خەۋەرلەر

مونوكرىستاللىق كرېمنىينىڭ ئۆسۈش سۈپىتىنى بەلگىلەيدىغان مۇھىم ماتېرىياللار - ئىسسىقلىق مەيدانى
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 24-06-12 كۈنى يېزىلغان
مونوكرىستاللىق كرېمنىينىڭ ئۆسۈش جەريانى پۈتۈنلەي ئىسسىقلىق مەيدانىدا ئېلىپ بېرىلىدۇ. ياخشى ئىسسىقلىق مەيدانى كرىستاللارنىڭ سۈپىتىنى ياخشىلاشقا پايدىلىق بولۇپ، يۇقىرى كرىستاللىشىش ئۈنۈمىگە ئىگە. ئىسسىقلىق مەيدانىنىڭ لايىھىسى ئاساسلىقى تېمپېراتۇرا گرادىيېنتىنىڭ ئۆزگىرىشىنى بەلگىلەيدۇ...
كۆپرەك ئوقۇڭ
كرېمنىي كاربىد كرىستال ئۆستۈرۈش ئوچىقىنىڭ تېخنىكىلىق قىيىنچىلىقلىرى نېمە؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 24-06-07 كۈنى يېزىلغان
كىرىستال ئۆستۈرۈش ئوچىقى كرېمنىي كاربىد كىرىستال ئۆستۈرۈشنىڭ يادرولۇق ئۈسكۈنىسى. ئۇ ئەنئەنىۋى كىرىستال كرېمنىي دەرىجىلىك كىرىستال ئۆستۈرۈش ئوچىقىغا ئوخشايدۇ. ئوچاقنىڭ قۇرۇلمىسى ئانچە مۇرەككەپ ئەمەس. ئۇ ئاساسلىقى ئوچاق گەۋدىسى، ئىسسىتىش سىستېمىسى، چاق ئۆتكۈزۈش مېخانىزمى ... قاتارلىقلاردىن تەركىب تاپقان.
كۆپرەك ئوقۇڭ
كرېمنىي كاربىد ئېپىتاكسىيال قەۋىتىنىڭ كەمتۈكلۈكلىرى نېمە؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 24-06-05 كۈنى يېزىلغان
SiC ئېپىتاكسىيال ماتېرىياللىرىنى ئۆستۈرۈشتىكى يادرولۇق تېخنىكا، بولۇپمۇ ئۈسكۈنە مەغلۇبىيىتى ياكى ئىشەنچلىكلىكىنىڭ تۆۋەنلىشىگە ئاسان ئۇچرايدىغان نۇقسان كونترول تېخنىكىسى ئۈچۈن، بىرىنچىدىن، نۇقسان كونترول تېخنىكىسى. ئاساسىي قاتلام نۇقسانلىرىنىڭ ئېپىتاكسىيالغا كېڭىيىش مېخانىزمىنى تەتقىق قىلىش...
كۆپرەك ئوقۇڭ
ئوكسىدلانغان تىك دان ۋە ئېپىتاكسىيال ئۆستۈرۈش تېخنىكىسى - 2
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 24-05-30 كۈنى يېزىلغان
2. ئېپىتاكسىيال نېپىز پەردە ئۆسۈشى ئاساسىي قاتلام Ga2O3 توك ئۈسكۈنىلىرى ئۈچۈن فىزىكىلىق تىرەك قەۋىتى ياكى ئۆتكۈزگۈچ قەۋەت بىلەن تەمىنلەيدۇ. كېيىنكى مۇھىم قەۋەت توك بېسىمىغا قارشىلىق كۆرسىتىش ۋە توشۇغۇچى توشۇش ئۈچۈن ئىشلىتىلىدىغان قانال قەۋىتى ياكى ئېپىتاكسىيال قەۋەت. بۇزۇلۇش توك بېسىمىنى ئاشۇرۇش ۋە ...
كۆپرەك ئوقۇڭ
گاللىي ئوكسىد يەككە كرىستال ۋە ئېپىتاكسىيال ئۆسۈش تېخنىكىسى
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 24-05-30 كۈنى يېزىلغان
كرېمنىي كاربىد (SiC) ۋە گاللىي نىترىد (GaN) قاتارلىق كەڭ بەلۋاغلىق يېرىم ئۆتكۈزگۈچلەر كەڭ دائىرىدە دىققەت قوزغىدى. كىشىلەر كرېمنىي كاربىدنىڭ ئېلېكتر ماشىنىلىرى ۋە ئېلېكتر تورىدا قوللىنىلىش ئىستىقبالىغا، شۇنداقلا گاللىينىڭ قوللىنىلىش ئىستىقبالىغا يۇقىرى ئۈمىد باغلىدى...
