy je základným materiálom pre vysokorýchlostné a optoelektronické zariadenia, vrátane RF zosilňovačov, LED a solárnych článkov. Tieto doštičky sú známe svojou vysokou mobilitou elektrónov a schopnosťou pracovať pri vyšších frekvenciách, čo z nich robí kľúčový komponent v pokročilých polovodičových aplikáciách. VET Energy zabezpečuje doštičky GaAs najvyššej kvality s rovnomernou hrúbkou a minimálnymi chybami, vhodné pre celý rad náročných výrobných procesov.
Tieto 4-palcové doštičky GaAs sú kompatibilné s rôznymi polovodičovými materiálmi, ako sú Si Wafer, SiC Substrate, SOI Wafer a SiN Substrate, vďaka čomu sú univerzálne pre integráciu do rôznych architektúr zariadení. Či už sa používajú na výrobu Epi Wafer alebo spolu so špičkovými materiálmi ako Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer, ponúkajú spoľahlivý základ pre elektroniku novej generácie. Okrem toho sú doštičky plne kompatibilné s manipulačnými systémami na báze kaziet, čo zaisťuje hladké operácie vo výskumnom prostredí aj v prostredí veľkoobjemovej výroby.
VET Energy ponúka komplexné portfólio polovodičových substrátov vrátane Si Wafer, SiC Substrát, SOI Wafer, SiN Substrát, Epi Wafer, Gallium Oxide Ga2O3 a AlN Wafer. Naša rôznorodá produktová rada uspokojuje potreby rôznych elektronických aplikácií, od výkonovej elektroniky po RF a optoelektroniku.
VET Energy ponúka prispôsobiteľné doštičky GaAs, ktoré spĺňajú vaše špecifické požiadavky, vrátane rôznych úrovní dopovania, orientácií a povrchových úprav. Náš odborný tím poskytuje technickú podporu a popredajný servis, aby bol zaistený váš úspech.
ŠPECIFIKÁCIE WAFEROV
*n-Pm=n-typ Pm-stupeň,n-Ps=n-typ Ps-stupeň,Sl=poloizolačný
| Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤ 6 um | ≤ 6 um | |||
| Bow (GF3YFCD) - Absolútna hodnota | ≤ 15 μm | ≤ 15 μm | ≤ 25 μm | ≤ 15 μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤ 25 μm | ≤ 25 μm | ≤ 40 μm | ≤ 25 μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Oblátkový okraj | Skosenie | ||||
POVRCHOVÁ ÚPRAVA
*n-Pm=n-typ Pm-stupeň,n-Ps=n-typ Ps-stupeň,Sl=poloizolačný
| Položka | 8-palcový | 6-palcový | 4-palcový | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Povrchová úprava | Obojstranný optický lesk, Si-Face CMP | ||||
| Drsnosť povrchu | (10 um x 10 um) Si-FaceRa ≤ 0,2 nm | (5 um x 5 um) Si-Face Ra ≤ 0,2 nm | |||
| Hranové čipy | Nie je povolené (dĺžka a šírka ≥ 0,5 mm) | ||||
| Zarážky | Žiadne Povolené | ||||
| Škrabance (Si-Face) | Množ.≤5, Kumulatívne | Množ.≤5, Kumulatívne | Množ.≤5, Kumulatívne | ||
| Trhliny | Žiadne Povolené | ||||
| Vylúčenie okrajov | 3 mm | ||||
-
Ohybný grafitový papier s vysokou hustotou...
-
Batéria UAV využíva vodíkové palivové články Pem
-
Súprava vodíkového palivového reaktora Vysoká účinnosť a G...
-
Prispôsobená forma na tavenie kovov SIC ingotová forma, silikón...
-
palivový článok, špeciálny prípravok na testovanie výkonu...
-
Splietaná šnúra z grafitu/uhlíkového vlákna do vysávača...

