Яңа төр ярымүткәргеч материал буларак, SiC, үзенең искиткеч физик һәм химик үзлекләре һәм электр үзлекләре аркасында, кыска дулкынлы оптоэлектрон җайланмалар, югары температуралы җайланмалар, нурланышка чыдам җайланмалар һәм югары куәтле/югары куәтле электрон җайланмалар җитештерү өчен иң мөһим ярымүткәргеч материалга әйләнде. Аеруча экстремаль һәм каты шартларда кулланылганда, SiC җайланмаларының үзенчәлекләре Si җайланмалары һәм GaAs җайланмаларынкыннан күпкә узып китә. Шуңа күрә, SiC җайланмалары һәм төрле сенсорлар әкренләп төп җайланмаларның берсенә әйләнде, барган саен мөһимрәк роль уйный башлады.
SiC җайланмалары һәм схемалары 1980 еллардан бирле, бигрәк тә 1989 елда беренче SiC субстрат пластинасы базарга чыкканнан бирле тиз үсеш алды. Яктылык чыгаручы диодлар, югары ешлыклы югары куәтле һәм югары вольтлы җайланмалар кебек кайбер өлкәләрдә SiC җайланмалары коммерция максатларында киң кулланыла башлады. Үсеш тиз бара. Якынча 10 еллык үсештән соң, SiC җайланмалары процессы коммерция җайланмалары җитештерә алды. Cree компаниясе тәкъдим иткән берничә компания SiC җайланмаларының коммерция продуктларын тәкъдим итә башлады. Эчке тикшеренү институтлары һәм университетлар да SiC материаллары үсеше һәм җайланмалар җитештерү технологиясендә канәгатьләнерлек казанышларга ирештеләр. SiC материалы бик югары физик һәм химик үзлекләргә ия булса да, һәм SiC җайланмалары технологиясе дә өлгергән булса да, SiC җайланмалары һәм схемаларының эшчәнлеге югарырак түгел. Моннан тыш, SiC материалы һәм җайланмалары процессын даими яхшыртырга кирәк. S5C җайланмалары структурасын оптимальләштерү яки яңа җайланма структурасын тәкъдим итү юлы белән SiC материалларыннан ничек файдаланырга күбрәк тырышлык куярга кирәк.
Хәзерге вакытта SiC җайланмаларын тикшерү, нигездә, дискрет җайланмаларга юнәлтелгән. Һәр төр җайланма структурасы өчен башлангыч тикшеренүләр, җайланма структурасын оптимальләштермичә, тиешле Si яки GaAs җайланма структурасын SiCга күчерүдән гыйбарәт. SiCның эчке оксид катламы Si белән бер үк, ягъни SiO2 булганлыктан, күпчелек Si җайланмаларын, бигрәк тә m-pa җайланмаларын, SiCда җитештереп була дигән сүз. Бу гади генә күчерү булса да, алынган җайланмаларның кайберләре канәгатьләнерлек нәтиҗәләргә иреште, һәм кайбер җайланмалар инде завод базарына чыкты.
SiC оптоэлектрон җайланмалары, аеруча зәңгәр яктылык чыгаручы диодлар (BLU-nur LED), 1990-нчы еллар башында базарга чыкты һәм беренче күпләп җитештерелгән SiC җайланмалары булып тора. Югары көчәнешле SiC Шоттки диодлары, SiC RF көч транзисторлары, SiC MOSFET һәм mesFETлар да коммерциядә сатыла. Әлбәттә, бу SiC продуктларының барысының да эшләве SiC материалларының супер үзенчәлекләренә туры килми, һәм SiC җайланмаларының көчлерәк функциясен һәм эшләвен әле дә өйрәнергә һәм эшләргә кирәк. Мондый гади күчерүләр еш кына SiC материалларының өстенлекләрен тулысынча файдалана алмый. Хәтта SiC җайланмаларының кайбер өстенлекләре өлкәсендә дә. Башта җитештерелгән кайбер SiC җайланмалары тиешле Si яки CaAs җайланмаларының эшләвенә тиңләшә алмый.
SiC материал үзенчәлекләренең өстенлекләрен SiC җайланмаларының өстенлекләренә яхшырак үзгәртү өчен, без хәзерге вакытта җайланма җитештерү процессын һәм җайланма структурасын ничек оптимальләштерергә яки SiC җайланмаларының функциясен һәм эшчәнлеген яхшырту өчен яңа структуралар һәм яңа процесслар эшләргә өйрәнәбез.
Бастырып чыгару вакыты: 2022 елның 23 августы