كۆپرەك ئوقۇڭ
كرېمنىي كاربىدنىڭ تېخنىكىلىق توسالغۇلىرى نېمە؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 24-05-22 كۈنى يېزىلغان
يۇقىرى سۈپەتلىك ۋە مۇقىم ئىقتىدارغا ئىگە كرېمنىي كاربىد ۋاپپىلىرىنى مۇقىم كۆپ مىقداردا ئىشلەپچىقىرىشتىكى تېخنىكىلىق قىيىنچىلىقلار تۆۋەندىكىلەرنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ: 1) كرىستاللار 2000 سېلسىيە گرادۇستىن يۇقىرى تېمپېراتۇرىلىق يېپىق مۇھىتتا ئۆسۈشى كېرەك بولغاچقا، تېمپېراتۇرا كونترول قىلىش تەلىپى ئىنتايىن يۇقىرى؛ 2) كرېمنىي كاربىدى ... بولغاچقا
كۆپرەك ئوقۇڭ
كرېمنىي كاربىدنىڭ تېخنىكىلىق توسالغۇلىرى نېمە؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 24-05-22 كۈنى يېزىلغان
يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىياللارنىڭ تۇنجى ئەۋلادى ئەنئەنىۋى كرېمنىي (Si) ۋە گېرمانىي (Ge) دىن تەركىب تاپقان بولۇپ، ئۇلار بىرلەشتۈرۈلگەن توك يولى ئىشلەپچىقىرىشنىڭ ئاساسى. ئۇلار تۆۋەن توك بېسىمى، تۆۋەن چاستوتا ۋە تۆۋەن قۇۋۋەتلىك ترانسىستورلار ۋە دېتېكتورلاردا كەڭ قوللىنىلىدۇ. يېرىم ئۆتكۈزگۈچ مەھسۇلاتلىرىنىڭ %90 تىن كۆپرەكى ...
كۆپرەك ئوقۇڭ
SiC مىكرو پاراشوكى قانداق ياسىلىدۇ؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 24-05-13 كۈنى يېزىلغان
SiC يەككە كىرىستال IV-IV گۇرۇپپىدىكى بىرىكمە يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ماتېرىيال بولۇپ، ئىككى ئېلېمېنت، يەنى Si ۋە C دىن تەركىب تاپقان بولۇپ، ستېخىئومېتىرىيەلىك نىسبەت 1:1. ئۇنىڭ قاتتىقلىقى ئالماستىن قالسىلا ئىككىنچى ئورۇندا تۇرىدۇ. SiC نى تەييارلاش ئۈچۈن كاربون قايتۇرۇش ئۇسۇلى ئاساسلىقى تۆۋەندىكى خىمىيىلىك رېئاكسىيە فورمۇلاسىغا ئاساسلىنىدۇ...
كۆپرەك ئوقۇڭ
ئېپىتاكسىيال قەۋەتلەر يېرىم ئۆتكۈزگۈچ ئۈسكۈنىلەرگە قانداق ياردەم بېرىدۇ؟
باشقۇرغۇچى تەرىپىدىن 24-05-13 كۈنى يېزىلغان
ئېپىتاكسىيال ۋافېر نامىنىڭ كېلىپ چىقىشى ئالدى بىلەن، كىچىك بىر ئۇقۇمنى ئومۇملاشتۇرايلى: ۋافېر تەييارلاش ئىككى چوڭ ھالقىنى ئۆز ئىچىگە ئالىدۇ: ئاساسىي ماتېرىيال تەييارلاش ۋە ئېپىتاكسىيال جەريان. ئاساسىي ماتېرىيال يېرىم ئۆتكۈزگۈچ يەككە كىرىستال ماتېرىيالىدىن ياسالغان ۋافېر. ئاساسىي ماتېرىيال ۋافېر ئىشلەپچىقىرىش ئورنىغا بىۋاسىتە كىرەلەيدۇ...
كۆپرەك ئوقۇڭ