Cum'è un novu tipu di materiale semiconduttore, u SiC hè diventatu u materiale semiconduttore u più impurtante per a fabricazione di dispositivi optoelettronici à lunghezza d'onda corta, dispositivi à alta temperatura, dispositivi di resistenza à e radiazioni è dispositivi elettronichi d'alta putenza/alta putenza per via di e so eccellenti proprietà fisiche è chimiche è proprietà elettriche. In particulare quandu sò applicati in cundizioni estreme è dure, e caratteristiche di i dispositivi SiC superanu di gran lunga quelle di i dispositivi Si è di i dispositivi GaAs. Dunque, i dispositivi SiC è vari tipi di sensori sò diventati gradualmente unu di i dispositivi chjave, ghjucendu un rolu sempre più impurtante.
I dispusitivi è i circuiti SiC si sò sviluppati rapidamente dapoi l'anni 1980, in particulare dapoi u 1989 quandu a prima cialda di substratu SiC hè entrata in u mercatu. In certi campi, cum'è i diodi emettitori di luce, i dispusitivi d'alta frequenza, alta putenza è alta tensione, i dispusitivi SiC sò stati largamente aduprati cummercialmente. U sviluppu hè rapidu. Dopu à quasi 10 anni di sviluppu, u prucessu di i dispusitivi SiC hè statu capace di fabricà dispusitivi cummerciali. Un certu numeru di cumpagnie rapprisentate da Cree anu cuminciatu à offre prudutti cummerciali di dispusitivi SiC. L'istituti di ricerca naziunali è l'università anu ancu fattu risultati gratificanti in a crescita di u materiale SiC è in a tecnulugia di fabricazione di dispusitivi. Ancu s'è u materiale SiC hà proprietà fisiche è chimiche assai superiori, è a tecnulugia di i dispusitivi SiC hè ancu matura, e prestazioni di i dispusitivi è circuiti SiC ùn sò micca superiori. In più di u materiale SiC è di u prucessu di i dispusitivi, ci vole à migliurà constantemente. Ci vole à fà più sforzi per sfruttà i materiali SiC ottimizendu a struttura di i dispusitivi S5C o pruponendu una nova struttura di dispusitivi.
Attualmente. A ricerca di i dispusitivi SiC si cuncentra principalmente nantu à i dispusitivi discreti. Per ogni tipu di struttura di dispusitivu, a ricerca iniziale hè di trasplantà simpliciamente a struttura di u dispusitivu Si o GaAs currispundente à SiC senza ottimizà a struttura di u dispusitivu. Siccomu u stratu d'ossidu intrinsecu di SiC hè u listessu chè Si, chì hè SiO2, significa chì a maiò parte di i dispusitivi Si, in particulare i dispusitivi m-pa, ponu esse fabbricati nantu à SiC. Ancu s'ellu hè solu un trasplante simplice, alcuni di i dispusitivi ottenuti anu ottenutu risultati satisfacenti, è alcuni di i dispusitivi sò digià entrati in u mercatu di fabbrica.
I dispusitivi optoelettronici SiC, in particulare i diodi emettitori di luce blu (BLU-ray led), sò entrati in u mercatu à l'iniziu di l'anni 1990 è sò i primi dispusitivi SiC prudutti in massa. I diodi Schottky SiC à alta tensione, i transistor di putenza RF SiC, i MOSFET SiC è i mesFET sò ancu dispunibili in cummerciu. Benintesa, e prestazioni di tutti questi prudutti SiC sò luntanu da ghjucà e super caratteristiche di i materiali SiC, è a funzione è e prestazioni più forti di i dispusitivi SiC anu sempre bisognu di esse ricercate è sviluppate. Tali trapianti simplici spessu ùn ponu micca sfruttà cumpletamente i vantaghji di i materiali SiC. Ancu in l'area di alcuni vantaghji di i dispusitivi SiC. Alcuni di i dispusitivi SiC inizialmente fabbricati ùn ponu micca currisponde à e prestazioni di i dispusitivi Si o CaAs currispondenti.
Per trasfurmà megliu i vantaghji di e caratteristiche di u materiale SiC in i vantaghji di i dispositivi SiC, stemu attualmente studiendu cumu ottimizà u prucessu di fabricazione di u dispositivu è a struttura di u dispositivu o sviluppà nuove strutture è novi prucessi per migliurà a funzione è e prestazioni di i dispositivi SiC.
Data di publicazione: 23 d'aostu 2022