U 8 Inch P Type Silicon Wafer da VET Energy hè un wafer di siliciu d'altu rendimentu cuncepitu per una larga gamma di applicazioni di semiconduttori, cumprese celle solari, dispositivi MEMS è circuiti integrati. Cunnisciuta per a so eccellente conduttività elettrica è u so rendimentu consistente, questa wafer hè a scelta preferita per i pruduttori chì cercanu di pruduce cumpunenti elettronichi affidabili è efficienti. VET Energy assicura livelli di doping precisi è una finitura di superficia di alta qualità per a fabricazione ottimali di u dispositivu.
Questi 8 Inch P Type Silicon Wafers sò cumpletamente cumpatibili cù diversi materiali cum'è SiC Substrate, SOI Wafer, SiN Substrate, è sò adattati per a crescita Epi Wafer, assicurendu a versatilità per i prucessi avanzati di fabricazione di semiconduttori. I wafers ponu ancu esse aduprati in cunjunzione cù altri materiali d'alta tecnulugia cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer, facenu ideali per l'applicazioni elettroniche di a prossima generazione. U so design robustu si adatta ancu perfettamente à i sistemi basati in Cassette, assicurendu una gestione di produzzione efficiente è di grande volume.
VET Energy offre à i clienti soluzioni di wafer persunalizati. Pudemu persunalizà wafers cù diverse resistività, cuntenutu di ossigenu, spessore, etc., secondu i bisogni specifichi di i clienti. Inoltre, furnimu ancu un supportu tecnicu prufessiunale è un serviziu post-vendita per aiutà i clienti à risolve diversi prublemi incontrati durante u prucessu di produzzione.
SPECIFICAZIONI WAFERING
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
| Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤ 6um | ≤ 6um | |||
| Arcu (GF3YFCD) - Valore assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Warp (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV (SBIR) - 10 mm x 10 mm | <2μm | ||||
| Wafer Edge | Bisellu | ||||
FINITURA DI SUPERFICIE
*n-Pm=n-type Pm-Grade, n-Ps=n-tipu Ps-Grade, Sl=Semi-isolante
| Articulu | 8-inch | 6-inch | 4-inch | ||
| nP | n-Pm | n-Ps | SI | SI | |
| Finitura di a superficia | Lucido ottico doppia faccia, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Chips Edge | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥ 0,5 mm) | ||||
| Indentati | Nisunu permessu | ||||
| Scratchs (Si-Face) | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | Qty.≤5, Cumulative | ||
| Cracks | Nisunu permessu | ||||
| Exclusion di Edge | 3 mm | ||||
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