8 դյույմ P տեսակի սիլիկոնային վաֆլի

8 դյույմ P տիպի սիլիկոնային վաֆլի Ընտրված պատկեր

Կարճ նկարագրություն.

Ներկայացնում ենք պրեմիում դասի 8 դյույմ P տիպի սիլիկոնային վաֆլի, որը գերազանցության նշան է VET Energy-ի կողմից: Այս բացառիկ վաֆլի, որն ունի P-տիպի դոպինգ պրոֆիլը, մանրակրկիտ մշակված է որակի և կատարողականի ամենաբարձր չափանիշներին համապատասխանելու համար:

Նամակ ուղարկեք մեզ Ներբեռնեք որպես PDF

Ապրանքի մանրամասն

Ապրանքի պիտակներ

8 դյույմ P Type Silicon Wafer-ը VET Energy-ից բարձր արդյունավետության սիլիկոնային վաֆլի է, որը նախատեսված է կիսահաղորդչային կիրառությունների լայն շրջանակի համար, ներառյալ արևային բջիջները, MEMS սարքերը և ինտեգրալ սխեմաները: Հայտնի է իր գերազանց էլեկտրական հաղորդունակությամբ և կայուն գործունակությամբ, այս վաֆլի նախընտրելի ընտրությունն է այն արտադրողների համար, ովքեր ցանկանում են արտադրել հուսալի և արդյունավետ էլեկտրոնային բաղադրիչներ: VET Energy-ն ապահովում է դոպինգի ճշգրիտ մակարդակ և մակերեսի բարձրորակ հարդարում սարքի օպտիմալ պատրաստման համար:

Այս 8 դյույմ P տիպի սիլիկոնային վաֆլիները լիովին համատեղելի են տարբեր նյութերի հետ, ինչպիսիք են SiC Substrate-ը, SOI Wafer-ը, SiN Substrate-ը և հարմար են Epi Wafer-ի աճի համար՝ ապահովելով բազմակողմանիություն կիսահաղորդիչների արտադրության առաջադեմ գործընթացների համար: Վաֆլիները կարող են օգտագործվել նաև բարձր տեխնոլոգիական այլ նյութերի հետ միասին, ինչպիսիք են Gallium Oxide Ga2O3-ը և AlN Wafer-ը, ինչը նրանց դարձնում է իդեալական հաջորդ սերնդի էլեկտրոնային ծրագրերի համար: Նրանց ամուր դիզայնը նաև անխափան կերպով տեղավորվում է ձայներիզների վրա հիմնված համակարգերի մեջ՝ ապահովելով արդյունավետ և մեծ ծավալի արտադրություն:

VET Energy-ն հաճախորդներին տրամադրում է հարմարեցված վաֆլի լուծումներ: Մենք կարող ենք հարմարեցնել վաֆլիները տարբեր դիմադրողականությամբ, թթվածնի պարունակությամբ, հաստությամբ և այլն՝ ըստ հաճախորդների հատուկ կարիքների: Բացի այդ, մենք տրամադրում ենք նաև պրոֆեսիոնալ տեխնիկական աջակցություն և վաճառքից հետո սպասարկում՝ օգնելու հաճախորդներին լուծել արտադրական գործընթացի ընթացքում առաջացած տարբեր խնդիրները:

ՎԱՖԵՐԻՆԳԻ ՏԵՍԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐ

*n-Pm=n-տիպ Pm-Դասարան,n-Ps=n-տիպ Ps-Դասարան,Sl=Կիսամեկուսիչ

Նյութ	8-դյույմ	6-դյույմ			4-դյույմ
Նյութ	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
TTV (GBIR)	≤6մմ	≤6մմ
Bow (GF3YFCD) - Բացարձակ արժեք	≤15 մկմ	≤15 մկմ	≤25 մկմ		≤15 մկմ
Warp (GF3YFER)	≤25 մկմ	≤25 մկմ	≤40 մկմ		≤25 մկմ
LTV (SBIR) - 10 մմx10 մմ	<2 մկմ
Վաֆլի եզր	Փեղկավոր

Մակերեւութային ՖԻՆԻՇ

*n-Pm=n-տիպ Pm-Դասարան,n-Ps=n-տիպ Ps-Դասարան,Sl=Կիսամեկուսիչ

Նյութ	8-դյույմ	6-դյույմ			4-դյույմ
	nP	n-Pm	n-Ps	SI	SI
Մակերեւույթի ավարտ	Երկկողմանի օպտիկական լեհ, Si- Face CMP
Մակերեւութային կոշտություն	(10um x 10um) Si-FaceRa≤0.2nm C-Face Ra≤ 0.5nm			(5umx5um) Si-Face Ra≤0.2nm C-Face Ra≤0.5nm
Եզրային չիպսեր	Չի թույլատրվում (երկարությունը և լայնությունը≥0,5 մմ)
Նահանջներ	Չի թույլատրվում
Քերծվածքներ (Si-Face)	Քանակ.≤5,Կումուլյատիվ Երկարությունը≤0,5×վաֆլի տրամագիծը	Քանակ.≤5,Կումուլյատիվ Երկարությունը≤0,5×վաֆլի տրամագիծը			Քանակ.≤5,Կումուլյատիվ Երկարությունը≤0,5×վաֆլի տրամագիծը
Ճաքեր	Չի թույլատրվում
Եզրերի բացառումը	3 մմ