Berriak

Silizio monokristalinoaren hazkuntzaren kalitatea zehazten duten material garrantzitsuak – eremu termikoa
administratzaileak 2012-06-24an
Silizio monokristalinoaren hazkuntza-prozesua eremu termikoan egiten da erabat. Eremu termiko on batek kristalen kalitatea hobetzen laguntzen du eta kristalizazio-eraginkortasun handiagoa du. Eremu termikoaren diseinuak tenperatura-gradienteen aldaketak zehazten ditu neurri handi batean...
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira silizio karburozko kristalen hazkuntza-labearen zailtasun teknikoak?
administratzaileak 2007-06-24an
Kristal hazkuntzako labea silizio karburozko kristal hazkuntzarako ekipamendu nagusia da. Silizio kristalinozko kristal hazkuntzako labe tradizionalaren antzekoa da. Labearen egitura ez da oso konplikatua. Batez ere labearen gorputzaz, berogailu sistemaz, bobinaren transmisio mekanismoaz... osatuta dago.
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira silizio karburozko epitaxial geruzaren akatsak?
administratzaileak 2005-06-24an
SiC epitaxial materialen hazkuntzarako oinarrizko teknologia, lehenik eta behin, akatsak kontrolatzeko teknologia da, batez ere gailuaren akats edo fidagarritasun degradazio joera duen akatsen kontrol teknologiarentzat. Substratuaren akatsen epitaxialera hedatzen den mekanismoaren azterketa...
Irakurri gehiago
Oxidatutako ale zutik eta hazkuntza epitaxialaren teknologia-II
administratzaileak idatzia 24-05-30ean
2. Geruza mehe epitaxialaren hazkuntza Substratuak Ga2O3 potentzia-gailuentzako euskarri-geruza fisikoa edo eroale-geruza eskaintzen du. Hurrengo geruza garrantzitsua tentsio-erresistentziarako eta eramaileen garraiorako erabiltzen den kanal-geruza edo geruza epitaxiala da. Matxura-tentsioa handitzeko eta kon...
Irakurri gehiago
Galio oxido kristal bakarreko eta hazkunde epitaxialeko teknologia
administratzaileak idatzia 24-05-30ean
Silizio karburoak (SiC) eta galio nitruroak (GaN) ordezkatutako banda-tarte zabaleko (WBG) erdieroaleek arreta handia jaso dute. Jendeak itxaropen handiak ditu silizio karburoak ibilgailu elektrikoetan eta sare elektrikoetan dituen aplikazio-aukerei buruz, baita galioaren aplikazio-aukerei buruz ere...
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira silizio karburoaren oztopo teknikoak? II.
administratzaileak 2022-05-24an
Silizio karburozko obleak errendimendu egonkorreko kalitate handiko ekoizpen masiboa egiteko zailtasun teknikoak hauek dira: 1) Kristalak 2000 °C-tik gorako tenperatura altuko ingurune zigilatu batean hazi behar direnez, tenperatura kontrolatzeko eskakizunak oso altuak dira; 2) Silizio karburoak ...
Irakurri gehiago
Zeintzuk dira silizio karburoaren oztopo teknikoak?
administratzaileak 2022-05-24an
Erdieroaleen lehen belaunaldiko materialak silizio (Si) eta germanio (Ge) tradizionalak dira, zirkuitu integratuen fabrikazioaren oinarri direnak. Oso erabiliak dira tentsio baxuko, maiztasun baxuko eta potentzia baxuko transistore eta detektagailuetan. Erdieroaleen produktuen % 90 baino gehiago...
Irakurri gehiago
Nola egiten da SiC mikrohautsa?
administratzaileak 2013-05-24an
SiC kristal bakarra IV-IV taldeko konposatu erdieroale materiala da, bi elementuz osatua, Si eta C, 1:1eko erlazio estekiometrikoan. Bere gogortasuna diamantearen atzetik bigarrena da. SiC prestatzeko silizio oxidoaren karbono murrizketa metodoa batez ere erreakzio kimiko honen formulan oinarritzen da...
Irakurri gehiago
Nola laguntzen diete geruza epitaxialek gailu erdieroaleei?
administratzaileak 2013-05-24an
Oblea epitaxial izenaren jatorria Lehenik eta behin, kontzeptu txiki bat ezagutaraziko dugu: oblearen prestaketak bi lotura nagusi ditu: substratuaren prestaketa eta prozesua epitaxiala. Substratua kristal bakarreko material erdieroalez egindako oblea da. Substratua zuzenean sar daiteke oblearen fabrikatzailean...
Irakurri gehiago