SiC, ut novum genus materiae semiconductricis, propter suas proprietates physicas et chemicas excellentes et proprietates electricas, materia semiconductrix gravissima facta est ad fabricanda instrumenta optoelectronica brevis undae, instrumenta altae temperaturae, instrumenta resistentiae radiationis, et instrumenta electronica magnae potentiae/magnae potentiae. Praesertim cum sub condicionibus extremis et asperis adhibetur, proprietates instrumentorum SiC longe superant eas instrumentorum Si et instrumentorum GaAs. Quapropter, instrumenta SiC et varia genera sensorum paulatim inter instrumenta praecipua facta sunt, partes magis magisque importantes agentes.
Instrumenta et circuiti SiC celeriter evoluta sunt ab annis 1980, praesertim ab anno 1989, cum prima lamella substrati SiC in forum venit. In quibusdam campis, ut diodis luminis emittentibus, instrumentis altae frequentiae, altae potentiae et altae tensionis, instrumenta SiC late commercialiter adhibita sunt. Progressus rapidus est. Post fere decem annos evolutionis, processus instrumentorum SiC instrumenta commercialia fabricare potuit. Nonnullae societates a Cree repraesentatae producta commercialia instrumentorum SiC offerre coeperunt. Instituta investigationis domestica et universitates etiam res gestas gratas in incremento materiae SiC et technologia fabricationis instrumentorum fecerunt. Quamquam materia SiC proprietates physicas et chemicas valde superiores habet, et technologia instrumentorum SiC etiam matura est, tamen effectus instrumentorum et circuitorum SiC non est superior. Praeter materiam SiC et processum instrumentorum constanter emendandi sunt. Plures conatus adhibendi sunt in quomodo commodis materiae SiC uti possimus per optimizationem structurae instrumentorum S5C vel proponendam novam structuram instrumentorum.
In praesenti, investigatio instrumentorum SiC imprimis in instrumentis discretis versatur. Pro quolibet genere structurae instrumentorum, prima investigatio est simpliciter structuram Si vel GaAs correspondentem in SiC transferre sine structura instrumentorum optimizanda. Cum stratum oxidi intrinsecum SiC idem sit ac Si, quod est SiO2, significat pleraque instrumenta Si, praesertim instrumenta m-pa, in SiC fabricari posse. Quamquam simplex tantum transplantatio est, nonnulla instrumenta obtenta eventus satisfactorios assecuti sunt, et nonnulla instrumenta iam in mercatum fabricarum venerunt.
Instrumenta optoelectronica SiC, praesertim diodae caeruleae lucis emittentes (BLU-ray LED), in forum ingressae sunt initio annorum 1990 et prima instrumenta SiC in magna copia producta sunt. Diodae Schottky SiC altae tensionis, transistores potentiae RF SiC, MOSFETs SiC et mesFETs etiam in commercio praesto sunt. Scilicet, efficacia horum omnium productorum SiC longe abest ab eo ut praeclarae proprietates materiarum SiC adipiscatur, et functiones et efficacia fortiores instrumentorum SiC adhuc investigandae et evolvendae sunt. Tales simplices transplantationes saepe non plene commodis materiarum SiC uti possunt. Ne in regione quarundam commoditatum instrumentorum SiC, quaedam instrumenta SiC initio fabricata efficaciam instrumentorum Si vel CaAs correspondentium aequare possunt.
Ut commoda proprietatum materiae SiC in commoda instrumentorum SiC melius transformemus, nunc investigamus quomodo processum fabricationis instrumentorum et structuram instrumentorum optimizare possimus, vel novas structuras et novos processus evolvere ad functionem et efficaciam instrumentorum SiC emendandam.
Tempus publicationis: XXIII Augusti, MMXXII