A cialda SOI di 12 pollici di VET Energy hè un materiale di substratu semiconduttore d'alte prestazioni, assai apprezzatu per e so eccellenti proprietà elettriche è a so struttura unica. VET Energy utilizza prucessi avanzati di fabricazione di cialde SOI per assicurà chì a cialda abbia una corrente di dispersione estremamente bassa, alta velocità è resistenza à e radiazioni, furnendu una basa solida per i vostri circuiti integrati d'alte prestazioni.
A linea di prudutti di VET Energy ùn hè micca limitata à i wafers SOI. Offremu ancu una larga gamma di materiali di substratu semiconduttori, cumpresi Si Wafer, SiC Substrate, SiN Substrate, Epi Wafer, ecc., è ancu novi materiali semiconduttori à banda larga cum'è Gallium Oxide Ga2O3 è AlN Wafer. Quessi prudutti ponu risponde à i bisogni applicativi di diversi clienti in elettronica di putenza, RF, sensori è altri campi.
Cuncentrati nantu à l'eccellenza, i nostri wafer SOI utilizanu ancu materiali avanzati cum'è l'ossidu di galliu Ga2O3, cassette è wafer AlN per assicurà l'affidabilità è l'efficienza à ogni livellu operativu. Fidatevi di VET Energy per furnisce suluzioni d'avanguardia chì aprenu a strada à u prugressu tecnologicu.
Liberate u putenziale di u vostru prughjettu cù a prestazione superiore di i wafer SOI di 12 pollici di VET Energy. Aumentate e vostre capacità d'innuvazione cù wafer chì incarnanu qualità, precisione è innovazione, ponendu e basi per u successu in u campu dinamicu di a tecnulugia di i semiconduttori. Sceglite VET Energy per suluzioni di wafer SOI premium chì superanu l'aspettative.
SPECIFICHE DI WAFERING
*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante
| Articulu | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| TTV (GBIR) | ≤6um | ≤6um | |||
| Arcu (GF3YFCD) - Valore Assolutu | ≤15μm | ≤15μm | ≤25μm | ≤15μm | |
| Deformazione (GF3YFER) | ≤25μm | ≤25μm | ≤40μm | ≤25μm | |
| LTV(SBIR)-10mmx10mm | <2 μm | ||||
| Bordu di a cialda | Bisellatura | ||||
FINITURA DI A SUPERFICIE
*n-Pm=tipu n-gradu Pm,n-Ps=tipu n-gradu Ps,Sl=Semi-insulante
| Articulu | 8 pollici | 6 pollici | 4 pollici | ||
| nP | n-Pm | n-P | SI | SI | |
| Finitura di a superficia | Lucidatura Ottica à Doppiu Latu, Si-Face CMP | ||||
| Rugosità di a superficia | (10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm | (5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm | |||
| Chips di bordu | Nisunu permessu (lunghezza è larghezza ≥0.5mm) | ||||
| Rientri | Nisunu permessu | ||||
| Graffii (Si-Face) | Qtà.≤5, Cumulativu | Qtà.≤5, Cumulativu | Qtà.≤5, Cumulativu | ||
| Crepe | Nisunu permessu | ||||
| Esclusione di u bordu | 3mm | ||||
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