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Wichtige Faktoren, die die Qualität des Wachstums von monokristallinem Silizium bestimmen – thermisches Feld
von Admin am 24.06.2012
Der Wachstumsprozess von monokristallinem Silizium findet vollständig im thermischen Feld statt. Ein optimales thermisches Feld trägt zur Verbesserung der Kristallqualität und zu einer höheren Kristallisationseffizienz bei. Die Gestaltung des thermischen Feldes bestimmt maßgeblich die Veränderungen der Temperaturgradienten.
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Welche technischen Schwierigkeiten bestehen beim Kristallzuchtofen für Siliziumkarbid?
von Admin am 24.06.07
Der Kristallzuchtofen ist die Kernanlage für die Siliciumcarbid-Kristallzüchtung. Er ähnelt dem herkömmlichen Kristallzuchtofen für kristallines Silicium. Der Ofenaufbau ist relativ einfach. Er besteht im Wesentlichen aus Ofenkörper, Heizsystem und Spulenfördermechanismus.
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Welche Defekte weist die Siliziumkarbid-Epitaxieschicht auf?
von Admin am 24.06.05
Die Kerntechnologie für das Wachstum von SiC-Epitaxiematerialien ist in erster Linie die Defektkontrolle, insbesondere die Kontrolle von Defekten, die zu Geräteausfällen oder Zuverlässigkeitsbeeinträchtigungen führen können. Die Untersuchung des Mechanismus von Substratdefekten, der sich bis in die Epitaxie erstreckt, ist daher von großer Bedeutung.
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Technologie des oxidierten stehenden Korns und des epitaxialen Wachstums - II
von Admin am 24.05.2030
2. Epitaktisches Dünnschichtwachstum: Das Substrat dient als physikalische Trägerschicht bzw. leitfähige Schicht für Ga₂O₃-Leistungsbauelemente. Die nächste wichtige Schicht ist die Kanalschicht bzw. Epitaxieschicht, die für den Spannungswiderstand und den Ladungstransport zuständig ist. Um die Durchbruchspannung zu erhöhen und den Ladungstransport zu minimieren, …
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Galliumoxid-Einkristall- und Epitaxie-Wachstumstechnologie
von Admin am 24.05.2030
Halbleiter mit großer Bandlücke (WBG), wie beispielsweise Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN), haben in letzter Zeit viel Aufmerksamkeit erregt. Man hegt große Erwartungen an die Anwendungsmöglichkeiten von Siliziumkarbid in Elektrofahrzeugen und Stromnetzen sowie an die Anwendungsmöglichkeiten von Galliumnitrid…
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Welche technischen Hürden bestehen bei Siliziumkarbid? II
von Admin am 24.05.2022
Zu den technischen Schwierigkeiten bei der stabilen Massenproduktion hochwertiger Siliziumkarbid-Wafer mit gleichbleibender Leistung gehören: 1) Da die Kristalle in einer Hochtemperaturumgebung über 2000 °C wachsen müssen, sind die Anforderungen an die Temperaturkontrolle extrem hoch; 2) Da Siliziumkarbid ...
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Welche technischen Hürden bestehen bei der Verwendung von Siliziumkarbid?
von Admin am 24.05.2022
Die erste Generation von Halbleitermaterialien besteht aus dem traditionellen Silizium (Si) und Germanium (Ge), die die Grundlage für die Herstellung integrierter Schaltungen bilden. Sie werden häufig in Niederspannungs-, Niederfrequenz- und Niedrigleistungstransistoren und -detektoren eingesetzt. Mehr als 90 % der Halbleiterproduktion...
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Wie wird SiC-Mikropulver hergestellt?
von Admin am 24.05.2013
SiC-Einkristall ist ein Halbleitermaterial der Gruppe IV-IV, das aus den Elementen Silicium (Si) und Kohlenstoff (C) im stöchiometrischen Verhältnis 1:1 besteht. Seine Härte ist die zweithöchste nach Diamant. Die Kohlenstoffreduktion von Siliciumdioxid zur Herstellung von SiC basiert im Wesentlichen auf der folgenden chemischen Reaktionsgleichung…
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Wie tragen Epitaxieschichten zur Verbesserung von Halbleiterbauelementen bei?
von Admin am 24.05.2013
Ursprung des Namens Epitaxie-Wafer. Zunächst ein einfaches Konzept: Die Waferherstellung umfasst zwei Hauptschritte: die Substratvorbereitung und den Epitaxieprozess. Das Substrat ist ein Wafer aus Halbleiter-Einkristallmaterial. Das Substrat kann direkt in die Waferherstellung eingebracht werden…
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